SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 301
  • Журналы 10
  • Организации 5
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги 1
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Яковлева Наталья Ивановна YAkovleva Natalya Ivanovna

Статусы
Автор
ОНП
гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs, темновой ток, CdHgTe, HgCdTe, КРТ
SciID
0000066430
РИНЦ Author ID
602076
Город
Москва
Заходила
показать
Подробнее
Работы
38
Библиотека
18
Блог
0
Конференции
0
Группы
0
Контакты
0
Работы Яковлевой Н. И.: новые поступления
Исследование фотодиодных лавинных элементов матричных фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs
Статья
Исследование фотодиодных лавинных элемен…
Аналитическая модель МФПУ для коротковолнового диапазона ИК-спектра 0,9—1,7 мкм
Статья
Аналитическая модель МФПУ для коротковол…
Экспериментальные исследования и расчеты спектральной зависимости коэффициента поглощения в однослойных эпитаксиальных структурах HgCdTe
Статья
Экспериментальные исследования и расчеты…
Анализ оптических параметров эпитаксиальных слоев и многослойных гетероструктур на основе InGaAsP/InP
Статья
Анализ оптических параметров эпитаксиаль…
Исследование темновых токов в мезаструктурных матрицах на основе InGaAs
Статья
Исследование темновых токов в мезаструкт…
Процессы рекомбинации и анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых структурах CdHgTe
Статья
Процессы рекомбинации и анализ времени ж…
 
Ещё ...
Библиотека Яковлевой Н. И.: новые поступления
Процессы рекомбинации и анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых структурах CdHgTe
Статья
Процессы рекомбинации и анализ времени ж…
Быстродействующие матрицы фотодиодов на основе двойных гетероструктур InGaAs–InGaAlAs–InAlAs и их характеристики
Статья
Быстродействующие матрицы фотодиодов на …
Анализ времени жизни неосновных носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах для ИК-области спектра
Статья
Анализ времени жизни неосновных носителе…
Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs
Статья
Лавинный матричный фотомодуль формата 32…
Матричные лавинные фотодиоды на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InAlAs/InP с разделенными областями поглощения и умножения
Статья
Матричные лавинные фотодиоды на основе г…
Исследование свойств фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs, предназначенных для формирователей 3D-изображений
Статья
Исследование свойств фотоприемных устрой…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.