Проведено исследование профилей концентрации и оптических констант ионноимплантированных пленок соединений халькогенидов элементов первой группы. Основными параметрами, определяющими относительные пробеги частиц в пленке материалов, являются атомный номер и масса бомбардирующих частиц и атомов мишени. Оптические константы облученных поверхностей пленок соединений халькогенидов элементов первой группы изменяются по сравнению с исходными значениями, причем их изменения тем больше, чем выше доза облучения и чем тяжелее внедряемые ионы. Минимальная доза, необходимая для изменения оптических констант, с уменьшением массы иона увеличивается, показатель преломления увеличивается, коэффициент экстинкции уменьшается. Показано, что максимум концентрационного профиля ионно-имплантированной примеси смещается к поверхности с увеличением порядкового номера и атомного веса внедренного иона. Профили концентрации по глубине хорошо согласуются с теоретическими выводами о положении и распределении имплантированных ионов.
Проведено сравнение электрофизических и фотоэлектрических параметров малоразмерных многоплощадочных планарных фотодиодов из антимонида индия с кристаллами, изготовленными в рамках единой партии по четырём вариантам технологии: базовой с применением имплантации ионов бериллия и трём другим на основе базовой технологии, отличающимся уменьшенными значениями энергии, дозы имплантации и методом постимплантационного отжига. Показана перспективность применения фотонного отжига в сочетании с измененными режимами имплантации в базовой технологии. Это позволяет уменьшить число технологических операций и исключить применение токсичного моносилана и взрывоопасного водорода при выигрыше характеристик фотодиодов по интегральной токовой чувствительности на ~ 8 % и удельной обнаружительной способности на ~ 4 %.
В работе представлены результаты измерения вольтамперных характеристик (ВАХ) мезаэлементов матриц формата 320256 с шагом 30 мкм p–i–n-диодов. Данные образцы сформированы ионно-лучевым травлением на основе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) AlxGa1-xN, изготовленных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС). Использованы также тестовые образцы мезадиодов различных по диаметру размеров, изготовленных на основе ГЭС, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией и сформированных травлением p+- и iслоёв в высокоплотной плазме BCl3/Ar/N2. Представлены типичные ВАХ p–i–n-диодов на основе ГЭС, полученных разными методами выращивания и формирования мезы. Полученные результаты могут свидетельствовать о высокой плотности дефектов роста эпитаксиальной структуры по площади пластин, изготовленных методом МЛЭ.