Статья: ДИССОЦИАЦИЯ МОЛЕКУЛ ВОДОРОДА В ПРИСУТСТВИИ ЭЛЕКТРООТРИЦАТЕЛЬНЫХ ПРИМЕСЕЙ (1995)

Получены оценки для напряженностей электрических полей, возникающих у планет благодаря перераспределению в них электронов, обусловленному неоднородностью внутренних механических напряжений. Показано, что основные черты электрического поля ясной погоды, электротеллурического поля и поля теллурических токов определяются приливными воздействиями на Землю, без предположения о наличии у нее электрического заряда

Анализируются понятия твердости как свойства материалов и метода твердости как способа механических испытаний. Получены диаграммы вдавливания индентора в упругой и упругопластической областях деформирования материалов при ступенчатом и непрерывном нагружении индентора. Дано обоснование связи характеристик твердости при вдавливании индентора с напряжениями при растяжении образца. Предложены методы оперативной оценки механических свойств материалов по характеристикам твердости. Разработаны переносные приборы для испытаний материалов непосредственно в изделиях и оценке механических свойств без их разрушения

Из бесконечной системы, равномерно распределенных неподвижных одинаковых частиц, выделена подсистема частица-поле. Поле заряженных частиц определяется только электромагнитным взаимодействием зарядов. Движение частицы, обусловленное ее спином, происходит в шаровом слое, так что центр ее массы неподвижен. Внешняя поверхность слоя связана со сферическим потенциалом, складывающимся из дискретных излучений поля частицей и дискретных поглощений ею поля всех других зарядов. Излучение и поглощение происходят мгновенно и совпадают по времени в каждой точке поворота. Трехмерность задачи поворотом координат приводится к случаю одномерного движения частицы в потенциальном ящике. Для решения задачи уравнения для спина и дискретных уровней энергии дополнены уравнением, связывающим энергию, ширину потенциального ящика с квадратом заряда. В результате этого для основного состояния получены средние радиусы, значения потенциала на сферической поверхности и частоты электромагнитного поля электрического заряда для протона и электрона

Дан краткий обзор теоретических работ по линейной теории неустойчивости ленточного релятивистского электронного пучка в плоском резонаторе. Эта неустойчивость известна как вынужденное излучение монотронного типа и до последнего времени было хорошо исследовано для релятивистских пучков. Дается обобщение этой теории на случай релятивистских пучков, которое связано с учетом всех волн плазма-пучковой системы, как нарастающих, так и затухающих. В отличие от нерелятивистских пучков, для которых роль затухающих волн пренебрежимо мала, для релятивистских пучков их учет оказывается существенным и приводит к значительному увеличению эффективности вынужденного излучения. В результате релятивистский монотрон представляется как конкурентоспособный прибор релятивистской СВЧ-злектроники

Рассмотрено развитие запертой моды без каких-либо неустойчивостей в результате одновременного воздействия резонансных возмущений магнитного поля и неоднородного охлаждения. Такой механизм объясняет многие явления в разрядах на токамаке

Представлены аналитические выражения для вероятности отрыва (ионизации) и присоединения (прилипания, рекомбинации) электрона в переменном электрическом поле, создаваемом излучением. Показано, что механизм каждого из возможных переходов электрона между состояниями из дискретного и непрерывного спектров энергии по сути один и тот же, являясь многоквантовым туннельным переходом между состояниями электрона различной физической природы. В силу различия начальных и конечных состояний во взаимно противоположных процессах рассматриваемых переходов электрона их вероятность характеризуется матричными элементами разных частей гамильтониана. Это обстоятельство служит указанием на существование необратимости в явлениях, связанных с формированием ионизованной среды

Получены экспериментальные распределения эффективной концентрации заряженных центров вблизи металлургической границы гетероперерехода n-GaAIAs/p-GaAs после длительной наработки при пропускании прямого тока Обнаружены существенные изменения в распределении концентрации и показана взаимосвязь с изменениями характеристик и параметров излучателей

Представлено состояние и направление отечественных исследований и разработок в области фокусировки и распространения в атмосфере лазерного излучения. В рассмотрение наряду с основными физическими процессами, определяющими эффективность фокусировки мощного излучения, включены также перспективные фокусирующие элементы и устройства, реализованные на базе достижений линейной, нелинейной и адаптивной оптики

Исследован процесс осаждения плазменно-полимеризованных пленок на основе гексаметилдисилоксана в ВЧ-разряде. Методом лазерной интерферометрии измерены скорости осаждения полимера на различных подложках. Изучены ИК-спектры, элементный состав и гидрофильные свойства получаемых пленок

Представлены экспериментальные результаты плазмохимического процесса синтеза ультрадисперсного порошка SiC вместе с последними результатами усовершенствованного, ранее описанного [1] процесса синтеза порошка Si3N4. Обсуждены результаты изучения спекания полученных плазмохимических (ПХ) порошков. Показано, что SiC- и Si3N4-керамику высокого качества можно получить на базе композитных SiC и Si3N4 порошков, представляющих собой смесь ультрадисперсных ПХ-порошков с соответствующими грубыми, низкого качества коммерческим SiC- и Si3N4-порошками с добавкой 10 % (Y2O3 + Al2O3)-порошка

Рассмотрены физико-химические процессы, происходящие при воздействии плазмы тлеющего разряда на поверхности полимерных материалов: травление, окисление, сшивание, разрыв связей с образованием полярных групп, образование полярных групп при взаимодействии с компонентами газовой фазы и прививка тонких полимерных слоев. Показано, что воздействие плазмы приводит к улучшению контактных свойств полимеров, в частности, смачивания и адгезии

Приведены экспериментальные и расчетные данные по параметрам и количественному составу нейтральной и заряженной компонент хлорной плазмы, а также по скоростям термического и плазмохимического травления металлов и полупроводников. Рассмотрены механизмы влияния добавок аргона на скорость травления и возможности эмиссионной спектроскопии для контроля процесса травления. Предложены пути обезвреживания хлора в отходящих газах плазмохимических установок

Дан краткий обзор представленных на симпозиум работ. 2-й Международный симпозиум по теоретической и прикладной плазмо-химии проводился в г. Плесе с 22 по 26 мая 1995 г. Председатель Оргкомитета — д-р физ.-мат. наук Л. С. Полак (ИНХС РАН). Симпозиум организован Ивановской государственной химико-технологической академией (ИГХТА) при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Министерства науки и технической политики РФ, Государственного комитета РФ по высшему образованию, Научного Совета РАН по химии высоких энергий, Института нефтехимического синтеза РАН, Академии инженерных наук РФ, Московского физического общества