ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Повышение качества 100 мм Ge-подложек при серийном производстве многопереходных фотоэлектрических преобразователей (2026)

Читать

Читать онлайн

Проведены исследования отечественных Ge-подложек диаметром 100 мм и толщиной 140 мкм, что позволило по результатам скорректировать технологический производственный процесс и привело к увеличению эффективности фотопреобразования серийно изготавливаемых с применением метода МОС-гидридной эпитаксии каскадных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge – достигнутый КПД составляет 29 %, что находится на уровне мировых аналогов.

Being a strategic material, germanium finds its application in various high-tech fields, one of which is the production of cascade photovoltaic converters based on A3B5/Ge com-pounds for solar cells of space-based applications, where Ge is used as a substrate and at the same time serves as a narrow-gap subcell. The energy efficiency of such photocon-verters manufactured using the MOCVD method is determined, among other things, by the quality of preparation of the substrate material: crystalline perfection, geometric character-istics, surface roughness and degree of purity of Ge wafers. Improving the listed parameters has a positive effect on obtaining high-quality epitaxial layers and the yield of suitable products. This work is devoted to the research carried out Ge substrates with a diameter of 100 mm and a thickness of 140 microns, which made it possible to adjust the technolo- gical production process based on the results and led to an increase in the efficiency of photoconversion of mass-produced materials using the MOCVD method of cascade solar cells GaInP/GaAs/Ge, achieving an efficiency of 29 %, which corresponds to the world level.

Ключевые фразы: подложки ge, шероховатость поверхности, дефекты поверхности, Солнечные элементы

Автор (ы): Кулаковская Татьяна Владимировна, Топаков Дмитрий Валерьевич, Трофимов Александр Александрович, Косякова Анастасия Михайловна, Гончаров Андрей Евгеньевич, Малыгин Владислав Анатольевич, Гладышева Кристина Анатольевна, Антонова Валерия Евгеньевна , Суханова Анна Сергеевна

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.315.592. Полупроводники

Для цитирования:

КУЛАКОВСКАЯ Т. В., ТОПАКОВ Д. В., ТРОФИМОВ А. А., КОСЯКОВА А. М., ГОНЧАРОВ А. Е., МАЛЫГИН В. А., ГЛАДЫШЕВА К. А., АНТОНОВА В. Е., СУХАНОВА А. С. ПОВЫШЕНИЕ КАЧЕСТВА 100 ММ GE-ПОДЛОЖЕК ПРИ СЕРИЙНОМ ПРОИЗВОДСТВЕ МНОГОПЕРЕХОДНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2026. ТОМ 14, №1

Текстовый фрагмент статьи

Таким образом, в ходе исследования опытных партий полированных Ge-подложек, изготовленных в АО «Германий», установлено высокое кристаллическое совершенство исследуемых образцов, что свидетельствует о качестве производственных процессов выращивания монокристаллов методом Чохральского.

Исходя из данных, полученных на оптическом профилометре и атомно-силовом микроскопе, шероховатость поверхности пластин находится на уровне единиц ангстрем, что является достаточным для проведения эпитаксиальных процессов методами МОС-гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии.

Исследования различными методами микроскопии показали отсутствие царапин и других структурных дефектов на поверхности исследуемых пластин.

Применение результатов исследования полированных пластин при помощи оптического анализатора поверхности для корректирования технологических процессов отмывки пластин обеспечило в настоящее время чистоту поверхности полированных Ge-подложек на уровне мировых аналогов.

Итогом научно-технического сотрудничества и проведенных исследований является повышение технологичности производственных процессов на всех этапах серийного изготовления наукоемкой продукции для солнечных батарей аппаратов космического базирования. Применение результатов исследований для корректировки технологических процессов производства полированных пластин Ge диаметром 100 мм и толщиной 140 мкм, изготовленных в АО «Германий», привело к увеличению эффективности фотопреобразования трехкаскадных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge, изготавливаемых с применением метода МОС-гидридной эпитаксии. Наблюдается стабилизация всех основных электрических параметров солнечных элементов: плотности тока короткого замыкания, напряжения холостого хода. Достигнутое значение КПД составляет около 29 % и приближено к мировому уровню.

Моя история просмотров (3)

01. Статья: ОСОБЕННОСТИ РОМАНТИЧЕСКИХ ЧУВСТВ И УДОВЛЕТВОРЕННОСТИ ПАРТНЕРСКИМИ ОТНОШЕНИЯМИ СТУДЕНЧЕСКОЙ МОЛОДЕЖИ

02. Статья: ПОНЯТИЕ И ВИДЫ АРТ-ТЕХНОЛОГИЙ, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ИЗОБРАЗИТЕЛЬНОМ ТВОРЧЕСТВЕ ДЕТЕЙ МЛАДШЕГО ШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА

03. Статья: Электрические разряды в водородсодержащих газах и жидкостях (обзор)

Список литературы

1. Claeys C., Simoen E. Germanium-based technolo-gies: from materials to devices. – Elsevier Science, 2007.
2. Послание Президента РФ Федеральному Собранию. – Москва, 2024.
3. Распоряжение Правительства РФ от 17.01.2020 № 20-р Об утверждении Стратегии развития электрон-ной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года и плана мероприятий по реализации Стратегии.
4. Коротаев В. В., Мельников Г. С., Михеев С. В., Самков В. М., Солдатов Ю. И. Основы тепловидения. – СПб.: ИТМО, 2012.
5. Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Кузнецов С. А., Пономаренко В. П. / Материалы XXVI Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. – Москва, НПО Орион, 2022.
6. Rogalski A. Infrared Detectors. – USA: CRC Press, 2019.
7. Каплунов И. А., Рогалин В. Е. / Фотоника. 2019. № 1. С. 88–106.
8. Михеев С. В. Основы инфракрасной техники. – СПб: Университет ИТМО, 2017.
9. Кульчицкий Н., Наумов А., Старцев В. / Электроника: наука, технология, бизнес. 2020. № 6 (00197). С. 114–121.
10. Оптико-электронная станция кругового обзора “Феникс” / Военный парад. 2003. № 3 (57).
11. Аношин К. Е., Гасанов А. А., Наумов А. В. / Цветная металлургия. 2016. № 2. С. 67–76.
12. Алферов Ж. И., Андреев В. М., Румянцев В. Д. / Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 8. С. 937–948.
13. Калюжный Н. А., Лантранов В. М., Минтаиров С. А., Емельянов В. М., Шварц М. З., Андреев В. М. / Основные достижения ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. 2012. https://www.ioffe.ru/ru/nauka/rezultaty/dostizheniya/92/
14. Скачков А. Ф., Юрко Г. И. / Перспективные системы и задачи управления: материалы Всероссийской научно-практической конференции. – Ростов-на-Дону: Изд-во ЮФУ, 2015. Т. 2.
15. Спицын В. И., Рябов А. И., Стельмах Н. С., Пирогова Г. Н. / Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1977. № 13 (1). С. 27–33.
16. Fernandez J., Janz S., Suwito D., Oliva E., Dim-roth F. / 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. – USA: San Diego, CA. 2008.
17. Калюжный Н. А., Гудовских А. С., Евстропов В. В., Лантратов В. М., Минтаиров С. А., Тимошина Н. Х., Шварц М. З., Андреев В. М. / Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 11. С. 1568–1576.
18. Наумова А. А., Лебедев А. А., Жалнин Б. В., Слыщенко Е. В., Вагапова Н. Т. / Сибирский журнал науки и технологий. 2018. Т. 19. № 1. С. 137–145.
19. Никифоров А. И., Паханов Н. А., Пчеляков О. П., Латышев А. В. / Вестник Российского университета дружбы народов. Серия: Инженерные исследования. 2024. Т. 25. № 1. С. 52–56.
20. Слыщенко Е. В., Наумова А. А., Лебедев А. А., Генали М. А., Вагапова Н. Т., Жалнин Б. В. / Сибирский журнал науки и технологий. 2018. Т. 19. № 2. С. 308–324.
21. Сигов А. С., Матюхин В. Ф., Редько И. Я. / Тезисы докладов Х Международного конгресса Энергосбережение и энергоэффективность. – С.-Пб, 2021. С. 50–71.
22. Андреев В. М., Баринов В. А., Варфоломеев С. Д., Лачуга Ю. Ф., Матюхин В. Ф., Панченко В. Я., Редько И. Я., Сигов А. С., Стенников В. А. / Вестник РУДН. Серия: Инженерные исследования. 2020. Т. 21. № 4. С. 224–237.
23. Сигов А. С., Матюхин В. Ф. / Тезисы докладов Национальной научно-технической конференции с международным участием «Перспективные материалы и технологии» («ПМТ - 2023»). – М., 2023.
24. Mangum J. S., Rice A. D., Chen J., Chenenko J., Wong E., Braun A. K., Johnston S., Guthrey H., Geisz J. F., Ptak A. J., Packard C. E. / Advanced Energy Materials. 2022. Vol. 12. № 29. Р. 2201332.
25. Hossain J., Moon M. A., Mondal B. K., Halim M. A. / Optics & Laser Technology. 2021. Vol. 143. Р. 107306.
26. Strobl G. F. X., Ebel L., Fuhrman D. / IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). – USA: Den-ver, CO, 2014. P. 3595–3600.
27. Lombardero I., Miyashita N., Ochoa M., Oka-da Y., Algora C. / IEEE 46th Photovoltaic Specialists Con-ference. – USA: Chicago, IL, 2019. ISSN: 0160-8371.
28. Каган М. Б. / Электронные и электромеханические системы и устройства: сб. науч. тр. – Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2016. С. 411–416.
29. Рябцева М. В., Лебедев А. А., Наумова А. А., Болотин А. М., Вагапова Н. Т., Черенков П. Г. / Инженерный журнал: наука и инновации. Электронное науч-но-техническое издание. 2022. № 3 (123).
https://doi.org/10.18698/2308-6033-2022-3-2162
30. Dimroth F., Kurtz S. / MRS Bull. 2007. № 32 (3). Р. 230–235.
31. Rakwal D. / J. materials processing technology. 2009. Vol. 209. № 8. Р. 3740–3751.
32. Алимов О. М., Аношин К. Е., Наумов А. В. / Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18. № 4. С. 240–245.
33. Arickx P., Kurstjens R., Geens W., Dessein K. / E3S Web of Conferences. 2017. Vol. 16 (11). P. 03010.
34. Geens W., Dessein K., Köstler W., Meusel M., Taylor S., Mijlemans P., Strobl G. Seventh European Space Power Conference. – Italy: Stresa, 2005. ISBN: 92-9092-900-6. Vol. 589. Id. 8. 2005ESASP.589E...8G.
35. Wang G., Guan Y., Mei H., Mei D., Yang G., Go-vani J., Khizar M. / Journal of Crystal Growth. 2014. Vol. 393. P. 54–58.
36. Андреев В. М. / Вестник РУДН. Серия: Инженерные исследования. 2020. № 21 (4). С. 271–280.
37. Сизов А. Л., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И., Коротаев Е. Д., Мирофянченко А. Е. / Вестник МИТХТ. 2013. Т. 8. № 5. С. 94–98.

1. Claeys C.and Simoen E. Germanium-based technologies: from materials to devices. Elsevier Science, 2007.
2. Poslanie Prezidenta RF Federal’nomu Sobraniyu, Moskva, 2024 [in Russian].
3. Rasporyazhenie Pravitel’stva RF ot 17.01.2020 № 20-r Ob utverzhdenii Strategii razvitiya elektronnoj promyshlennosti Rossijskoj Federacii na period do 2030 goda i plana meropriyatij po realizacii Strategii [in Russian].
4. Korotaev V. V., Mel’nikov G. S., Miheev S. V., Samkov V. M., and Soldatov Yu. I. Osnovy teplovideniya. SPb.: ITMO, 2012 [in Russian].
5. Burlakov I. D., Boltar’ K. O., Kuznecov S. A., and Ponomarenko V. P. Materialy XXVI Mezhdunarodnoj nauchno-tekhnicheskoj konferencii po fotoelektronike i priboram nochnogo videniya. Moskva, NPO Orion, 2022 [in Russian].
6. Rogalski A. Infrared Detectors. USA: CRC Press, 2019.
7. Kaplunov I. A. and Rogalin V. E., Fotonika, № 1, 88–106 (2019) [in Russian].
8. Miheev S. V. Osnovy infrakrasnoj tekhniki. SPb: Universitet ITMO, 2017 [in Russian].
9. Kul’chickij N., Naumov A., and Starcev V., Elek- tronika: nauka, tekhnologiya, biznes, № 6 (00197), 114–121 (2020) [in Russian].
10. Optiko-elektronnaya stanciya krugovogo obzora “Feniks”, Voennyj parad, № 3 (57) (2003) [in Russian].
11. Anoshin K. E., Gasanov A. A., and Naumov A. V., Cvetnaya metallurgiya, № 2, 67–76 (2016) [in Russian].
12. Alferov Zh. I., Andreev V. M., and Rumyan- cev V. D., Fizika i tekhnika poluprovodnikov 38 (8), 937–948 (2004) [in Russian].
13. Kalyuzhnyj N. A., Lantranov V. M., Mintairov S. A., Emel’yanov V. M., SHvarc M. Z., and Andreev V. M., Osnovnye dostizheniya FTI im. A. F. Ioffe RAN, 2012. https://www.ioffe.ru/ru/nauka/rezultaty/dostizheniya/92/ [in Russian].
14. Skachkov A. F. and YUrko G. I. Perspektivnye sistemy i zadachi upravleniya: materialy Vserossijskoj. nauchno-prakticheskoj konferencii. Rostov-na-Donu: Izd-vo YUFU, 2015, Vol. 2 [in Russian].
15. Spicyn V. I., Ryabov A. I., Stel’mah N. S., and Pirogova G. N., Izvestiya AN SSSR. Neorganicheskie materialy, № 13 (1), 27–33 (1977) [in Russian].
16. Fernandez J., Janz S., Suwito D., Oliva E., and Dimroth F. 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. USA: San Diego, CA, 2008.
17. Kalyuzhnyj N. A., Gudovskih A. S., Evstropov V. V., Lantratov V. M., Mintairov S. A., Timoshina N. H., SHvarc M. Z., and Andreev V. M., Fizika i tekhnika poluprovodnikov 44 (11), 1568–1576 (2010) [in Russian].
18. Naumova A. A., Lebedev A. A., ZHalnin B. V., Slyshchenko E. V., and Vagapova N. T., Sibirskij zhurnal nauki i tekhnologij 19 (1), 137–145 (2018) [in Russian].
19. Nikiforov A. I., Pahanov N. A., Pchelyakov O. P., and Latyshev A. V., Vestnik Rossijskogo universiteta druzhby narodov. Seriya: Inzhenernye issledovaniya 25 (1), 52–56 (2024) [in Russian].
20. Slyshchenko E. V., Naumova A. A., Lebedev A. A., Genali M. A., Vagapova N. T., and ZHalnin B. V., Sibirskij zhurnal nauki i tekhnologij 19 (2), 308–324 (2018) [in Rus-sian].
21. Sigov A. S., Matyuhin V. F., and Red’ko I. Ya. Tezisy dokladov X Mezhdunarodnogo kongressa Energosberezhenie i energoeffektivnost’. S.-Pb., 50–71 (2021) [in Russian].
22. Andreev V. M., Barinov V. A., Varfolomeev S. D., Lachuga YU. F., Matyuhin V. F., Panchenko V. YA., Red’ko I. YA., Sigov A. S., and Stennikov V. A., Vestnik RUDN. Seriya: Inzhenernye issledovaniya 21 (4), 224–237 (2020) [in Russian].
23. Sigov A. S. and Matyuhin V. F., Tezisy dokladov Nacional’noj nauchno-tekhnicheskoj konferencii s mezhdunarodnym uchastiem «Perspektivnye materialy i tekhnologii» («PMT – 2023»). Moskva, 2023 [in Russian].
24. Mangum J. S., Rice A. D., Chen J., Chenenko J., Wong E., Braun A. K., Johnston S., Guthrey H., Geisz J. F., Ptak A. J., and Packard C. E., Advanced Energy Materials 12 (29), 2201332 (2022).
25. Hossain J., Moon M. A., Mondal B. K., and Ha- lim M. A., Optics & Laser Technology 143, 107306 (2021).
26. Strobl G. F. X., Ebel L., and Fuhrman D. IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). USA: Denver, CO, 3595–3600 (2014).
27. Lombardero I., Miyashita N., Ochoa M., Oka-da Y., and Algora C. IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference. USA: Chicago, IL, 2019. ISSN: 0160-8371.
28. Kagan M. B. Elektronnye i elektromekhanicheskie sistemy i ustrojstva: sb. nauch. tr. Tomsk: Izd-vo Tomskogo politekhnicheskogo universiteta, 2016, pp. 411–416 [in Russian].
29. Ryabceva M. V., Lebedev A. A., Naumova A. A., Bolotin A. M., Vagapova N. T., and Cherenkov P. G., Inzhenernyj zhurnal: nauka i innovacii. Elektronnoe nauchno-tekhnicheskoe izdanie 3 (123) (2022). DOI: 10.18698/2308-6033-2022-3-2162 [in Russian].
30. Dimroth F. and Kurtz S., MRS Bull., № 32 (3), 230–235 (2007).
31. Rakwal D. and Bamberg E., J. materials pro-cessing technology 209 (8), 3740–3751 (2009).
32. Alimov O. M., Anoshin K. E., and Naumov A. V., Izvestiya vuzov. Materialy elektronnoj tekhniki 18 (4), 240–245 (2015) [in Russian].
33. Arickx P., Kurstjens R., Geens W., and Dessein K., E3S Web of Conferences 16 (11), 03010 (2017).
34. Geens W., Dessein K., Köstler W., Meusel M., Taylor S., Mijlemans P., and Strobl G. Seventh European Space Power Conference. Italy: Stresa, 2005. ISBN: 92-9092-900-6. Vol. 589. id. 8. 2005ESASP.589E...8G.
35. Wang G., Guan Y., Mei H., Mei D., Yang G., Govani J., and Khizar M., Journal of Crystal Growth 393, 54–58 (2014).
36. Andreev V. M., Vestnik RUDN. Seriya: Inzhenernye issledovaniya, № 21 (4), 271–280 (2020) [in Russian].
37. Sizov A. L., Burlakov I. D., Ikovleva N. I., Korotaev E. D., and Mirofyanchenko A. E., Vestnik MITHT. 2013. T. 8. № 5. 94-98 (2013) [in Russian].

Выпуск

Том 14, №1 (2026)

Кол-во страниц: 96 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Повышение качества 100 мм Ge-подложек при серийном производстве многопереходных фотоэлектрических преобразователей Кулаковская Т. В., Топаков Д. В., Трофимов А. А., Косякова А. М., Гончаров А. Е., Малыгин В. А., Гладышева К. А., Антонова В. А., Суханова А. С. 3

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Электрические разряды в водородсодержащих газах и жидкостях (обзор) Лебедев Ю. А. 20
Влияние влажности воздуха на излучение наносекундного разряде при пробое промежутка остриё–остриё Белоплотов Д. В., Тарасенко В. Ф., Панченко А. Н., Сорокин Д. А. 41
Параметры и варианты построения устройства формирования мишени для генерации излучения в рентгеновском спектральном диапазоне Шлойдо А. И., Туркин А. В., Саркаров Н. Э., Михайлов А. Д., Чернов Д. О., Иванов В. В., Кривцун В. М., Гаязов Р. Р. 52

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Аналитические и численные методы прогнозирования и контроля порога перколяции в стохастических системах Соцков В. А., Карякин А. Т. 71

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Ограничения стандартных подходов при изготовлении широкоформатных охлаждаемых фотоприемных устройств следующих поколений на основе HgCdTe Новоселов А. Р., Алдохин П. А., Шатунов К. П. 78

ПЕРСОНАЛИИ

Юбилейная дата Игоря Дмитриевича Бурлакова 89

ИНФОРМАЦИЯ

Правила для авторов 91
XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике 94

C O N T E N T S

PHOTOELECTRONICS

Improving the quality of 100 mm Ge substrates for mass production of multi junction solar cells Kulakovskaya T. V., Topakov D. V., Trofimov A. A., Kosyakova A. M., Goncharov A. E., Malygin V. A., Gladysheva K. A., Antonova V. A., and Sukhanova A. S. 3

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

Electrical discharges in hydrogen-containing gases and liquids (review) Lebedev Yu. A. 20
Effect of air humidity on emission of nanosecond discharge during point-to-point gap breakdown Beloplotov D. V., Tarasenko V. F., Panchenko A. N., and Sorokin D. A. 41
Conditions and design options for the target formation device for generating X-ray radiation Shloydo A. I., Turkin A. V., Sarkarov N. E., Mikhaylov A. D., Сhernov D. O., Ivanov V. V., Krivtsun V. M., and Gayazov R. R. 52

PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS

Analytical and numerical approaches to prediction and control of the percolation threshold in disordered systems Sotskov V. A. and Karyakin A. T. 71

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

Limitations of standard approaches in the production of large-format cooled photodetectors of the third and subsequent generations based on HgCdTe Novoselov A. R., Aldokhin P. A., and Shatunov K. P. 78

PERSONALIA

Anniversary of I. D. Burlakov 89

INFORMATION

Rules for authors 91
XXVIII International Scientific and Technical Conference on Photoelectronics 94

Другие статьи выпуска

Ограничения стандартных подходов при изготовлении широкоформатных охлаждаемых фотоприемных устройств следующих поколений на основе HgCdTe (2026)

Авторы: Новоселов Андрей Рудольфович, Алдохин Павел Алексеевич, Шатунов Константин Павлович

Проведён анализ основных сдерживающих факторов увеличения формата охлаждаемых гибридных фотоприёмных устройств (ФПУ). Таких как не плоские формы поверхностей кремниевых мультиплексоров (БИС) и массива фоточувствительных элементов (ФЧЭ), и их разное изменение размеров при охлаждении ФПУ до рабочих температур. Рассмотрено влияния уровня развития технологии изготовления БИС и ФЧЭ, а так же оптической системы ФПУ на увеличения его формата. Выяснено, что основными сдерживающими факторами увеличения формата охлаждаемых ФПУ на основе HgCdTe являются разное изменение размеров БИС и ФЧЭ при охлаждении ФПУ до рабочих температур и наиболее значимым не плоские формы поверхностей БИС и ФЧЭ. Предложено решение увеличения формата охлаждаемых фотоприёмников использованием нескольких БИС и ФЧЭ меньшей площади, установленных в стык друг к другу, что снимает выявленные ограничения при изготовлении широкоформатных охлаждаемых фотоприёмников.

Сохранить в закладках

Аналитические и численные методы прогнозирования и контроля порога перколяции в стохастических системах (2026)

Авторы: Соцков Вдадимир Алексеевич, Карякин Александр Тимофеевич

Проведен сравнительный анализ ведущих аналитических, численных и экспериментальных методов прогнозирования и контроля порога перколяции для установления концептуальной связи между моделями для чисто математических сетей и физическими системами, в частности, полимерными нанокомпозитами. Анализ произведен с помощью моделей прогнозирования: метода Монте-Карло, спектрального метода и теория исключенного объема. Рассмотрена концепция двойной перколяции и и in-situ сольвотермическое восстановление оксида графена непосредственно в полимерной матрице для достижения равномерного распределения наполнителя. Однако достижение минимально возможного порога перколяции может быть нежелательным, если это ставит под угрозу структурную целостность материала. Настоящий анализ демонстрирует значительный прогресс в прогнозировании и контроле порога перколяции стохастических систем.

Сохранить в закладках

Параметры и варианты построения устройства формирования мишени для генерации излучения в рентгеновском спектральном диапазоне (2026)

Авторы: Шлойдо Андрей Игоревич, Туркин Алексей Васильевич, Саркаров Ниджеф Экбербубаевич, Михайлов Александр Дмитриевич, Чернов Дмитрий Олегович, Иванов Владимир Витальевич, Кривцун Владимир Михайлович, Гаязов Роберт Рафилевич

Для увеличения плотности элементов микросхем при фотолитографии предложе-но использовать лазерно-плазменные источники при оптическом пробое. Наивыс-шая эффективность генерации излучения в рентгеновском диапазоне на длине вол-ны 6,7 нм достигается при использовании плазмы тугоплавких редкоземельных элементов гадолиния и иттербия в газовой фазе. Рассматриваются основные па-раметры и варианты построения устройства формирования мишени для оптическо-го пробоя на основе аналога – электродугового источника плазмы на парах щелочно-го металла. Проведено исследование требований к устройству: выполнены термо- и газодинамические расчеты и оценки. В качестве нагревателя предложено исполь-зовать нагрев генератором электронного пучка на основе открытого разряда в бу-ферном газе. Выполнены расчеты длины пробега электронов и плотности энерго-выделения в плазме. Приведены оценки энергетической эффективности создания мишени при нагреве устройства пучком электронов.

Сохранить в закладках

Влияние влажности воздуха на излучение наносекундного разряда при пробое промежутка остриё–остриё (2026)

Авторы: Белоплотов Дмитрий Викторович, Тарасенко Виктор Федотович, Панченко Алексей Николаевич, Сорокин Дмитрий Алексеевич

Исследованы оптические свойства наносекундных разрядов, возбуждаемых импульсами напряжения длительностью 0,7 и 13 нс, в воздухе с различной влажностью при атмосферном давлении. Изучен переход от диффузного разряда к контрагированному, который имеет неоднородное распределение излучения по длине промежутка. Получены оптические эмиссионные спектры плазмы данных разрядов в различных режимах. Подтверждено, что при наносекундном пробое возникает диффузный «канал» плазмы (диффузный разряд) в результате слияния встречных стримеров большого диаметра. Установлено, что при относительно большой длительности импульса в промежутке вначале формируется диффузный разряд, который затем контрагирует. Канал разряда при этом состоит из отдельных филаментов и характеризуется свечением белого цвета. Показано, что спектры излучения плазмы диффузного и контрагированного разрядов отличаются друг от друга наличием широкополосного континуума, а также интенсивных атомарных и ионных линий кислорода, азота, водорода и материала электродов. Установлено, что увеличение относительной влажности воздуха повышает спектральную плотность энергии излучения атомов и ионов металла и широкополосного излучения. Выдвинуто предположение, объясняющее появление широкополосного континуума во влажном воздухе при контрагированном разряда.

Сохранить в закладках

Электрические разряды в водородсодержащих газах и жидкостях (обзор) (2026)

Авторы: Лебедев Юрий Анатольевич

Обзор содержит информацию о разнообразных реализованных способах создания низкотемпературной плазмы, используемой для конверсии углеводородов и спиртов в полезные продукты (водород, ацетилен). Даны примеры устройств для генерации плазмы н основе дуговых, барьерных, электронно-пучковых, и СВЧ-разрядов как в газовой среде, так и в жидкостях.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.