Механизм формирования эпитаксиальных пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством, получаемых термовакуумным напылением в среде водорода (2021)

Представлены результаты получения эпитаксиальных пленок теллура на подложках из слюды (мусковит) методом термического испарения Те в среде водорода. Образование молекул Н2Te в зоне тигля, их диффузия в зону подложки и термализация с ростовой поверхностью за счёт высокой теплопроводности водорода, диссоциативная ад-сорбция Н2Te на поверхности с последующей десорбцией H2 и накоплением атомарного теллура (Те) являются ключевыми особенностями процесса кристаллизации пленки на всех ее стадиях. Атомарный теллур способствует зарождению и ро-сту жидкокапельных ориентированных зародышей при температурах подложки близких к температуре плавления теллура (450 оС). На стадии коалесценции жидко-фазных островков формируется «мозаика» островковой фазы, состоящая из пустот разных размеров, ограниченных кристаллографическими гранями. После формирования сплошной пленки начинается стадия автоэпитаксиального роста пленки, также реализуемая по островковому механизму пар-жидкость-кристалл (ПЖК-механизм). По структурному совершенству, полученные пленки и слои Те превосходят объемные монокристаллы и могут найти применение для изготовления приборных структур в области микро-, опто-, акустоэлектроники.

The work is devoted to studying a new methodology for epitaxial films preparation on the mica (muscovite) plates and based on carrying out the tellurium vapor-deposition process in the pure hydrogen environment. The formation of Н2Te molecules during reaction of H2 with solid Te in the hot zone, diffusion of Н2Te towards the cold surface with efficient thermalization due to high thermal conductivity of H2, Н2Te dissociative adsorption on the growth surface followed by H2 desorption and atomic Te accumulation are considered as key steps of crystalline epitaxial films formation. Atomic Te assists the appearance and growth of directional liquid nucleuses at cold plate temperatures near Te melting point (about 450C). During coalescence of these liquid nucleuses the gradual formation of a liquid film is observed with a mosaic of voids of various size. After continuous liquid sheet formation, auto-epitaxial film growth begins also taking place according to vapor-liquid-crystal process described. The structural perfection of films formed is closed to three-dimensional monocrystalline samples. As a result, Te films with such characteristics may be put to use in various branches of micro-, opto-, acoustoelectronics.

Тип: Статья
Автор (ы): Рабаданов Муртазали Хулатаевич
Соавтор (ы): Исмаилов Абубакр (Абакар) Магомедович, Шапиев Ибрагим Магомедович, Кузьмин Андрей Олегович

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
539.234. испарением и конденсацией
eLIBRARY ID
44833482
Текстовый фрагмент статьи