SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 466
  • Журналы 9
  • Организации 4
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги 1
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Пономаренко Владимир Павлович Ponomarenko Vladimir Pavlovich

Статусы
Автор
ОНП
фотосенсор, химия, коллоидные квантовые точки, графен, ККТ, лиганд
SciID
0000000203
SPIN-код
6882-8721
Город
Москва
Заходил
показать
Подробнее
Работы
20
Библиотека
6
Блог
0
Конференции
0
Группы
0
Контакты
0
Работы Пономаренко В.: новые поступления
Твердотельная фотоэлектроника ультрафиолетового диапазона (обзор)
Статья
Твердотельная фотоэлектроника ультрафиол…
Твердотельная фотоэлектроника. Современное состояние и прогноз развития. (обзор к 50-летию факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института)
Статья
Твердотельная фотоэлектроника. Современн…
Сравнительный анализ методов измерения параметров ФПУ с режимом ВЗН
Статья
Сравнительный анализ методов измерения п…
Анализ оптических параметров эпитаксиальных слоев и многослойных гетероструктур на основе InGaAsP/InP
Статья
Анализ оптических параметров эпитаксиаль…
Капсуляция фоторезистивных структур на основе коллоидных квантовых точек HgTe методом атомно-слоевого осаждения
Статья
Капсуляция фоторезистивных структур на о…
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор)
Статья
Фото- и наноэлектроника на основе двумер…
 
Ещё ...
Библиотека Пономаренко В.: новые поступления
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор)
Статья
Фото- и наноэлектроника на основе двумер…
Неохлаждаемый матричный фотосенсор 640512 с расширенной областью чувствительности 0,4–2,0 мкм на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS cо слоем из p-NiOx, блокирующим электроны
Статья
Неохлаждаемый матричный фотосенсор 6405…
Неохлаждаемый матричный фотосенсор 640512 для области спектра 0,4–2,0 мкм из коллоидных квантовых точек ККТ PbS с транспортным слоем для дырок на основе ККТ p-PbS-EDT
Статья
Неохлаждаемый матричный фотосенсор 6405…
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор). (Часть I. 2D-материалы: свойства и синтез)
Статья
Фото- и наноэлектроника на основе двумер…
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор) (Часть II. 2D-нанотранзисторы)
Статья
Фото- и наноэлектроника на основе двумер…
Фотоэлектроника на основе квазинульмерных структур (обзор)
Статья
Фотоэлектроника на основе квазинульмерны…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.