Статья: Аналитическое описание характеристик лавинных фотодиодов (обзор) Часть I (2016)

Читать онлайн

Представлены аналитические выражения для коэффициентов лавинного размножения носителей в p–n-структурах. Рассмотрены наиболее характерные ситуации: ступенчатый (резкий) и плавный (линейный) p–n-переходы и тонкая p+–n(p)–n+-структура (типа p–i–n). Выведены формулы для напряжения лавинного пробоя VBD и показателя степени в соотношении Миллера для зависимости коэффициента размножения носителей от приложенного напряжения V. На примере полупроводников Ge, Si, GAP и InSb показано, что полученные аналитические результаты находятся в хорошем количественном согласии с проведенными ранее численными расчетами и экспериментальными данными. Эти результаты позволяют быстро и с хорошей точностью оценивать коэффициенты размножения электронов и дырок при заданном приложенном напряжении V.

Проведен теоретический анализ зависимости межзонного туннельного тока гетероструктуры с p+–n-переходом в ″широкозонном″ слое от параметров используемых полупроводниковых материалов, уровней легирования ″высокоомных″ слоев и их толщин при напряжениях лавинного пробоя гетероструктуры. Показано, что туннельный ток, как правило, немонотонно зависит от концентрации легирующей примеси в ″высокоомной″ части ″широкозонного″ слоя. В наиболее практически интересном случае существует оптимальная концентрация этой примеси, при которой для заданных толщин слоев и уровня легирования ″узкозонного″ слоя туннельный ток достигает абсолютного минимума. Выведена простая формула для определения величины этой концентрации. Получено также аналитическое выражение для определения минимального значения туннельного тока. В реальных случаях перепад токов может составлять несколько порядков. Выяснено, что увеличение уровня легирования ″узкозонного″ слоя во многих случаях приводит к уменьшению туннельного тока. Показано, что при понижении уровня легирования ″высокомных″ слоев гетероструктуры туннельный ток не обращается в нуль, а начиная с некоторой концентрации перестает зависеть от уровня легирования. Аналогичный эффект имеет место и для гомогенного p+–n-перехода. Обсуждаются физические причины такого поведения туннельного тока при напряжениях лавинного пробоя. Разработана методика оптимизации параметров гетероструктуры порогового лавинного фотодиода с разделенными областями поглощения и умножения. Проведены конкретные расчеты, например, для широко используемой системы InP-In0,53Ga0,47As-InP.

Рассмотрена возможность описания переходных процессов в p–i–n лавинных фотодиодах (ЛФД) элементарными функциями, прежде всего, при начальном напряжении V0, большем напряжения лавинного пробоя VBD. Постановка задачи вызвана потребностью знать явные условия возникновения гейгеровской моды работы ЛФД. Выведено несложное выражение, описывающее динамику лавинного гейгеровского процесса. Получена формула для полного времени его протекания. Представлено явное аналитическое соотношение реализации моды Гейгера. Определены условия применимости полученных результатов.

В заключение на основе аналитических вычислений обсуждены и продемонстрированы преимущества лавинных гетерофотодиодов (ЛГФД) с разделенными областями поглощения и умножения (РОПУ) типа ‘‘low-high-low’’ перед классическими образцами.

Analytical expressions for avalanche multiplication factors of charge carriers in p+–n structures are presented. The most typical configurations: stepwise (abrupt) and gradual (linear) p–n junction and thin p+–n(p)–n+ structure (like as p–i–n) are considered. Formulae for avalanche breakdown voltage VBD and exponent in Miller’s relation for dependence of multiplication factors of charge carriers on applied voltage are derived. Application of obtained analytical formulae to calculate characteristics of diode structures based on semiconductors Si, Ge, GaP and InSb gives in the result good quantitative agreement with previously published numerical and experimental data. Obtained results allow quick and precise estimation of multiplication factors of electrons and holes at a given applied voltage V.

Dependence of inter-band tunnel current at avalanche breakdown voltage in heterostructure with p+–n junction in wide-gap layer on parameters of used semiconductor materials, doping levels of high-resis-tivity layers and their thicknesses is analyzed theoretically. It is shown that tunnel current depends, as a rule, non-monotonically on dopant’s concentration in “high-resistivity” region of “wide-gap” layer. Moreover there is optimal dopant’s concentration when tunnel current reaches absolute minimum for given layer thickness and doping level of “narrow-gap” layer, this result is very interesting for practical applications. Simple formula for evaluation of that optimal concentration is derived. Analytical expression for estimation of minimal value of tunnel current is obtained also. In real cases tunnel currents can vary by several orders of magnitude. It is found that increase of doping level of “narrow-gap” layer leads in many cases to decrease in tunnel current. It is shown that tunnel current does not fall to zero with lowering of doping level of “high-resistivity” layers of heterostructure and at some concentration it becomes independent on doping level. A similar effect takes place for homogeneous p+–n junction. Physical reasons of such behavior of tunnel current at avalanche breakdown voltage are discussed. Technique for optimization of heterostructure’s parameters of high-quality avalanche heterophotodiode (AHPD) with separate regions of absorption and multiplication is developed. It are carried out, as an example, specific calculations for using extensively InP0.53Ga0.47As-InP heterostructure.

Possibility of description of transient phenomena in p–i–n avalanche photodiode (APD) by elementary functions is considered, first of all in the case when initially applied voltage V0 is higher than VBD. Formulation of the problem is caused by need to know the explicit conditions of APD operation in Geiger mode. Simple expression describing dynamics of avalanche process in Geiger mode is derived. Formula for total time of its progress is obtained. Analytical expression for realization of Geiger mode of operation is presented. The conditions of applicability of obtained results are defined.

On the basis of analytical calculations advantages of AHPD with separate absorption and multiplication regions of type ‘‘low-high-low’’ before classical samples are discussed and shown in concluding part.

Ключевые фразы: ударная генерация электронно-дырочных пар, коэффициенты ударной ионизации и лавинного размножения носителей, лавинный фотодиод, лфд, поле и напряжение лавинного пробоя, p–i–n-структура, p–n-гетероструктура, лавинный гетерофотодиод, лгфд, разделенные области поглощения и умножения, ропу, межзонный туннельный ток, фоточуфствительность, спектральная плотность шума, лавинный шум-фактор, быстродействие, лгфд с ропу классического типа и типа ''low-high-low'', режим гейгера, аналитическая модель
Автор (ы): Бурлаков Игорь Дмитриевич, Филачев Анатолий Михайлович, Холоднов Вячеслав Александрович
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
53. Физика
eLIBRARY ID
25480316
Для цитирования:
БУРЛАКОВ И. Д., ФИЛАЧЕВ А. М., ХОЛОДНОВ В. А. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ (ОБЗОР) ЧАСТЬ I // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2016. ТОМ 4, №1
Текстовый фрагмент статьи