Проведено исследование профилей концентрации и оптических констант ионноимплантированных пленок соединений халькогенидов элементов первой группы. Основными параметрами, определяющими относительные пробеги частиц в пленке материалов, являются атомный номер и масса бомбардирующих частиц и атомов мишени. Оптические константы облученных поверхностей пленок соединений халькогенидов элементов первой группы изменяются по сравнению с исходными значениями, причем их изменения тем больше, чем выше доза облучения и чем тяжелее внедряемые ионы. Минимальная доза, необходимая для изменения оптических констант, с уменьшением массы иона увеличивается, показатель преломления увеличивается, коэффициент экстинкции уменьшается. Показано, что максимум концентрационного профиля ионно-имплантированной примеси смещается к поверхности с увеличением порядкового номера и атомного веса внедренного иона. Профили концентрации по глубине хорошо согласуются с теоретическими выводами о положении и распределении имплантированных ионов.