Статья: Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs

Проведено исследование лавинного матричного фотомодуля формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs на спектральный диапазон 0,9—1,7 мкм и барьерным слоем InAlAs. Матрица лавинных фотодиодов формата 320×256 элементов изготавливалась в nBp-наногетероструктуре по мезатехнологии. Измерены количество неработоспособных элементов, зависимость темнового тока от напряжения смещения и коэффициент лавинного усиления.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2015
Автор(ы)
Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В., Лопухин А. А., Коротаев Е. Д.
Каталог SCI
Физика