Рассмотрена двойная гетероструктура на основе прямозонных полупроводников со средним слоем фотопоглощения при напряжении лавинного пробоя. Такие структуры используются при создании лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения и умножения (ЛФД с РОПУ). Показано, что при расчете предельно возможных характеристик ЛФД с РОПУ даже в слое поглощения необходимо учитывать ударную генерацию электронно-дырочных в пар, причем это можно выполнить аналитически.
We consider double-heterostructure based on direct band semiconductors under avalanche breakdown voltage. Structures like these are used to fabricate avalanche heterophotodiodes (AHPD) with separate absorption and multiplication (SAM) regions (SAM AHPD). It is shown, that calculation of threshold performance of SAM AHPDs requires also accounting for impact ionization of electronhole pairs in light absorption layer (absorber), and accounting can be done analytically.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 30487436
Гетероструктуры с p–n-переходом в широкозонном слое используются для уменьшения первичного межзонного туннельного тока JT в лавинных фотодиодах (ЛФД) на основе прямозонных полупроводников. Это обеспечивается за счет разделения областей поглощения и умножения (РОПУ). В качественных образцах ЛФД с РОПУ JT является доминирующей составляющей темнового тока и определяет наименьший возможный шум. Для физического проектирования необходимо знать поле лавинного пробоя EBD Обычный подход к вычислению EBD состоит в численном решении известного, сложного интегрального уравнения. Такой подход весьма трудоемок, особенно при сопутствующем расчете туннельного тока. Рассмотренный в статье аналитический подход, учитывающий ударную генерацию, хотя слабую, и в области пространственного (ОПЗ) слоя поглощения, сильно облегчает решение задачи. Этот учет необходим вследствие резкой зависимости JT от напряженности поля. Дело в том, что даже слабая ударная генерация в ОПЗ слоя поглощения несколько увеличивает длину пробега носителей, а поэтому, немного уменьшает значение EBD. Учет ударной генерации носителей в слое поглощения позволит более точно провести оптимизацию параметров структуры ЛГФД с РОПУ на основе прямозонных полупроводников, в том числе, и наиболее предпочтительной типа «low-highlow » с нелегированным «широкозонным» слоем [6, 7].
Список литературы
1. Тсанг У. (ред.) Техника оптической связи: фотоприемники. - М.: Мир, 1988.
2. Холоднов В. А. // Оптический журнал. 1996. № 6. С. 42.
3. Kholodnov V., Nikitin M. In Book: Photodiodes - From Fundamentals to Applications (pp. 27-101) - InTech, 2012.
4. Холоднов В. А., Бурлаков И. Д., Другова А. А. // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 38. EDN: SYOEDV
5. Бурлаков И. Д., Другова А. А., Холоднов В. А. // Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 4. С. 393. EDN: SQVJTL
6. Kholodnov V. A., Nikitin M. S., Burlakov I. D. / Abstracts SPIE Symposium «Optics Photonics», 11-13 August 2015, San Diego, California, USA.
7. Kholodnov V. A., Nikitin M. S., Burlakov I. D. / The First International Conference on Advances in Sensors, Actuators, Metering and Sensing ALLSENSORS 2016, April 24-28, 2016 - Venice, Italy. Proceedings of the conference.
8. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. - М.: Мир, 1984.
9. Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. - New York: Wiley, Hoboken, 2007.
10. Levinshtein M., Kostamovaara J., Vainshtein S. Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices. - World Scientific Publishing, 2005. EDN: TBJVOI
11. Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semicon-ductors. - New York, Wiley, 2009. EDN: VFHKGP
12. Ghio G. Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics - Cambridge: Cambridge University Press, 2009.
13. Холоднов В. А. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. № 15. С. 1349.
14. Холоднов В. А. // ФТП. 1996. Т. 30. № 6. С. 1051.
15. Kane E. O. J. Phys. Chem. Solid. 1959. Vol. 12. Issue 2. P. 181.
1. W. T. Tsang (ed.), in Semiсonductors and semimetals, Vol. 22, Part D, R. K. Willardson and A. C. Beer, Eds. (New York, Academic, 1985).
2. V. A. Kholodnov, Journal of Optical Technology 63, 449 (1996).
3. V. Kholodnov and M. Nikitin, in Photodiodes – From Fundamentals to Applications, pp. 27–101. Ilgu Yun, Ed. (Rijeka, InTech, 2012).
4. V. A. Kholodnov, I. D. Burlakov, and A. А. Drugova, Journal of Communication Technology and Electronics 61, 338 (2016).
5. I. D. Burlakov, A. А. Drugova and V. A. Kholodnov, Journal of Communication Technology and Electronics 61, 1200 (2016).
6. V. A. Kholodnov, M. S. Nikitin, and I. D. Burlakov, in Abstracts SPIE Symposium «Optics + Photonics» (11–13 August 2015, San Diego, California, USA).
7. V. A. Kholodnov, M. S. Nikitin, and I. D. Burlakov, in Proc. First International Conference on Advances in Sensors, Actuators, Metering and Sensing ALLSENSORS 2016, April 24–28, 2016 (Venice, Italy).
8. S. M. Sze, Physics of semiconductor devices (New York – Chichester – Brisbane – Toronto – Singapore: John Wiley and Sons, 1981).
9. S. M. Sze and K. Ng Kwok, Physics of Semiconductor Devices (New York: Wiley, Hoboken, 2007).
10. M. Levinshtein, J. Kostamovaara, and S. Vainshtein, Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices (World Scientific Publishing, 2005).
11. S. Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors (New York, Wiley, 2009).
12. G. Ghio, Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics (Cambridge, Cambridge University Press, 2009).
13. V. A. Kholodnov, Tech. Phys. Lett. 14, 246 (1988).
14. V. A. Kholodnov, Semiconductors 30, 558 (1996).
15. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solid. 12, 181 (1959).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Артемьев К. В., Батанов Г. М., Бережецкая Н. К., Давыдов А. М., Коссый И. А., Нефедов В. И., Сарксьян К. А., Харчев Н. К. Подпороговый разряд высокого давления, возбуждаемый пучком микроволн: физические основы и приложения 429
Золотухин Д. Б., Бурдовицин В. А., Тюньков А. В., Юшков Ю. Г., Окс Е. М., Голосов Д. А., Завадский С. М. Реактивные методы осаждения пленок оксидов титана (обзор) 442
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Холоднов В. А., Бурлаков И. Д. К вопросу оптимизации параметров двойной гетероструктуры на основе прямозонных полупроводников для лавинных фотодиодов 453
Артамонов А. В., Астахов В. П., Гиндин П. Д., Евстафьева Н. И., Карпов В. В., Соловьёва Г. С., Степанюк В. Е. Фотонный отжиг при изготовлении планарных фотодиодов из антимонида индия 459
Козлов К. В., Стрельцов В. А., Патрашин А. И., Косых В. П., Громилин Г. И. Аналитический метод оценки параметров инфракрасного многорядного фотоприемного устройства 466
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Денисов Д. Г. Метод частичного подавления спекл-структуры при интерферометрическом контроле микронеровностей шлифованных оптических поверхностей 481
Гибин И. С., Котляр П. Е. Гибридные автоэмиссионные фотокатоды (обзор) 497
Наумов Н. Д. Оптимизированный метод расчета рупорной антенны 508
ИНФОРМАЦИЯ
XLV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 514
Правила для авторов 517
Подписка на электронную версию журнала 520
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
K. V. Artem’ev, G. M. Batanov, N. K. Berezhetskaya, A. M. Davydov, I. A. Kossyi, V. I. Nefedov, K. A. Sarksyan, and N. K. Kharchev Subthreshold high-pressure discharge excited by a microwave beam: the physical basics and applications 429
D. B. Zolotukhin, V. A. Burdovitsin, A. V. Tyunkov, Yu. G. Yushkov, E. M. Oks, D. A. Golosov, and S. M. Zavadskiy Reactive methods for titanium oxides thin films deposition (a review) 442
PHOTOELECTRONICS
V. A. Kholodnov and I. D. Burlakov To the question of optimization of parameters of double het-ero-structure on the basis of direct gap semiconductors for avalanche photodiodes 453
A. V. Artamonov, V. P. Astakhov, P. D. Gindin, N. I. Evstaf’eva, V. V. Karpov, G. S. Solovyova, and V. E. Stepanyuk Photon annealing at planar photodiodes from indium antimony manufacture 459
K. V. Kozlov, V. A. Streltsov, A. I. Patrashin, V. P. Kosykh, and G. I. Gromilin Analytical meth-od for evaluation of the IR multirow photodetector parameters 466
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
D. G. Denisov Method of partial suppression of a speckle-pattern at the interferometric control of polished optical surfaces microroughness 481
I. S. Gibin and P. E. Kotlyar Hybrid autoemission photocathodes (a review) 497
N. D. Naumov Optimized method of calculation of the horn antenna 508
INFORMATION
XLV International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thernomuclear Fusion 514
Rules for authors 517
Subscription to an electronic version of the journal 520
Другие статьи выпуска
Для коэффициента направленного действия и диаграммы направленности пирамидального и секториальных рупоров получены удобные для практических расчетов выражения в виде совокупности тригонометрических и рациональных функций. Коэффициент использования поверхности раскрыва рупорной антенны в определенной области изменения параметра, который является комбинацией размеров рупора и длины волны, представлен в виде квадратичной зависимости от этого параметра. Для оптимальной рупорной антенны найдена простая формула оценки ширины диаграммы направленности по половинной мощности. Для плотности потока энергии рупорной антенны в параксиальной области ближней зоны получено аналитическое выражение, применимое на расстоянии от апертуры z 1,6 a2 b2, где a, b – размеры рупора.
Приведен обзор развития фотоэлектронных эффектов и их применения в электроннооптических преобразователях изображений. Выполнен анализ технических характеристик известных фотокатодов, таких как щелочно-земельные, мультищелочные, фотокатоды с отрицательным электронным сродством и гибридные автоэмиссионные катоды. Показано, что современные автоэмиссионные катоды обладают уникальными эмиссионными характеристиками. Делается вывод о том, что гибридные автоэмиссионные фотокатоды, выполненные в виде матрицы пироэлектрических элементов, электрически связанных с системой автоэлектронных эмиттеров на основе наноструктурированных углеродных трубок, могут стать основой приборов ночного видения, обладающих высокой чувствительностью во всем ИК-диапазоне и создать серьезную конкуренцию традиционным тепловизионным системам.
Исследуются статистические характеристики электромагнитного поля, рассеянного контролируемыми шероховатыми (на стадиях шлифования) оптическими поверхностями, имеющими различный уровень среднего квадратичного отклонения (СКО) – от заданного (эталонного) профиля на различных стадиях технологической обработки. Получены и проанализированы аналитические выражения для контраста регистрируемых интерферограмм и спекл-структуры от характерного отношения контролируемой величины в соотношении с длиной волны интерферометрического контроля – . Предлагается метод частичного подавления спекл-структуры в регистрируемых изображениях, основанный на использовании пространственной фильтрации и операции усреднения по ансамблю сечений, проходящих через энергетический центр тяжести отфильтрованных изображений. Приводятся результаты экспериментальных исследований макетного образца лазерного инфракрасного (ИК) интерферометра, построенного по модифицированной функциональной схеме Тваймана–Грина, с рабочей длиной волны излучения = 10,6 мкм и формулируются рекомендации по выбору его элементной базы.
Представлен аналитический метод расчета параметров инфракрасного (ИК) фотоприемного устройства с заданной топологией матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), осуществляющего регистрацию малоразмерных объектов в режиме линейного сканирования. Метод позволяет оценить отношение сигнал/шум и пространственное разрешение ИК фотоприемного устройства (ФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН) с учетом функции рассеяния точки оптической системы, пространственного распределения чувствительности фоточувствительных элементов (ФЧЭ), параметров дискретизации, ВЗН-суммирования и накопления, значений дробового шума и шума считывания, согласованного суммирования выходных сигналов ИК ФПУ. Проведена оценка пространственного разрешения ИК ФПУ в направлении сканирования, а также в направлении, ортогональном сканированию по двум малоразмерным объектам и по гармоническим мирам в зависимости от параметров топологии МФЧЭ. Найдены оптимальные размеры ФЧЭ (обеспечивающие максимальное отношение сигнал/шум, пространственное разрешение системы при этом не учитывалось) при регистрации пятна излучения в плоскости МФЧЭ, расположенного в максимуме/минимуме пеленгационной характеристики, с учетом/без учета шума считывания, с учетом/без учета дополнительной пространственной обработки выходных сигналов.
Проведено сравнение электрофизических и фотоэлектрических параметров малоразмерных многоплощадочных планарных фотодиодов из антимонида индия с кристаллами, изготовленными в рамках единой партии по четырём вариантам технологии: базовой с применением имплантации ионов бериллия и трём другим на основе базовой технологии, отличающимся уменьшенными значениями энергии, дозы имплантации и методом постимплантационного отжига. Показана перспективность применения фотонного отжига в сочетании с измененными режимами имплантации в базовой технологии. Это позволяет уменьшить число технологических операций и исключить применение токсичного моносилана и взрывоопасного водорода при выигрыше характеристик фотодиодов по интегральной токовой чувствительности на ~ 8 % и удельной обнаружительной способности на ~ 4 %.
Обзор посвящен анализу преимуществ и недостатков существующих реактивных методов осаждения пленок оксида титана. Особое внимание уделено традиционным методам – магнетронному распылению в атмосфере активных газов и вакуумно-дуговому осаждению, а также обсуждаются возможности реактивного электронно-лучевого испарения, в том числе альтернативного электронно-лучевого испарения титана в форвакууме (1–15 Па) в атмосфере кислорода с последующим осаждением паров на подложку. Показано, что к преимуществам электронно-лучевого испарения в форвакууме следует отнести простоту реализации и возможность получения стехиометрических пленок TiO2, причем при более высокой скорости осаждения и меньшем энергопотреблении.
Представлено обсуждение новой формы разряда, возбуждаемого пучком микроволн в газах высокого (вплоть до атмосферного и выше) давления как в свободном пространстве, так и в замкнутой камере. Впервые для осуществления такого разряда использовался мощный гиротрон с параметрами импульсного излучения: мощность импульса 200 P 600 кВт, длительность импульса 0,5 мс 20 мс и длина волны = 0,4 см. В глубоко подпороговых условиях в свободном пространстве в воздухе атмосферного давления плазменный столб длиной L = 50 см возбуждался микроволновым пучком, формируемым квазиоптической системой зеркал. При применении гиротрона с указанными параметрами принципиально возможна генерация плазменного столба, достигающего нескольких метров в длину. Исследованы параметры и структура плазменного образования, позволяющие отнести его к категории открытого и ранее описанного в ИОФ РАН СНС самоподдерживающегося– несамостоятельного разряда. В качестве одного из возможных актуальных приложений разряда рассматривается плазмохимическая очистка городской воздушной среды от экологически опасных примесей.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400