SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 529
  • Журналы 11
  • Организации 3
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Яковлева Наталья Ивановна

Автор
Город
Москва
SciID
0000066430
РИНЦ Author ID
602076
ОНП
темновой ток, HgCdTe, гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs, зона бриллюэна, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
Заходила
показать
ОНП
темновой ток, HgCdTe, гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs, зона бриллюэна, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
27
работы
17
библиотека
0
блог
0
конференции
0
группы
0
контакты
Работы Яковлевой Н. И.: новые поступления
Влияние процессов рекомбинации на ВАХ фотодиодов, изготовленных в гетероэпитаксиальных структурах КРТ
Статья
Влияние процессов рекомбинации на ВАХ фо…
Исследование влияния зонной структуры на диэлектрическую проницаемость эпитаксиальных слоев соединений AIIIBV
Статья
Исследование влияния зонной структуры на…
Быстродействующие матрицы фотодиодов на основе двойных гетероструктур InGaAs–InGaAlAs–InAlAs и их характеристики
Статья
Быстродействующие матрицы фотодиодов на …
Анализ времени жизни неосновных носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах для ИК-области спектра
Статья
Анализ времени жизни неосновных носителе…
Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs
Статья
Лавинный матричный фотомодуль формата 32…
Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и InGaAsP
Статья
Модель показателя преломления эпитаксиал…
 
Ещё ...
Библиотека Яковлевой Н. И.: новые поступления
Быстродействующие матрицы фотодиодов на основе двойных гетероструктур InGaAs–InGaAlAs–InAlAs и их характеристики
Статья
Быстродействующие матрицы фотодиодов на …
Анализ времени жизни неосновных носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах для ИК-области спектра
Статья
Анализ времени жизни неосновных носителе…
Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs
Статья
Лавинный матричный фотомодуль формата 32…
Матричные лавинные фотодиоды на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InAlAs/InP с разделенными областями поглощения и умножения
Статья
Матричные лавинные фотодиоды на основе г…
Исследование свойств фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs, предназначенных для формирователей 3D-изображений
Статья
Исследование свойств фотоприемных устрой…
Особенности спектральных зависимостей поглощения в структурах А3В5 и А2В6
Статья
Особенности спектральных зависимостей по…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.