Приведены экспериментальные и расчетные данные по параметрам и количественному составу нейтральной и заряженной компонент хлорной плазмы, а также по скоростям термического и плазмохимического травления металлов и полупроводников. Рассмотрены механизмы влияния добавок аргона на скорость травления и возможности эмиссионной спектроскопии для контроля процесса травления. Предложены пути обезвреживания хлора в отходящих газах плазмохимических установок
Experimental and calculated data about chlorine plasma properties, neutral and charged species concentrations, metals and semiconductors etching rates are presented. Тhе ways of argon addition influence оn etching rate behaviour and the аbilitу of optical emission spectroscopy for etching process control were analized. Тhе method for chlorine-containing wasted gases neutralization was proposed
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.