Статья: Исследования гетероэпитаксиальных структур HgCdTe методами микроскопии высокого разрешения (2012)

Читать онлайн

Методами оптической, растровой, атомно‐силовой и электронно‐ионной микроскопии высокого разрешения исследована морфология поверхности эпитаксиальных слоев теллурида кадмия ртути, выращенных молекулярно‐лучевой эпитаксией. Представлены возможные механизмы образования микропустот и V-дефектов. Проведен сравнительный анализ элементного состава и особенностей формообразования V-дефектов.

Presented are results of study of the HgCdTe epitaxial layers grown on the GaAs substrates by MBE. The scanning atomic force microscopy and high-resolution electron-ion microscopy have been used. The defects of heterostructure surfaces have been obtained such as hillocks, microvoids and V-shaped defects. Hillocks were observed various on a magnitude. Мicrovoids had facetted. V-shaped defects were completely covered with polycrystalline material.

Ключевые фразы: эпитаксиальные слои, КРТ, микропустоты, морфология, v-дефекты, атомно-силовая микроскопия
Автор (ы): Пермикина Елена Вячеславовна (Permikina E. V.), Кашуба Алексей Сергеевич, Ляликов Алексей Владимирович, Коротаев Евгений Дмитриевич, Бурлаков Игорь Дмитриевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Для цитирования:
ПЕРМИКИНА Е. В., КАШУБА А. С., ЛЯЛИКОВ А. В., КОРОТАЕВ Е. Д., БУРЛАКОВ И. Д. ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР HGCDTE МЕТОДАМИ МИКРОСКОПИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2012. №5
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.