Температурные зависимости электрофизических свойств твердого раствора Si1-xSnx (0 x 0,04) (2021)
Исследованы вольт-амперные характеристики p-Si–n-Si1-xSnx (0 x 0,04) структур, в температурном диапазоне от 293 до 453 К. Определено, что начальные участки пря-мых ветвей ВАХ при всех температурах описываются экспоненциальной зависимостью тока от напряжения, а затем следует квадратичный участок, который описывается дрейфовым механизмом переноса носителей в режиме омической релаксации объемного заряда. Были определены энергии активации двух глубоких уровней со значениями 0,21 эВ и 0,35 эВ, которые приписываются междоузельным атомам Sn и А-центрам, соответственно. Обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), полученных на кремниевых подложках, в качестве активного материала при изготовлении инжекционных диодов.
The current-voltage characteristics of p-Si–n-Si1-xSnx (0 x 0.04) structures have been studied in the temperature range from 293 to 453 K. It was determined that the initial sections of the direct branches of the I–V characteristic at all temperatures are described by the exponential dependence of the current on the voltage, and then a quadratic section follows, which is described by the drift mechanism of carrier transfer in the regime of ohmic relaxation of the space charge. We determined the activation energies of two deep levels with values of 0.21 eV and 0.35 eV, which are assigned to interstitial Sn atoms and A-centers, respectively. The prospect of using solid solutions Si1-xSnx (0 x 0.04), obtained on silicon substrates, as an active material in the manufacture of injection diodes is substantiated.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 44833484
Полагаясь на полученные результаты можно установить, что перенос тока в p-Si–nSi1-xSnx (0 x 0,04) структуре с толщиной эпитаксиального n-Si1-xSnx слоя d = 20 мкм при малых напряжениях в диапазоне от 0,02 В до 0,08 В описывается диффузионным механизмом, а его зависимость от напряжения при этом подчиняется экспоненциальному закону – с параметрами J0 = 41 мкA/cм2 и c = 2,78, а при больших напряжениях в диапазоне от 1,8 В до 2,6 В, перенос тока описывается дрейфовым механизмом в режиме омической релаксации объемного заряда и имеет место квадратичная за-висимость вида с параметрами pp = 3,6210-5 см2/В, n = 538 см2/(В с) и Nd = 31010 см-3 при комнатной температуре.
А так же, проведенные исследования температурной зависимости ВАХ дали возможность установить, что при выращивании твердого раствора n-Si1-xSnx (0 x 0,04) на p-Si-подложке формируется p-n-n+-структура с высокоомным компенсированным n-слоем, одновременно с этим основным механизмом рассеяния является рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Интерпретация результатов проведенных исследований, дали также возможность определить два уровня активации удельной проводимости исследуемого твердого раствора, одним из которых является уровень А-центров (с концентрацией NA 2,41011 см-3), а второй, по-видимому, обусловлен ионизованными межузельными атомами олова (NSn+ 31010 см-3).
Изученные нами эпитаксиальные пленки твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), полученные на кремниевых подложках, могут быть использованы в качестве активного элемента при разработке инжекционных диодов. А структуры, полученные на их основе и описание механизмов протекающих в них электрофизических процессов, как в теоретическом, так и в практическом аспекте проявляет интерес для полупроводниковой микроэлектроники.
Список литературы
- Сапаев Б., Саидов А. С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 22. С. 88.
- Саидов А. С., Усмонов Ш. Н., Каланов М., Мадаминов X. M. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 17. С. 104.
- Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М. // Вест-ник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2020. Т. 91. Вып. 4. С. 58.
- Leiderman A. Y., Stelmakh V. G., Sadykov M. // Applied Solar Energy. 2008. Vol. 44. P. 276.
- Usmonov S. N., Mirsagatov S. A., Leyderman A. Y. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. P. 313.
- Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупро-водниках. – М.: Сов. радио, 1978.
- Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.: Энергияатомиздат, 1985.
- Shockley W., Read W. // Phys. Rev. 1952. Vol. 87. № 5. Р. 835.
- Яскин А. С., Махро И. Г., Агеева Е. Т., Левит Д. И. Физика твердого тела, атома и атомного ядра: Лабораторный практикум. – Братск: БрГУ, 2008.
- Sheng S. L. Semiconductor Physical Electronics. Second Edition. – Springer, 2006.
- Мадаминов Х. М. // Прикладная физика. 2020. № 5. С. 80.
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. – М.: Мир, 1973.
- B. Sapayev and A. S. Saidov, Technical Physics Letters 29, 88 (2003).
- A. S. Saidov, Sh. N. Usmonov, M. U. Kalanov, and Kh. M. Madaminov, Technical Physics Letters 36, 827 (2010).
- S. Z. Zainabidinov and Kh. M. Madaminov, Herald of Bauman MSTU, Series Natural Sciences 91, 58 (2020).
- A. Y. Leiderman, V. G. Stelmakh, and M. Sadykov, Applied Solar Energy 44, 276 (2008).
- S. N. Usmonov, S. A. Mirsagatov, and A. Y. Leyderman, Semiconductors 44, 313 (2010).
- E. I. Adirovich, P. M. Karageorgi-Alkalayev, and A. Yu. Leiderman, Dual injection currents in semiconductors. (Sovetskoe radio, Moscow, 1978) [in Russian].
- K. V. Shalimova, Semiconductor physics. (Energiyaatomizdat, Moscow, 1985) [in Russian].
- W. Shockley and W. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
- A. S. Yaskin, I. G. Mahro, E. T. Ageeva, and D. I. Levit, Solid State Physics, Atom and Atomic Nucleus: Laboratory Workshop. (BrSU, Bratsk, 2008) [in Russian].
- S. L. Sheng, Semiconductor Physical Electronics. Second Edition. (Springer, 2006).
- Kh. M. Madaminov, Applied Physics, No. 5, 80 (2020) [in Russian].
- M. Lampert and P. Mark, Injection currents in solid state. (Mir, Moscow, 1973) [in Russian].
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Чернов Н. Н., Палий А. В., Саенко А. В., Кравчук Д. А., Чернега Ю. Г., Маевский А. М.
Численное исследование аэродинамических характеристик осесимметричного профиля с целью его оптимизации 5
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Кондратенко В. С., Мальцев П. П., Редькин С. В.
Лазерное плазмохимическое травление материалов электронной техники на примере алмаза и сапфира 12
Суров О. В., Воронова М. И., Титов В. А., Захаров А. Г.
Исследование возможности получения нанокристаллической целлюлозы в одностадийном плазмохимическом процессе 17
Швыдкий Г. В., Задириев И. И., Кралькина Е. А., Вавилин К. В.
Влияние внешней электрической цепи на параметры плазмы в канале высокочастотного ускорителя с замкнутым дрейфом электронов 24
Гавриш С. В., Кугушев Д. Н.
Влияние на характеристики плазмы собственного отраженного излучения газоразрядной лампы 31
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Каторов А. С., Ревазов В. О., Якубов Р. Х.
Некоторые результаты применения зондовой методики для исследования лазерной плазмы при интенсивности излучения на мишени 109 Вт/см2 39
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Кульчицкий Н. А.
Нелинейно-оптическая диагностика кристаллической структуры полупроводниковых пленок при молекулярно-лучевой эпитаксии 44
Рабаданов М. Р., Шапиев И. М., Кузьмин А. О., Исмаилов А. М.
Механизм формирования эпитаксиальных пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством, получаемых термовакуумным напылением в среде водорода 50
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
Метод расчета коэффициентов мощности излучения черных и серых тел, соизмеримых по размерам с излучаемыми длинами волн 57
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Мадаминов Х. М.
Температурные зависимости электрофизических свойств твердого раствора Si1-xSnx (0 x 0,04) 63
Скрябин А. С., Цыганков П. А., Веснин В. Р.
Создание бислойных биокерамических покрытий на поверхности титанового сплава Ti-6Al-4V 69
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Варюхин А. Н., Гордин М. В., Дутов А. В., Мошкунов С. И., Хомич В. Ю., Шершунова Е. А.
Мощный импульсный преобразователь постоянного тока на карбид-кремниевых транзисторах 75
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
Chernov N. N., Palii A. V., Sayenko A. V., Kravchuk D. A., Chernega Y. G., and Maevskiy A. M.
Numerical study of the aerodynamic characteristics of an axisymmetric profile of an optimized shape 5
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Kondratenko V. S., Maltsev P. P., and Rеdkin S. V.
Laser plasma etching of electronic materials on the example of diamond and sapphire 12
Surov O. V., Voronova M. I., Titov V. A., and Zakharov A. G.
Study of the possibility of obtaining nanocrystalline cellulose in a single stage plasma chemical process 17
Shvydky G. V., Zadiriev I. I., Kralkina E. A., and Vavilin K. V.
Influence of an external circuit on the plasma parameters in the channel of the radio-frequency accelerator with a closed electron drift 24
Gavrish S. V. and Kugushev D. N.
Influence of self-reflected radiation on plasma characteristics gasdischarge lamp
31
Davydov S. G., Dolgov A. N., Katorov A. S., Revazov V. O., and Yakubov R. Kh.
Some results of probe method application for laser plasma investigating with intensity of radiation on the target 109 W/cm2 39
PHOTOELECTRONICS
Kulchitsky N. A.
Nonlinear optical diagnostics crystal structure of semiconductor films in molecular beam epitaxy 44
Rabadanov M. R., Shapiev I. M., Kuzmin A. O., and Ismailov A. M.
The process of preparation of tellurium epitaxial films and layers with high structural perfection during vapor-deposition process in the pure hydrogen environment 50
Sviridov A. N. and Saginov L. D.
A method for calculating the radiation power coefficients of black and gray bodies with dimensions commensurable with the radiated wavelengths 57
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Madaminov Kh. M.
Temperature dependences of the elektrophysical properties of the solid solution Si1-xSnx (0 x 0.04) 63
Skriabin A. S., Tsygankov P. A., and Vesnin V. R.
Manufacturing of bilayer bioceramic coatings on surface of titanium alloy Ti-6Al-4V 69
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Varyukhin A. N., Gordin M. V., Dutov A. V., Moshkunov S. I., Khomich V. Yu., and Shershunova E. A.
Powerful switching DC/DC converter on silicon carbide transistors 75
Другие статьи выпуска
Описан принцип работы мощного понижающего преобразователя напряжения мощностью 16 кВт для использования в составе силовой установки гибридных летательных аппаратов. Преобразователь работает в диапазоне входных напряжений 1000–1300 В и диапазоне выходных 800–1000 В с ограничением по току в 20 А. Коэффициент полезного действия созданного преобразователя составляет около 99 %.
В работе обсуждаются некоторые свойства биокерамических бислойных покрытий на поверхностях титанового сплава Ti-6Al-4V, полученных путем микродугового ок-сидирования и последующего детонационного напыления кальций фосфатных (Ca-P) покрытий на основе гидроксиапатита. Получены двухслойные системы: слой TiO2 на подложке (толщиной покрытия 2–3 мкм) и последующий Ca-P слой (толщиной до 100–150 мкм). Данные покрытия были исследованы методами электронной микро-скопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа. В составе обнаружены только биосовместимые фазы – анатаз, гидроксиапатит и трикальций фосфат. При этом никаких цитотоксических компонентов не зарегистрировано. Стехиометрическое соотношение составляло Ca/P 1,56–1,86. Сделано заключение о перспективности предложенной комплексной технологии нанесения бислойных керамик на титановые импланты.
Предложена методика и выполнены расчеты зависимостей коэффициента излучения абсолютно черного тела (АЧТ) от размеров диафрагм излучающего отверстия, для гипотетических случаев, когда размеры диафрагм соизмеримы с излучаемыми длинами волн, а диафрагмы изготовлены из непрозрачного для излучения диэлектрика. Определена величина длины волны «отсечки» λ = 1,772 × A для квадратного отверстия диафрагмы, где A – сторона квадрата и λ = 1,571× D для круглого отверстия, где D – диаметр отверстия, т. е. показано, что тело не может излучать длины волн λ большие, чем 1,772 × A в случае квадратного отверстия и 1,571 × D в случае круглого отверстия. Показано, что если «отсеченные» длины волн вносили сколько-нибудь заметный вклад в интегральное излучение АЧТ с температурой Т при стандартных диаметрах диафрагм (т.е. при диаметрах много больших излучаемых длин волн), то коэффициент излучения этого тела становится меньше единицы и быстро уменьшается при размерах диафрагм, соизмеримых с λ. В этих случаях, подобное тело перестает быть абсолютно черным телом и для расчетов мощности его излучения нельзя применять законы Планка и Стефана–Больцмана, но можно использовать методику, предложенную в этой работе.
Представлены результаты получения эпитаксиальных пленок теллура на подложках из слюды (мусковит) методом термического испарения Те в среде водорода. Образование молекул Н2Te в зоне тигля, их диффузия в зону подложки и термализация с ростовой поверхностью за счёт высокой теплопроводности водорода, диссоциативная ад-сорбция Н2Te на поверхности с последующей десорбцией H2 и накоплением атомарного теллура (Те) являются ключевыми особенностями процесса кристаллизации пленки на всех ее стадиях. Атомарный теллур способствует зарождению и ро-сту жидкокапельных ориентированных зародышей при температурах подложки близких к температуре плавления теллура (450 оС). На стадии коалесценции жидко-фазных островков формируется «мозаика» островковой фазы, состоящая из пустот разных размеров, ограниченных кристаллографическими гранями. После формирования сплошной пленки начинается стадия автоэпитаксиального роста пленки, также реализуемая по островковому механизму пар-жидкость-кристалл (ПЖК-механизм). По структурному совершенству, полученные пленки и слои Те превосходят объемные монокристаллы и могут найти применение для изготовления приборных структур в области микро-, опто-, акустоэлектроники.
Представлен конструктивно простой и достаточно универсальный метод диагностики структурного совершенства полупроводниковых пленок в процессе их синтеза в установке МЛЭ по генерации второй гармоники (ВГ) с использованием импульсно-периодического YAG:Nd лазера.
Зафиксировано появление трех групп заряженных частиц при воздействии импульса лазерного излучения оптического диапазона с интенсивностью 109 Вт/см2 на металлическую мишень в среде разреженного газа. Показана возможность использования ленгмюровского зонда для диагностики плазменных процессов с наносекундным временным разрешением.
Исследовано влияние на параметры разряда в цезий – ртуть – ксеноновой парогазовой смеси возвращенного обратно в плазму собственного излучения газоразрядной лампы. Изучены трансформация спектра излучения, формирование плазменного канала при достижении квазистационарной стадии. В результате исследования самообращения резонансной линии цезия доказана определяющая роль роста давления паров плазмообразующей среды на изменение характеристик плазмы.
Экспериментально исследовано аксиальное распределение потенциала плазмы, концентрации и температуры электронов в ВЧ емкостном источнике плазмы, имеющем геометрию ускорителя с замкнутым дрейфом электронов. Рассмотрены два случая организации внешней электрической цепи разряда. В первом случае электроды замыкались по постоянному току, во втором – размыкались. Показано, что замыкание электродов по постоянному току приводит к существенному росту потенциала плазмы и концентрации электронов. Вблизи электродов в ряде случаев наблюдаются локальные максимумы температуры и плотности плазмы, которые могут быть связаны с возникновением азимутального дрейфа электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях.
Экспериментально исследована возможность получения нанокристаллической целлюлозы (НКЦ) путем газоразрядной обработки водных суспензий микрокристаллической целлюлозы или фильтровальной бумаги. Для обработки использовали разряд постоянного тока при атмосферном давлении с водным катодом при токе разряда 35 мА и напряжении горения 1500 В. Найдено, что плазмохимическая обработка цел-люлозосодержащего материала в воде без использования других реагентов приводит к выделению НКЦ с относительно большими размерами частиц и небольшим поверхностным зарядом.
В работе рассмотрены вопросы лазерного плазмохимического травления материалов электронной техники на примере разделения пластин алмаза и сапфира на кристаллы. В основе разработанного метода лежит физическое явление – оптический пробой в специально подобранных газовых средах, в которых поджигается плазма и производится плазмохимическое травление материалов подложек (пластин) с образованием летучих продуктов химических реакций и их эвакуацией с помощью вакуумной системы. Работы проводились в диапазоне рабочих давлений 110-3–110-1 Торр. В качестве рабочих сред использовались фторидные системы: (SF6 + O2; CClF3 + O2; F2 и т. д.), чистый кислород (О2) и водород (Н2). Обе системы – фторидная и кислородная «работают» хорошо для алмаза. Водородная система предпочтительна для сапфира.
На сегодняшний день одной из важных и актуальных задач науки аэродинамики является исследование и оптимизация аэродинамических характеристик форм тел в потоке газа. Данная проблема возникает при проектировании летательных аппаратов и различных судов и связана с рациональным выбором формы профиля по большому количеству различных характеристик и, в частности, по величине аэродинамического сопротивления.
В данной работе описываются методы оптимизации осесимметричного аэродинамического профиля в стационарном ламинарном невязком потоке газа под различны-ми углами атаки. Предлагаемый метод решения подобной проблемы оптимизации и численного исследования аэродинамических характеристик описанного тела в потоке является актуальным ввиду сложности ее решения, например, традиционными методами на основе системы дифференциальных уравнений Навье-Стокса. Экспериментальные методы имеют своей основой дорогостоящие и затратные по времени инструменты, не гарантирующие нахождение оптимума. Такой вычислительный инструмент, например, как Ansys Fluent хорошо приспособлен для решения подобных задач гидроаэродинамики и позволяет не только ускорить и удешевить процесс проведения вычислительного эксперимента, но и повысить эффективность его проведения.
В статье описывается процесс поиска оптимума, сводящийся к минимизации лобового сопротивления ранее описанного нами осесимметричного профиля. Также приводится описание параметризации геометрии профиля крыла и его анализ посредством предлагаемого программного комплекса.
Результатом проведенного численного исследования является полученное описание аэродинамических характеристик оптимизированной формы профиля для различных скоростей потока газа.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400