Рассмотрена двойная гетероструктура на основе прямозонных полупроводников со средним слоем фотопоглощения при напряжении лавинного пробоя. Такие структуры используются при создании лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения и умножения (ЛФД с РОПУ). Показано, что при расчете предельно возможных характеристик ЛФД с РОПУ даже в слое поглощения необходимо учитывать ударную генерацию электронно-дырочных в пар, причем это можно выполнить аналитически.
We consider double-heterostructure based on direct band semiconductors under avalanche breakdown voltage. Structures like these are used to fabricate avalanche heterophotodiodes (AHPD) with separate absorption and multiplication (SAM) regions (SAM AHPD). It is shown, that calculation of threshold performance of SAM AHPDs requires also accounting for impact ionization of electronhole pairs in light absorption layer (absorber), and accounting can be done analytically.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 30487436