ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Фотонный отжиг при изготовлении планарных фотодиодов из антимонида индия (2017)

Читать

Читать онлайн

Проведено сравнение электрофизических и фотоэлектрических параметров малоразмерных многоплощадочных планарных фотодиодов из антимонида индия с кристаллами, изготовленными в рамках единой партии по четырём вариантам технологии: базовой с применением имплантации ионов бериллия и трём другим на основе базовой технологии, отличающимся уменьшенными значениями энергии, дозы имплантации и методом постимплантационного отжига. Показана перспективность применения фотонного отжига в сочетании с измененными режимами имплантации в базовой технологии. Это позволяет уменьшить число технологических операций и исключить применение токсичного моносилана и взрывоопасного водорода при выигрыше характеристик фотодиодов по интегральной токовой чувствительности на ~ 8 % и удельной обнаружительной способности на ~ 4 %.

Consideration is given to comparison of electrophysical and photoelectrical parameters of littledimentions, manygrounds planar indium antimony photodiodes with crystals produced in united part frame by 4 technology variants: a base one with application of ions beryllium implantation and 3 others grounded on base technology, but to be differed with a decreased energy of beryllium ions implantation and a type of post-implant annealing. There are the advantages of second photon annealing application in combination with the charged implantation regime in base technology. It will allow to reduce number of technology operations and to exept the monosilan and highdrogen use during manufacturing, with prize in integral current sencitivity on ~ 8 % and specific discovery ability on ~ 4 %.

Ключевые фразы: секундный фотонный отжиг, базовая технология, планарный фотодиод, антимонид индия

Автор (ы): Артамонов Антон Вячеславович, Астахов Владимир Петрович, Гиндин Павел Дмитриевич, Евстафьева Наталья Игоревна, Карпов Владимир Владимирович, Соловьёва Галина Сергеевна, Степанюк Владимир Евгеньевич

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.315. Передача электрической энергии. Провода и кабели, используемые для передачи энергии и для связи. Проводники. Электроизоляционные материалы. Линейная арматура. Сооружение линий электропередачи
eLIBRARY ID: 30487437

Для цитирования:

АРТАМОНОВ А. В., АСТАХОВ В. П., ГИНДИН П. Д., ЕВСТАФЬЕВА Н. И., КАРПОВ В. В., СОЛОВЬЁВА Г. С., СТЕПАНЮК В. Е. ФОТОННЫЙ ОТЖИГ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПЛАНАРНЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ АНТИМОНИДА ИНДИЯ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2017. ТОМ 5, №5

Текстовый фрагмент статьи

Изучены электрофизические и фотоэлектрические параметры малоразмерных многоплощадочных планарных фотодиодов с кристаллами, изготовленными по четырём вариантам технологии, один из которых – базовая технология на основе двухстадийной имплантации ионов Be+ с максимальной энергией 100 кэВ. Три другие варианта основаны также на базовой технологии, но при этом имплантация стала одностадийной с энергией ионов 40 кэВ. Отличие вариантов друг от друга заключается в методе применяемого постимплантационного отжига: либо стационарный термический по базовой технологии (ТО), либо секундный фотонный (СФО), либо СФО с последующим ТО. Лучшие и аналогичные результаты получены в двух последних случаях: значения Si ср на ~ 8 %, а D* ср на ~ 4 % превышают значения, полученные по базовой технологии. Очевидно, что вариант только с СФО следует рекомендовать для практического применения по следующим причинам: имеет место выигрыш по фотоэлектрическим параметрам, и при этом повышаются экономичность, экологичность и безопасность технологии за счет уменьшения числа технологических операций (исключаются нанесение капсулирующей пленки и ее удаление) и неприменения токсичного моносилана и взрывоопасного водорода.

Моя история просмотров (5)

01. Статья: ДИГЛОССИЯ И БИЛИНГВИЗМ В КОНТЕКСТЕ ЯЗЫКОВОЙ ВАРИАТИВНОСТИ ФРАНКОЯЗЫЧНЫХ СТРАН ЗАПАДНОЙ АФРИКИ

02. Статья: SOCIO-ECONOMIC FACTORS OF CHANGES IN CONSUMER BEHAVIOR AND STRATEGIES OF TRADE COMPANIES IN JAPAN

03. Статья: КОГНИТИВНО-СЕМАНТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПЕРИФРАЗА В ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКОМ ДИСКУРСЕ (НА МАТЕРИАЛЕ ПУБЛИКАЦИЙ О СПЕЦИАЛЬНОЙ ВОЕННОЙ ОПЕРАЦИИ В ГАЗЕТЕ "LE PARISIEN")

04. Статья: DRAGON IMAGES IN JAPANESE CULTURE: GENESIS AND SEMANTICS

05. Статья: ЭКОЛОГИЯ ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОГО ТРАНСПОРТА КАК АСПЕКТ НАЦИОНАЛЬНОЙ БЕЗОПАСНОСТИ

Список литературы

1. Астахов В. П., Дудкин В. Ф., Кернер Б. С., Осипов В. В., Смолин О. В., Таубкин И. И. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 5. С. 455.
2. Калябина И. А., Крылов Г. А. // Обзоры по электронной технике. Серия 7 ТОПО. 1981. Вып. 12 (8.12) С. 3.
3. Двуреченский А. В., Качурин Г. А., Нидаев Е. В., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. – М.: Наука, 1982.
4. Итальянцев А. Г., Мордкович В. Н. // Журнал технической физики. 1983. Т. 53. Вып. 5. С. 937.
5. Итальянцев А. Г., Мордкович В. Н., Темпер Э. М. // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18. Вып. 5. С. 928.
6. Астахов В. П., Дудник В. Я., Итальянцев А. Г., Мордкович В. Н., Струков Ф. В. // Электронная техника. Серия 7 ТОПО. 1988. № 1. С. 34.
7. Афанасьев В. А., Духновский М. П., Калиничев М. Н. и др. // Электронная техника. Серия «Электроника СВЧ». 1984. Вып. 12 (372). С. 54.
8. Коршунов А. Б., Генералов Н. А., Зимаков В. Н., Соловьев Н. Г., Аверьянова Т. М., Старикова Л. Е., Астахов В. П., Белотелов С. В., Верин В. М., Зыканова И. В., Камушкин Г. В., Петровнин Н. М., Прохоров В. И., Шестериков С. А., Щербина С. М. Способ отжига ионнолегированных полупроводниковых материалов. Авторское свидетельство СССР на изобретение № 1170926. кл. HOIL 21/268, 1979.
9. Курбатов Л. Н., Стоянова И. Г., Трохимчук П. П., Трохин А. С. // Доклады Академии наук СССР. Серия физическая. 1983. Вып. 3. С. 268.
10. Астахов В. П., Данилов Ю. А., Дудник В. Я., Питиримова Е. А. // Физика и химия обработки материалов. 1988. № 1. С. 34.
11. Астахов В. П., Барбой В. Е., Карпов В. В., Мозжорин Ю. Д., Ермакова И. М., Овчинников А. С., Пасеков В. Ф., Бузуев Ю. И., Постников И. В., Коршунов А. Б. Способ изготовления p–n-переходов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости. Патент РФ на изобретение RU 2056671 С 1 L 21/265.
12. Астахов В. П., Дудкин В. Д., Ермакова И. М., Карпов В. В., Коршунов А. Б., Пасеков В. Ф. // Вопросы оборонной техники. Серия 11. 1993. Вып. 1–2. /136-237/. С. 18.
13. Астахов В. П., Астахов М. В., Карпов В. В., Якимов Е. Б. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 1. С. 1.
14. Артамонов А. В., Астахов В. П., Карпов В. В., Максимов А. Д. // Вестник МИТХТ. Химия и технология неорганических материалов. 2012. Т. 7. № 3. С. 46.
15. Артамонов А. В., Астахов В. П., Гиндин П. Д., Карпов В. В., Максимов А. Д. Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb. Патент РФ на изобретение, 2013. № 2485629.
16. Шокли В., Нойс Р., Саа К. // Успехи физических наук. 1962. Т. 77. Вып. 3. С. 327.

1. V. P. Astakhov, V. F. Dudkin, B. S. Kerner, B. B. Osipov, O. V. Smolin, and I. I. Taubkin. Mikroelektroniks 18 (5), 455 (1989).
2. I. A. Kaljabina and G. A. Krilov. Obzor Elektron. Tekhnniki. Series 7 TOPO, No. 12 (8.12), 3 (1981).
3. A. V. Dvurechensky, G. A. Kachurin, E. V. Nidaev, and L. S. Smirnov. Impulse Annealing of Semiconductor Materials. (Moscow, Nauka, 1982) [in Russian].
4. A. G. Italjancev and V. N. Mordkovich. Sov. Journal of Technical Physics 53 (5), 937 (1983).
5. A. G. Italjancev, V. N. Mordkovich, and E. M. Temper. Sov. Physics and Technics of Semiconductors. 18, 928 (1984).
6. V. P. Astakhov, V. Ja. Dudnik, A. G. Italjancev, V. N. Mordkovich, and F. V. Strukov. Obzor Elektron. Tekhnniki. Series 7 TOPO, No. 1, 34 (1988).
7. V. A. Afanasjev, M. P. Duhnovsky, M. P. Kalinichev, et. al., Electron Technika. Series «SVCh-electronics», No. 12 (372), 54 (1984).
8. A. B. Korshunov, N. A. Generalov, V. N. Simakov, et al., USSR Patent No. 1170926. 1979.
9. L. N. Kurbatov, I. G. Stojanova, P. P. Trochimchuk, and A. S. Trochin, Doklady AN SSSR. Series: Physics No. 3, 268 (1983).
10. V. P. Astakhov, Ju. A. Danilov, V. Ja. Dudnik, and E. A. Pitirimova, Fiz. Ghim. Obrab. Mater., No. 1, 34 (1988).
11. V. P. Astakhov, V. E. Barboy, V. V. Karpov, et al., RFPatent No. 2056671, C 1 L 21/265.
12. V. P. Astakhov, V. F. Dudkin, I. M. Ermakova, V. V. Karpov, A. B. Korshunov, and V. F. Pasekov, Voprosy Oboron. Tekhniki. Series 11, No. 1-2 /136-237/, 18 (1993).
13. V. P. Astakhov, M. V. Astakhov, V. V. Karpov, and E. B. Jakimov, J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech., No. 1, 1 (2007).
14. A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, V. V. Karpov, and A. D. Maksimov, Vestnik MITChT. Chemistry and Technology of Nonorganic Materials 7 (3), 46 (2012).
15. A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, P. D. Gindin, V. V. Karpov, and A. D. Maksimov, RF Patent No. 2485629. 2013.
16. V. Shokli, R. Nois, and K. Saa, Sov. Phys. Usp. 77 (3), 327 (1962).

Выпуск

Том 5, №5 (2017)

Кол-во страниц: 96 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Артемьев К. В., Батанов Г. М., Бережецкая Н. К., Давыдов А. М., Коссый И. А., Нефедов В. И., Сарксьян К. А., Харчев Н. К. Подпороговый разряд высокого давления, возбуждаемый пучком микроволн: физические основы и приложения 429
Золотухин Д. Б., Бурдовицин В. А., Тюньков А. В., Юшков Ю. Г., Окс Е. М., Голосов Д. А., Завадский С. М. Реактивные методы осаждения пленок оксидов титана (обзор) 442

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Холоднов В. А., Бурлаков И. Д. К вопросу оптимизации параметров двойной гетероструктуры на основе прямозонных полупроводников для лавинных фотодиодов 453
Артамонов А. В., Астахов В. П., Гиндин П. Д., Евстафьева Н. И., Карпов В. В., Соловьёва Г. С., Степанюк В. Е. Фотонный отжиг при изготовлении планарных фотодиодов из антимонида индия 459
Козлов К. В., Стрельцов В. А., Патрашин А. И., Косых В. П., Громилин Г. И. Аналитический метод оценки параметров инфракрасного многорядного фотоприемного устройства 466

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Денисов Д. Г. Метод частичного подавления спекл-структуры при интерферометрическом контроле микронеровностей шлифованных оптических поверхностей 481
Гибин И. С., Котляр П. Е. Гибридные автоэмиссионные фотокатоды (обзор) 497
Наумов Н. Д. Оптимизированный метод расчета рупорной антенны 508

ИНФОРМАЦИЯ

XLV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 514
Правила для авторов 517
Подписка на электронную версию журнала 520

C O N T E N T S

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

K. V. Artem’ev, G. M. Batanov, N. K. Berezhetskaya, A. M. Davydov, I. A. Kossyi, V. I. Nefedov, K. A. Sarksyan, and N. K. Kharchev Subthreshold high-pressure discharge excited by a microwave beam: the physical basics and applications 429
D. B. Zolotukhin, V. A. Burdovitsin, A. V. Tyunkov, Yu. G. Yushkov, E. M. Oks, D. A. Golosov, and S. M. Zavadskiy Reactive methods for titanium oxides thin films deposition (a review) 442

PHOTOELECTRONICS

V. A. Kholodnov and I. D. Burlakov To the question of optimization of parameters of double het-ero-structure on the basis of direct gap semiconductors for avalanche photodiodes 453
A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, P. D. Gindin, N. I. Evstaf’eva, V. V. Karpov, G. S. Solovyova, and V. E. Stepanyuk Photon annealing at planar photodiodes from indium antimony manufacture 459
K. V. Kozlov, V. A. Streltsov, A. I. Patrashin, V. P. Kosykh, and G. I. Gromilin Analytical meth-od for evaluation of the IR multirow photodetector parameters 466

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

D. G. Denisov Method of partial suppression of a speckle-pattern at the interferometric control of polished optical surfaces microroughness 481
I. S. Gibin and P. E. Kotlyar Hybrid autoemission photocathodes (a review) 497
N. D. Naumov Optimized method of calculation of the horn antenna 508

INFORMATION

XLV International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thernomuclear Fusion 514
Rules for authors 517
Subscription to an electronic version of the journal 520

Другие статьи выпуска

К вопросу оптимизации параметров двойной гетероструктуры на основе прямозонных полупроводников для лавинных фотодиодов (2017)

Авторы: Холоднов Вячеслав Александрович, Бурлаков Игорь Дмитриевич

Рассмотрена двойная гетероструктура на основе прямозонных полупроводников со средним слоем фотопоглощения при напряжении лавинного пробоя. Такие структуры используются при создании лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения и умножения (ЛФД с РОПУ). Показано, что при расчете предельно возможных характеристик ЛФД с РОПУ даже в слое поглощения необходимо учитывать ударную генерацию электронно-дырочных в пар, причем это можно выполнить аналитически.

Сохранить в закладках

Реактивные методы осаждения пленок оксидов титана (обзор) (2017)

Авторы: Золотухин Денис Борисович, Бурдовицин Виктор Алексеевич, Тюньков Андрей Владимирович, Юшков Юрий Георгиевич, Окс Ефим Михайлович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович

Обзор посвящен анализу преимуществ и недостатков существующих реактивных методов осаждения пленок оксида титана. Особое внимание уделено традиционным методам – магнетронному распылению в атмосфере активных газов и вакуумно-дуговому осаждению, а также обсуждаются возможности реактивного электронно-лучевого испарения, в том числе альтернативного электронно-лучевого испарения титана в форвакууме (1–15 Па) в атмосфере кислорода с последующим осаждением паров на подложку. Показано, что к преимуществам электронно-лучевого испарения в форвакууме следует отнести простоту реализации и возможность получения стехиометрических пленок TiO2, причем при более высокой скорости осаждения и меньшем энергопотреблении.

Сохранить в закладках

Подпороговый разряд высокого давления, возбуждаемый пучком микроволн: физические основы и приложения (2017)

Авторы: Артемьев Константин Владимирович, Батанов Герман Михайлович, Бережецкая Наталья Константиновна, Давыдов Алексей Михайлович, Коссый Игорь Антонович, Нефедов Виктор Иванович, Сарксьян Карен Агасевич, Харчев Николай Константинович

Представлено обсуждение новой формы разряда, возбуждаемого пучком микроволн в газах высокого (вплоть до атмосферного и выше) давления как в свободном пространстве, так и в замкнутой камере. Впервые для осуществления такого разряда использовался мощный гиротрон с параметрами импульсного излучения: мощность импульса 200  P  600 кВт, длительность импульса 0,5 мс    20 мс и длина волны  = 0,4 см. В глубоко подпороговых условиях в свободном пространстве в воздухе атмосферного давления плазменный столб длиной L = 50 см возбуждался микроволновым пучком, формируемым квазиоптической системой зеркал. При применении гиротрона с указанными параметрами принципиально возможна генерация плазменного столба, достигающего нескольких метров в длину. Исследованы параметры и структура плазменного образования, позволяющие отнести его к категории открытого и ранее описанного в ИОФ РАН СНС самоподдерживающегося– несамостоятельного разряда. В качестве одного из возможных актуальных приложений разряда рассматривается плазмохимическая очистка городской воздушной среды от экологически опасных примесей.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.

Наведите камеру на QR-код, чтобы открыть моб. версию страницы.

Ведущий журнала

Ильина Надежда

Написать

По вопросам связанным с журналом вы можете связаться с его ведущим.