Проведено сравнение электрофизических и фотоэлектрических параметров малоразмерных многоплощадочных планарных фотодиодов из антимонида индия с кристаллами, изготовленными в рамках единой партии по четырём вариантам технологии: базовой с применением имплантации ионов бериллия и трём другим на основе базовой технологии, отличающимся уменьшенными значениями энергии, дозы имплантации и методом постимплантационного отжига. Показана перспективность применения фотонного отжига в сочетании с измененными режимами имплантации в базовой технологии. Это позволяет уменьшить число технологических операций и исключить применение токсичного моносилана и взрывоопасного водорода при выигрыше характеристик фотодиодов по интегральной токовой чувствительности на ~ 8 % и удельной обнаружительной способности на ~ 4 %.
Consideration is given to comparison of electrophysical and photoelectrical parameters of littledimentions, manygrounds planar indium antimony photodiodes with crystals produced in united part frame by 4 technology variants: a base one with application of ions beryllium implantation and 3 others grounded on base technology, but to be differed with a decreased energy of beryllium ions implantation and a type of post-implant annealing. There are the advantages of second photon annealing application in combination with the charged implantation regime in base technology. It will allow to reduce number of technology operations and to exept the monosilan and highdrogen use during manufacturing, with prize in integral current sencitivity on ~ 8 % and specific discovery ability on ~ 4 %.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 30487437
Изучены электрофизические и фотоэлектрические параметры малоразмерных многоплощадочных планарных фотодиодов с кристаллами, изготовленными по четырём вариантам технологии, один из которых – базовая технология на основе двухстадийной имплантации ионов Be+ с максимальной энергией 100 кэВ. Три другие варианта основаны также на базовой технологии, но при этом имплантация стала одностадийной с энергией ионов 40 кэВ. Отличие вариантов друг от друга заключается в методе применяемого постимплантационного отжига: либо стационарный термический по базовой технологии (ТО), либо секундный фотонный (СФО), либо СФО с последующим ТО. Лучшие и аналогичные результаты получены в двух последних случаях: значения Si ср на ~ 8 %, а D* ср на ~ 4 % превышают значения, полученные по базовой технологии. Очевидно, что вариант только с СФО следует рекомендовать для практического применения по следующим причинам: имеет место выигрыш по фотоэлектрическим параметрам, и при этом повышаются экономичность, экологичность и безопасность технологии за счет уменьшения числа технологических операций (исключаются нанесение капсулирующей пленки и ее удаление) и неприменения токсичного моносилана и взрывоопасного водорода.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Список литературы
1. Астахов В. П., Дудкин В. Ф., Кернер Б. С., Осипов В. В., Смолин О. В., Таубкин И. И. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 5. С. 455.
2. Калябина И. А., Крылов Г. А. // Обзоры по электронной технике. Серия 7 ТОПО. 1981. Вып. 12 (8.12) С. 3.
3. Двуреченский А. В., Качурин Г. А., Нидаев Е. В., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. - М.: Наука, 1982.
4. Итальянцев А. Г., Мордкович В. Н. // Журнал технической физики. 1983. Т. 53. Вып. 5. С. 937. EDN: WGVEUX
5. Итальянцев А. Г., Мордкович В. Н., Темпер Э. М. // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18. Вып. 5. С. 928. EDN: GFBFZJ
6. Астахов В. П., Дудник В. Я., Итальянцев А. Г., Мордкович В. Н., Струков Ф. В. // Электронная техника. Серия 7 ТОПО. 1988. № 1. С. 34.
7. Афанасьев В. А., Духновский М. П., Калиничев М. Н. и др. // Электронная техника. Серия «Электроника СВЧ». 1984. Вып. 12 (372). С. 54.
8. Коршунов А. Б., Генералов Н. А., Зимаков В. Н., Соловьев Н. Г., Аверьянова Т. М., Старикова Л. Е., Астахов В. П., Белотелов С. В., Верин В. М., Зыканова И. В., Камушкин Г. В., Петровнин Н. М., Прохоров В. И., Шестериков С. А., Щербина С. М. Способ отжига ионнолегированных полупроводниковых материалов. Авторское свидетельство СССР на изобретение № 1170926. кл. HOIL 21/268, 1979.
9. Курбатов Л. Н., Стоянова И. Г., Трохимчук П. П., Трохин А. С. // Доклады Академии наук СССР. Серия физическая. 1983. Вып. 3. С. 268.
10. Астахов В. П., Данилов Ю. А., Дудник В. Я., Питиримова Е. А. // Физика и химия обработки материалов. 1988. № 1. С. 34.
11. Астахов В. П., Барбой В. Е., Карпов В. В., Мозжорин Ю. Д., Ермакова И. М., Овчинников А. С., Пасеков В. Ф., Бузуев Ю. И., Постников И. В., Коршунов А. Б. Способ изготовления p-n-переходов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости. Патент РФ на изобретение RU 2056671 С 1 L 21/265.
12. Астахов В. П., Дудкин В. Д., Ермакова И. М., Карпов В. В., Коршунов А. Б., Пасеков В. Ф. // Вопросы оборонной техники. Серия 11. 1993. Вып. 1-2. /136-237/. С. 18.
13. Астахов В. П., Астахов М. В., Карпов В. В., Якимов Е. Б. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 1. С. 1.
14. Артамонов А. В., Астахов В. П., Карпов В. В., Максимов А. Д. // Вестник МИТХТ. Химия и технология неорганических материалов. 2012. Т. 7. № 3. С. 46. EDN: PBNCBH
15. Артамонов А. В., Астахов В. П., Гиндин П. Д., Карпов В. В., Максимов А. Д. Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb. Патент РФ на изобретение, 2013. № 2485629. EDN: ZGSIFF
16. Шокли В., Нойс Р., Саа К. // Успехи физических наук. 1962. Т. 77. Вып. 3. С. 327.
1. V. P. Astakhov, V. F. Dudkin, B. S. Kerner, B. B. Osipov, O. V. Smolin, and I. I. Taubkin. Mikroelektroniks 18 (5), 455 (1989).
2. I. A. Kaljabina and G. A. Krilov. Obzor Elektron. Tekhnniki. Series 7 TOPO, No. 12 (8.12), 3 (1981).
3. A. V. Dvurechensky, G. A. Kachurin, E. V. Nidaev, and L. S. Smirnov. Impulse Annealing of Semiconductor Materials. (Moscow, Nauka, 1982) [in Russian].
4. A. G. Italjancev and V. N. Mordkovich. Sov. Journal of Technical Physics 53 (5), 937 (1983).
5. A. G. Italjancev, V. N. Mordkovich, and E. M. Temper. Sov. Physics and Technics of Semiconductors. 18, 928 (1984).
6. V. P. Astakhov, V. Ja. Dudnik, A. G. Italjancev, V. N. Mordkovich, and F. V. Strukov. Obzor Elektron. Tekhnniki. Series 7 TOPO, No. 1, 34 (1988).
7. V. A. Afanasjev, M. P. Duhnovsky, M. P. Kalinichev, et. al., Electron Technika. Series «SVCh-electronics», No. 12 (372), 54 (1984).
8. A. B. Korshunov, N. A. Generalov, V. N. Simakov, et al., USSR Patent No. 1170926. 1979.
9. L. N. Kurbatov, I. G. Stojanova, P. P. Trochimchuk, and A. S. Trochin, Doklady AN SSSR. Series: Physics No. 3, 268 (1983).
10. V. P. Astakhov, Ju. A. Danilov, V. Ja. Dudnik, and E. A. Pitirimova, Fiz. Ghim. Obrab. Mater., No. 1, 34 (1988).
11. V. P. Astakhov, V. E. Barboy, V. V. Karpov, et al., RFPatent No. 2056671, C 1 L 21/265.
12. V. P. Astakhov, V. F. Dudkin, I. M. Ermakova, V. V. Karpov, A. B. Korshunov, and V. F. Pasekov, Voprosy Oboron. Tekhniki. Series 11, No. 1-2 /136-237/, 18 (1993).
13. V. P. Astakhov, M. V. Astakhov, V. V. Karpov, and E. B. Jakimov, J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech., No. 1, 1 (2007).
14. A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, V. V. Karpov, and A. D. Maksimov, Vestnik MITChT. Chemistry and Technology of Nonorganic Materials 7 (3), 46 (2012).
15. A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, P. D. Gindin, V. V. Karpov, and A. D. Maksimov, RF Patent No. 2485629. 2013.
16. V. Shokli, R. Nois, and K. Saa, Sov. Phys. Usp. 77 (3), 327 (1962).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Артемьев К. В., Батанов Г. М., Бережецкая Н. К., Давыдов А. М., Коссый И. А., Нефедов В. И., Сарксьян К. А., Харчев Н. К. Подпороговый разряд высокого давления, возбуждаемый пучком микроволн: физические основы и приложения 429
Золотухин Д. Б., Бурдовицин В. А., Тюньков А. В., Юшков Ю. Г., Окс Е. М., Голосов Д. А., Завадский С. М. Реактивные методы осаждения пленок оксидов титана (обзор) 442
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Холоднов В. А., Бурлаков И. Д. К вопросу оптимизации параметров двойной гетероструктуры на основе прямозонных полупроводников для лавинных фотодиодов 453
Артамонов А. В., Астахов В. П., Гиндин П. Д., Евстафьева Н. И., Карпов В. В., Соловьёва Г. С., Степанюк В. Е. Фотонный отжиг при изготовлении планарных фотодиодов из антимонида индия 459
Козлов К. В., Стрельцов В. А., Патрашин А. И., Косых В. П., Громилин Г. И. Аналитический метод оценки параметров инфракрасного многорядного фотоприемного устройства 466
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Денисов Д. Г. Метод частичного подавления спекл-структуры при интерферометрическом контроле микронеровностей шлифованных оптических поверхностей 481
Гибин И. С., Котляр П. Е. Гибридные автоэмиссионные фотокатоды (обзор) 497
Наумов Н. Д. Оптимизированный метод расчета рупорной антенны 508
ИНФОРМАЦИЯ
XLV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 514
Правила для авторов 517
Подписка на электронную версию журнала 520
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
K. V. Artem’ev, G. M. Batanov, N. K. Berezhetskaya, A. M. Davydov, I. A. Kossyi, V. I. Nefedov, K. A. Sarksyan, and N. K. Kharchev Subthreshold high-pressure discharge excited by a microwave beam: the physical basics and applications 429
D. B. Zolotukhin, V. A. Burdovitsin, A. V. Tyunkov, Yu. G. Yushkov, E. M. Oks, D. A. Golosov, and S. M. Zavadskiy Reactive methods for titanium oxides thin films deposition (a review) 442
PHOTOELECTRONICS
V. A. Kholodnov and I. D. Burlakov To the question of optimization of parameters of double het-ero-structure on the basis of direct gap semiconductors for avalanche photodiodes 453
A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, P. D. Gindin, N. I. Evstaf’eva, V. V. Karpov, G. S. Solovyova, and V. E. Stepanyuk Photon annealing at planar photodiodes from indium antimony manufacture 459
K. V. Kozlov, V. A. Streltsov, A. I. Patrashin, V. P. Kosykh, and G. I. Gromilin Analytical meth-od for evaluation of the IR multirow photodetector parameters 466
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
D. G. Denisov Method of partial suppression of a speckle-pattern at the interferometric control of polished optical surfaces microroughness 481
I. S. Gibin and P. E. Kotlyar Hybrid autoemission photocathodes (a review) 497
N. D. Naumov Optimized method of calculation of the horn antenna 508
INFORMATION
XLV International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thernomuclear Fusion 514
Rules for authors 517
Subscription to an electronic version of the journal 520
Другие статьи выпуска
Для коэффициента направленного действия и диаграммы направленности пирамидального и секториальных рупоров получены удобные для практических расчетов выражения в виде совокупности тригонометрических и рациональных функций. Коэффициент использования поверхности раскрыва рупорной антенны в определенной области изменения параметра, который является комбинацией размеров рупора и длины волны, представлен в виде квадратичной зависимости от этого параметра. Для оптимальной рупорной антенны найдена простая формула оценки ширины диаграммы направленности по половинной мощности. Для плотности потока энергии рупорной антенны в параксиальной области ближней зоны получено аналитическое выражение, применимое на расстоянии от апертуры z 1,6 a2 b2, где a, b – размеры рупора.
Приведен обзор развития фотоэлектронных эффектов и их применения в электроннооптических преобразователях изображений. Выполнен анализ технических характеристик известных фотокатодов, таких как щелочно-земельные, мультищелочные, фотокатоды с отрицательным электронным сродством и гибридные автоэмиссионные катоды. Показано, что современные автоэмиссионные катоды обладают уникальными эмиссионными характеристиками. Делается вывод о том, что гибридные автоэмиссионные фотокатоды, выполненные в виде матрицы пироэлектрических элементов, электрически связанных с системой автоэлектронных эмиттеров на основе наноструктурированных углеродных трубок, могут стать основой приборов ночного видения, обладающих высокой чувствительностью во всем ИК-диапазоне и создать серьезную конкуренцию традиционным тепловизионным системам.
Исследуются статистические характеристики электромагнитного поля, рассеянного контролируемыми шероховатыми (на стадиях шлифования) оптическими поверхностями, имеющими различный уровень среднего квадратичного отклонения (СКО) – от заданного (эталонного) профиля на различных стадиях технологической обработки. Получены и проанализированы аналитические выражения для контраста регистрируемых интерферограмм и спекл-структуры от характерного отношения контролируемой величины в соотношении с длиной волны интерферометрического контроля – . Предлагается метод частичного подавления спекл-структуры в регистрируемых изображениях, основанный на использовании пространственной фильтрации и операции усреднения по ансамблю сечений, проходящих через энергетический центр тяжести отфильтрованных изображений. Приводятся результаты экспериментальных исследований макетного образца лазерного инфракрасного (ИК) интерферометра, построенного по модифицированной функциональной схеме Тваймана–Грина, с рабочей длиной волны излучения = 10,6 мкм и формулируются рекомендации по выбору его элементной базы.
Представлен аналитический метод расчета параметров инфракрасного (ИК) фотоприемного устройства с заданной топологией матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), осуществляющего регистрацию малоразмерных объектов в режиме линейного сканирования. Метод позволяет оценить отношение сигнал/шум и пространственное разрешение ИК фотоприемного устройства (ФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН) с учетом функции рассеяния точки оптической системы, пространственного распределения чувствительности фоточувствительных элементов (ФЧЭ), параметров дискретизации, ВЗН-суммирования и накопления, значений дробового шума и шума считывания, согласованного суммирования выходных сигналов ИК ФПУ. Проведена оценка пространственного разрешения ИК ФПУ в направлении сканирования, а также в направлении, ортогональном сканированию по двум малоразмерным объектам и по гармоническим мирам в зависимости от параметров топологии МФЧЭ. Найдены оптимальные размеры ФЧЭ (обеспечивающие максимальное отношение сигнал/шум, пространственное разрешение системы при этом не учитывалось) при регистрации пятна излучения в плоскости МФЧЭ, расположенного в максимуме/минимуме пеленгационной характеристики, с учетом/без учета шума считывания, с учетом/без учета дополнительной пространственной обработки выходных сигналов.
Рассмотрена двойная гетероструктура на основе прямозонных полупроводников со средним слоем фотопоглощения при напряжении лавинного пробоя. Такие структуры используются при создании лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения и умножения (ЛФД с РОПУ). Показано, что при расчете предельно возможных характеристик ЛФД с РОПУ даже в слое поглощения необходимо учитывать ударную генерацию электронно-дырочных в пар, причем это можно выполнить аналитически.
Обзор посвящен анализу преимуществ и недостатков существующих реактивных методов осаждения пленок оксида титана. Особое внимание уделено традиционным методам – магнетронному распылению в атмосфере активных газов и вакуумно-дуговому осаждению, а также обсуждаются возможности реактивного электронно-лучевого испарения, в том числе альтернативного электронно-лучевого испарения титана в форвакууме (1–15 Па) в атмосфере кислорода с последующим осаждением паров на подложку. Показано, что к преимуществам электронно-лучевого испарения в форвакууме следует отнести простоту реализации и возможность получения стехиометрических пленок TiO2, причем при более высокой скорости осаждения и меньшем энергопотреблении.
Представлено обсуждение новой формы разряда, возбуждаемого пучком микроволн в газах высокого (вплоть до атмосферного и выше) давления как в свободном пространстве, так и в замкнутой камере. Впервые для осуществления такого разряда использовался мощный гиротрон с параметрами импульсного излучения: мощность импульса 200 P 600 кВт, длительность импульса 0,5 мс 20 мс и длина волны = 0,4 см. В глубоко подпороговых условиях в свободном пространстве в воздухе атмосферного давления плазменный столб длиной L = 50 см возбуждался микроволновым пучком, формируемым квазиоптической системой зеркал. При применении гиротрона с указанными параметрами принципиально возможна генерация плазменного столба, достигающего нескольких метров в длину. Исследованы параметры и структура плазменного образования, позволяющие отнести его к категории открытого и ранее описанного в ИОФ РАН СНС самоподдерживающегося– несамостоятельного разряда. В качестве одного из возможных актуальных приложений разряда рассматривается плазмохимическая очистка городской воздушной среды от экологически опасных примесей.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400