Мы оцениваем энергию основного состояния смещенной кулоновской примеси в асимметричной гауссовой квантовой точке GaAs в постоянном магнитном поле. Используя унитарное преобразование, мы учитываем комбинированный эффект взаимодействий Рашбы и Дрессельхауса, рассматривая члены связи до квадратичного порядка. Затем мы рассматриваем преобразованный гамильтониан, используя вариационный подход с подходящей анзац-формой. Результаты показывают, что энергия основного состояния увеличивается с увеличением расстояния примеси от центра ограничения и с увеличением асимметрии потенциала. Наконец, мы исследуем, как асимметрия в гауссовом ограничении влияет на магнитный момент и восприимчивость примеси.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика
Quantum dot (QD) systems have attracted significant interest due to their applications in semiconductor technology and their ability to probe quantum phenomena at the nanoscale [1–10]. Their discrete energy spectrum and strong confinement lead to a range of novel physical properties, as demonstrated in numerous studies [11–29]. In realistic systems, the presence of impurities is unavoidable, making their influence on the QD properties particularly important. In this regard, two key aspects are of primary interest: the role of impurities on quantum dot characteristics and the modification of impurity states under quantum confinement. Bastard [30] first considered a Coulomb impurity in a quantum well and employed a variational approach to determine its energy spectrum. Following his work, various authors have investigated impurity-related effects in low-dimensional nanostructures. For example, Shaer et al. [31] have examined the influence of a Gaussian impurity on the electrons confined in a lateral QD.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Список литературы
1. Reed M.A. Quantum Dots. Sci. Am., 1993, 268, P. 118.
2. Loss D., Divicenzo D.P. Quantum computation with quantum dots. Phys. Rev. A, 1998, 57, P. 120.
3. Pershin Y.V., Nesteroff J.A., Privman V. Effect of spin-orbit interaction and in-plane magnetic field on the conductance of a quasi-one-dimensional system. Phys. Rev. B, 2004, 69, P. 121306(R).
4. Vaseghi B., Khordad R., Golshan M.M. Dynamical properties of spin and subbands populations in 1D quantum wire. Phys. Stat. Sol. (B), 2006, 243, P. 2772.
5. Zhang S., Liang R., Zhang E., Zhang L., Liu Y. Magnetosubbands of semiconductor quantum wires with Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling. Phys. Rev. B, 2006, 73, P. 155316.
6. Kasapoglu E., Ungan F., Sari H., Sokmen I. Binding energies of donor impurities in modulation-doped GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells under an electric field. Superlatt. Microstr., 2009, 45, P. 618.
7. Khordad R., Khaneghah S.K. Intersubband optical absorption coefficients and refractive index changes in a V-groove quantum wire. Phys. Stat. Sol. (B), 2011, 248, P. 243.
8. Bandyopadhyay S. Physics of Nanostructured Solid State Devices., Springer, Berlin, 2012.
9. Boda A., Chatterjee A. Transition energies and magnetic properties of a neutral donor complex in a Gaussian GaAs quantum dot. Superlatt. Microstr., 2016, 97, P. 268.
10. Saini P., Kalla M., Mukhopadyay S., Chatterjee A., Popov I.Yu. Thermoelectric properties of acorrelated polar single molecular transistor in the presence of a magnetic field and dissipation. Physica E, 2025, 168, P. 116175.
11. Merkt U., Huser J., Wagner M. Energy spectra of two electrons in a harmonic quantum dot. Phys. Rev. B, 1991, 43, P. 7320.
12. Halonen V., Chakraborty T., Pietilainen P., Kasapoglu E., Ungan F., Sari H., Sokmen I. Binding energies of donor impurities in modulation-doped GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells under an electric field. Phys. Rev. E, 1992, 45, P. 5980.
13. Marzin J.Y., Bastard G. Calculation of the energy levels in InAsGaAs quantum dots. Soid State Commun., 1994, 92, P. 437.
14. Oh J.H., Chang K.J., Ihm G., S.J. Lee S.J. Electronic structure of three-dimensional quantum dots in tilted magnetic fields. Phys. Rev. B, 1994, 50, P. 15397.
15. Gu S.W., Guo K.X. Nonlinear optical rectification in the electric-field-biased parabolic quantum dots. Solid State Commun., 1994, 89, P. 1023.
16. Mukhopadhyay S., Chatterjee A. Path-Integral approach for electron-phonon interaction effects in harmonic quantum dots. Int. J. Mod. Phys. B, 1996, 10, P. 2781.
17. Tan W.C., Inkson J.C. Magnetization, persistent currents, and their relation in quantum rings and dots. Phys. Rev. B, 1999, 60, P. 5626.
18. Mukhopdhyay S., Chatterjee A. Polaronic effects in quantum dots. Acta Phys. Pol. B, 2001, 32, P. 473.
19. Voskoboynikov O., Bauga O., Lee C.P., Tretyak O. Magnetic properties of parabolic quantum dots in the presence of the spin-orbit interaction. J. Appl. Phys., 2003, 94, P. 5891.
20. Ralko A., Truong T.T. Exact energy levels and magnetization of two identical planar charged particles in quantum dots. Phys. Lett A, 2004, 323, P. 395.
21. Krishna P.M., Mukhopadhyay S., Chatterjee A., Polaronic effects in asymmetric quantum wire: an all-coupling variational approach. Solid State Commun., 2006, 138, P. 285.
22. Boyacioglu B., Saglam M., Chatterjee A. Two-electron singlet states in semiconductor quantum dots with Gaussian confinement: a singleparameter variational calculation. J. Phys.: Condens. Matter, 2007, 19, P. 456217.
23. Boyacioglu B., Chatterjee A. Persistent current through a semiconductor quantum dot with Gaussian confinement. Physica B, 2012, 407, P. 3535.
24. Boda A., Boyacioglu B., Chatterjee A. Ground state properties of a two-electron system in a three-dimensional GaAs quantum dot with Gaussian confinement in a magnetic field. J. Appl. Phys., 2013, 114, P. 044311.
25. Boda A., Madhusudhan G., Chatterjee A. Effect of external magnetic field on the ground state properties of D- centres in a Gaussian quantum dot. Superlattices and Microstructures, 2014, 71, P. 261.
26. Boda A., Chatterjee A. The binding energy and magnetic susceptibility of an off-centre D0 donor in the presence of a magnetic field in a GaAs quantum dot with Gaussian confinement: An improved treatment. J. Nanosc. Nanotech., 2015, 15, P. 6472.
27. Boda A., Chatterjee A. Transition energies and magnetic properties of a neutral donor complex in a Gaussian GaAs quantum dot. Superlattices and Microstructures, 2016, 97, P. 268.
28. Saini P., Boda A., Chatterjee A. Effect of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interactions on a D0 impurity in a two-dimensional Gaussian GaAs quantum dot in the presence of an external magnetic field. J. Magn. Magn Mater., 2019, 485, P. 407.
29. Saini P., Boda A., Chatterjee A. Spin-orbit interaction effects on a Dcomplex in a GaAs quantum dot in a magnetic field. Micro and Nanostructures, 2023, 174, P. 207487.
30. Bastard G. Hydrogenic impurity states in a quantum well: A simple model. Phys. Rev. B, 1981, 24, P. 4714.
31. Shaer A., Elsaid M.K. Heat Capacity of Two Interacting Electrons in Coupled Double Quantum Dots. Nanosystems: Phys Chem. Math., 2022, 13(3), P. 265.
32. Datta S., Das B. Electronic analog of the electro-optic modulator. Appl. Phys. Lett., 1990, 56, P. 665.
33. Zutic I., Fabian J., Das Sarma S. Spintronics: Fundamentals and applications. Rev. Mod. Phys., 2004, 76, P. 223.
34. Liu J.F., Zhong Z.C., Chen L., Li D., Zhang C., Ma Z. Enhancement of polarization in a spin-orbit coupling quantum wire with a constriction. Phys. Rev. B, 2007, 76, P. 195304.
35. Malet F., Pi M., Barranco M., Serra L. Lipparini E. Exchange-correlation effects on quantum wires with spin-orbit interactions under the influence of in-plane magnetic fields. Phys. Rev. B, 2007, 76, P. 115306.
36. Rashba E.I. Spin-orbit coupling in condensed matter physics. Sov. Phys. Solid State, 1960, 2, P. 1109.
37. Dresselhaus G. Spin-Orbit Coupling Effects in Zinc Blende Structures. Phys. Rev., 1955, 100, P. 580.
38. Winkler R. Spin Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems. Springer, Berlin, 2003.
39. Kurdak C., Biyikli N., Ozgur U., Morkoc H., Litvinov V.I. Weak antilocalization and zero-field electron spin splitting in AlxGa1-xN/AIN/ GaN heterostructures with a polarization-induced two dimensional electron gas. Phys. Rev. B, 2006, 74, P. 113308.
40. Fabian J., Matos-Abiague A., Ertler C., Stano P., Zutic I. Semiconductor Spintronics. Acta Phys. Slovaca, 2007, 57, P. 565.
41. Kumar D. S., Mukhopadhyay S., Chatterjee A. Magnetization and susceptibility of a parabolic InAs quantum dot with electron-electron and spin-orbit interactions in the presence of a magnetic field at finite temperature. J. Mag. Mag. Mat., 2016, 418, P. 169.
42. Johnson N.F., Payne M.C. Exactly solvable model of interacting particles in a quantum dot. Phys. Rev. Lett., 1991, 67, P. 1157.
43. Elsaid M.K., Alia A.A., Shaer A. Rashba spin-orbit interaction effects on thermal and magnetic properties of parabolic GaAs quantum dot in the presence of donor impurity under external electric and magnetic fields. Chin. J. Phys., 2020, 66, P. 335.
44. Li S.S., Xia J.B. Spin-orbit splitting of a hydrogenic donor impurity in GaAs/GaAlAs quantum wells. Appl. Phys. Lett., 2008, 92, P. 022102.
45. Khordad R. Simultaneous effects of electron-electron interactions, Rashba spin-orbit interaction and magnetic field on susceptibility of quantum dots. J. Mag. Mag. Mat., 2018, 449, P. 510.
46. Gisi B., Sakiroglu S., Kasapoglu E., Sari H., Sokmen I. Spin-orbit interaction effects on the optical properties of quantum wires under the influence of in-plane magnetic fields. Superlatt. Microstr., 2015, 86, P. 166.
47. Saini P., Chatterjee A. Confnement shape effect on D0 impurity in a GaAs quantum dot with spin-orbit coupling in a magnetic field. Superlattices and Microstructures., 2020, 146, P. 106641.
48. Saini P., Mukhopadhyay S., Chatterjee S. Spin-orbit interaction effects on binding energy and susceptibility of an off-centre D0 impurity in a Gaussian dot in magnetic field. Physica B, 2021, 617, P. 413099.
49. Mukhopadhyay S., Vidyullatha Ch., Saini P., Malik Z. Effect of electron-phonon interaction on the first excited energy level of a Gaussian GaAs quantum dot. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2025, 16(3), P. 306-310.
50. Yakar Y., Cakir B., Ozmen A. Off-center hydrogenic impurity in spherical quantum dot with parabolic potential. Superlattices. Microst., 2013, 60, P. 389.
51. Mikhaila I.F.I., Ismail I.M.M., El Shafee M.M. Rashba effect in a quantum dot subject to a parabolic confining potential and external fields. Eur. Phys. J. plus., 2022, 137, P. 610.
52. Saini P., Mukhopadhyay S., Chatterjee A. Spin-orbit interaction effect on a hydrogenic D0 centre in a three-dimensional asymmetric Gaussian GaAs quantum dot in a magnetic field. Physica B Condensed Matter, 2023, 665, P. 415033.
53. Aleiner I.L., Fal’ko V.I. Spin-orbit coupling effects on quantum transportin lateral semiconductor dots. Phys.Rev. Lett., 2001, 87, P. 256801.
54. Rodriguez M.V., Puente A., Serra L. Spin switching in semiconductor quantum dots through spin-orbit coupling. Phys. Rev. B, 2002, 66, P. 165302.
55. Kumar D.S., Mukhopadhyay S., Chatterjee A. Effect of Rashba interaction and Coulomb correlation on the ground state energy of a GaAs quantum dot with parabolic confinement. Physica E, 2013, 47, P. 270.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Проведена оценка водяного риформинга глицерина (APR) для получения H2 на Ni/CeO2 (CeNi) катализаторе, полученном путем введения пористого носителя γ-Al2O3 в реакционную смесь в процессе синтеза методом растворного горения. Такой подход позволяет получить катализатор с улучшенным объёмом и средним размером пор, что имеет решающее значение для облегчения диффузии реагентов. В отличие от массивной CeNi системы, присутствие оксида алюминия увеличивает доступность активных наночастиц никеля и улучшает дисперсность оксида церия и никеля. Результаты APR глицерина показывают, что CeNi/γ-Al2O3 обеспечивает большую степень превращения глицерина и выход водорода по сравнению с массивной системой. Примечательно, что уменьшение содержания активного компонента вдвое приводит к 2,3-кратному увеличению активности, которое не зависит от скорости потока исходного сырья и, следовательно, от степени диффузионных ограничений. Полученный в данном исследовании катализатор превзошел известные аналоги по скорости образования H2, сохраняя при этом высокую степень развращения глицерина и селективность по H2.
В данной работе сообщается о синтезе катализаторов 80%Fe-10%Mo/10%Al₂O₃ методом растворного горения с использованием щавелевой кислоты в качестве топлива. Катализаторы были испытаны в реакции разложения метана при 850 °C и 1 атм в течение 6 ч. Синтезированные образцы были охарактеризованы методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии, фотоседиментационного анализа и др. Удельный выход углерода составил от 5,8 до 8,4 г/гкат, а выход водорода - от 1,0 до 1,4 моль/гкат соответственно. Каталитическое разложение метана на Fe-Mo/Al₂O₃ приводило к образованию смеси бамбукоподобных и многостенных углеродных нанотрубок. Было установлено, что наивысший выход МУНТ достигался при соотношении топливо/окислитель, равном 0,022.
Эффективность углеродных наноматериалов для очистки воды от органических красителей была доказана на протяжении последнего десятилетия. Однако проблема промышленного применения углеродных наноматериалов до сих пор не решена. Это связано в первую очередь с высокой стоимостью и низкой производительностью методов синтеза углеродных наноматериалов. В данной статье представлены термодинамические и кинетические данные адсорбции родамина 6G и метиленового синего на малослойном графене. Малослойный графен был получен методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза из целлюлозы. Этот метод является перспективным, недорогим и легкомасштабируемым. Было установлено, что исследуемый малослойный графен обладает высокой адсорбционной способностью по отношению к обоим красителям, причём полученные значения адсорбционной ёмкости превышают показатели большинства изученных углеродных материалов, таких как углеродные нанотрубки или активированный уголь. Для описания термодинамики процесса были использованы наиболее распространённые модели адсорбции. Кинетика процесса описывается уравнением псевдовторого порядка, что довольно часто встречается для графеновых материалов. Предлагаемый механизм адсорбции основан на гидрофобном взаимодействии между адсорбентом и адсорбатом с образованием связей H-π и π-π.
Активированный уголь из косточек фиников является перспективным материалом для энергетических, экологических и каталитических применений благодаря высокому выходу углерода, возобновляемому характеру и регулируемой пористости. В данной статье представлено обширное сравнительное исследование активированного угля (АК), полученного с использованием гидроксида калия, и активированного угля (ЛАУ), обработанного лазером Nd: YAG, оба материала получены из косточек фиников сорта «Иерихон». Комплексный анализ - рентгенодифракционный анализ (XRD), сканирующая электронная микроскопия (SEM), инфракрасная спектроскопия с преобразованием Фурье (FTIR), адсорбция азота (BJH, Horvath-Kawazoe, DFT, DR, DA), метод БЕТ, метод Лангмюра и t-график - показывает значительное улучшение микропористости, мезопористости, площади поверхности и химического состава поверхности ЛАУ. Сравнивая полученные результаты с опубликованными данными, можно отметить единое соответствие между моделями и методами характеризации, что подтверждает эффективность лазерной постобработки как дополнительной стратегии для целенаправленного изменения текстурных и поверхностных свойств активированного угля, полученного из биомассы, и может открыть перспективный путь для дальнейшего развития устойчивых пористых углеродных материалов.
Магнитные скирмионы в синтетических антиферромагнетиках являются перспективными наноразмерными элементами, но их применимость зависит от того, насколько надежно сохраняется и может быть создана записанная пара. Используя сокращенную решеточную модель, мы вычислили пути с минимальным перепадом энергии для коллапса антиферромагнитно связанной пары скирмионов и для обратного зарождения из закрепленного антиферромагнитного референсного состояния. При антиферромагнитно закрепленных границах энергия наибольшего седлового состояния лишь незначительно изменяется с размером островка, в то время как энергия пары скирмионов в начальном минимуме имеет сильно зависящую от размера островка граничную поправку. Для крупных островков коллапс происходит последовательно по слоям и может проходить через промежуточный минимум со скирмионом в одном слое всякий раз, когда это состояние удовлетворяет критерию релаксации. Гораздо больший обратный барьер для нуклеации демонстрирует сильную асимметрию с коллапсом в той же модели закрепленной границы и согласуется с послойной последовательной записью с помощью вспомогательных средств.
Методом молекулярной динамики изучены коэффициенты вязкости гибридных наножидкостей на основе бензола с одностенными углеродными нанотрубками и наночастицами меди. Исследована зависимость вязкости этих наножидкостей от концентрации углеродных нанотрубок и наночастиц, а также от их морфологии. Показано, что вязкость всех исследованных наножидкостей значительно выше, чем у базовой жидкости и обычных крупнодисперсных жидкостей. Коэффициент вязкости наножидкости с углеродными нанотрубками при заданной концентрации увеличивается с увеличением их длины. При одинаковых концентрациях вязкость гибридных наножидкостей значительно превышает вязкость наножидкости с наночастицами или углеродными нанотрубками и увеличивается с уменьшением размера наночастиц. Одним из основных факторов, ответственных за наблюдаемое увеличение вязкости наножидкости, является структурирование молекул базовой жидкости вблизи наночастиц или углеродных нанотрубок.
Используя вариационный метод, мы исследовали температурную зависимость электронной теплопроводности (КЭ) в редкоземельных манганитах, легированных ионами щелочноземельных металлов, которые демонстрируют хорошо известное поведение КМР (кандидомагнитного магнитосопротивления). Анализ основан на двухзонном (Ɩ-b) гамильтониане модели решетки Андерсона, подходящем для режима сильной электронно-решеточной связи Яна-Теллера (ЯТ), согласующемся с двухжидкостными описаниями, включающими (l-b) гибридизацию. Ключевые параметры модели включают кулоновское отталкивание «U», сильную связь Хунда «JH» между спинами eg и t2g и гибридизацию «V» между l-поляронами и d-электронами одного и того же спина. В ферромагнитной металлической фазе расчеты показывают, что КЭ увеличивается с повышением температуры, а вблизи температуры перехода Tc ≈ 400 К наблюдается минимум или провал КЭ при фиксированных значениях «V», «JH» и «x». Результаты, полученные для келина, демонстрируют типичный кристаллический характер, при этом рассеяние на границах зерен является основным механизмом, ограничивающим теплопередачу в этих соединениях.
Вибрационные и оптические свойства монокристаллов HoFe3(BO3)4 были исследованы с помощью рамановской спектроскопии и измерений оптического поглощения. Рамановский спектр, записанный при комнатной температуре, выявляет четко выраженные фононные моды, связанные с колебаниями решетки и внутренними модами структурных единиц. Интенсивные полосы в диапазоне 1200-1450 см-1 приписываются внутренним колебаниям групп BO3, в то время как особенности в области 400-700 см-1 обусловлены октаэдрами FeO6. Спектр оптического поглощения, измеренный в диапазоне 190-1100 нм, демонстрирует слабые узкие полосы в видимой и ближней инфракрасной областях, соответствующие внутри-4f переходам ионов Ho3+, и выраженный край поглощения в ультрафиолетовой области, связанный с переходами переноса заряда O2⁻ → Fe3+. Оптическая ширина запрещенной зоны оценивается в 3,3-3,5 эВ. Установлена корреляция между колебательными и оптическими свойствами, демонстрирующая роль групп BO3 и октаэдров FeO6 в определении электронной структуры и оптического отклика материала. Результаты обеспечивают согласованную экспериментальную характеристику HoFe3(BO3)4 и указывают на его потенциал для оптических и магнитооптических применений.
В данной работе показано, что взаимодействие хлопьев высокоориентированного пиролитического графита и графеновых пленок с алканами является необходимым, но недостаточным условием для наблюдения в них джозефсоновской вольт-амперной характеристики, которая, как известно, присуща всем сверхпроводящим материалам. Другим ключевым фактором является создание деформационного поля в материале на основе графена.
Показано, что характеристики субнанометровых дельта-легированных бором слоёв в химически осаждённых из газовой фазы алмазных плёнках могут быть вычислены в квазиклассическом приближении как в равновесии, так и во внешнем электромагнитном поле, ионизирующем легирующие атомы бора. Найдены соответствующие решения, в первом случае - аналитически, во втором - численно. Использование квазиклассического приближения позволяет существенно упростить математическое моделирование алмазных структур с субнанометровыми дельта-легированными слоями, необходимое для их использования в наноэлектронике, например в быстродействующих полевых транзисторах.
Представлена минимальная 0D кинетическая модель для межфазного заклинивания нанопузырьков, стабилизированных поверхностно-активными веществами. Модель связывает кинетику адсорбции Лангмюра с геометрической концентрацией и механическим равновесием. В плоскости (сродство Лангмюра, скорость десорбции) существует резкая граница заклинивания; коммерческие бутиловые и изобутиловые ксантаты находятся глубоко внутри заклиненной области при типичных дозах флотации (вероятность Монте-Карло 1,00). Энергия гистерезиса составляет от 10-14 до 10-9 Дж, а критическая объемная концентрация для заклинивания колеблется от 8.2 × 10-6 до 0.35 моль·м-3. Граница предсказуемо смещается в зависимости от объемной концентрации, давления и времени цикла, но нечувствительна к модулю оболочки. Подтверждена численная сходимость, а показатель расходимости за один цикл достигает пика при +0.42 с-1 вблизи перехода. Модель представляет собой инструмент прогнозирования для нанопузырьков, стабилизированных поверхностно-активными веществами, в процессах флотации, катализа и биомедицинских наносистем.
В данной работе рассматривается класс возмущенных дифференциальных уравнений второго порядка с запаздыванием вида (η(κ)u′(κ))′ + f1(κ, u(τ (κ))) = f1(κ, u′(κ)). С помощью метода преобразований исследуемое уравнение преобразуется в биномиальное, а затем с использованием преобразования Риккати, теоремы сравнения и метода интегрального усреднения получаются новые критерии осцилляции. Приводятся примеры, демонстрирующие важность и новизну основных результатов.
Мы изучаем двухканальный решеточный гамильтониан в секторе с фиксированным числом частиц на одномерной решетке Z. Модель состоит из молекулярного канала, связанного с бозонным двухчастичным каналом с внутриузловым взаимодействием. В импульсном представлении трансляционная инвариантность дает семейство редуцированных гамильтонианов Hγ,λ(K), параметризованных полным квазиимпульсом K∈T, каждый из которых действует в C⊕L2, e(T). Для контактных взаимодействий каждый редуцированный гамильтониан является возмущением второго ранга свободного диагонального оператора. С помощью метода Липпмана-Швингера задача на собственные значения для энергий вне существенного спектра [Ԑ-K, Ԑ+K] сводится к линейной системе 2×2 и, эквивалентно, к обращению в нуль точного скалярного детерминанта Фредгольма, включающего одномерную решеточную функцию Грина. Сингулярности квадратного корня этой функции Грина на краях зоны Ԑ-K, Ԑ+K определяют пороговую асимптотику определителя и приводят к явным критериям существования собственных значений ниже нижнего порога и выше верхнего порога. Мы получаем полную классификацию дискретного спектра Hγ,λ(K) для всех квазиимпульсов в терминах параметров γ, λ, E0. Мы также анализируем пороговые конфигурации E0=Ԑ+K, исключительную плоскую зону слоя K = π, где существенный спектр схлопывается в одну точку, и пороговые состояния вспомогательного оператора ранга один hλ(K). Для последнего мы приводим описание пороговых резонансов во взвешенном пространстве, поясняя, как собственное значение возникает из порогового резонанса hλ(K) и приближается к краю полосы, когда включается межканальная связь.
Издательство
- Издательство
- ИТМО
- Регион
- Россия, Санкт-Петербург
- Почтовый адрес
- Кронверкский пр., д.49, лит. А, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 197101.
- Юр. адрес
- Кронверкский пр., д.49, лит. А, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 197101.
- ФИО
- Васильев Владимир Николаевич (Ректор)
- E-mail адрес
- od@itmo.ru
- Контактный телефон
- +7 (812) 6070277
- Сайт
- https:/itmo.ru