Разработана, изготовлена и исследована матричная микросхема фотоприемника, предназначенная для приема оптического сигнала в диапазоне длин волн 0,4—1,0 мкм, его преобразования в электрический сигнал и вывода в аналоговом виде на 1, 2, 4, 8 или 16 выходов. Основные параметры: зарядовая емкость до 200 тыс. электронов; частота кадров максимального формата более 600 Гц; интегральная чувствительность до 1000 В/(лкс).
CMOS photodetectors for the visible range of light has been developed and investigated. The CIS converts light into charge and readout signals in analog form to 1, 2, 4, 8 or 16 outputs. Main parameters: the charge capacity up to 200 ke; the maximum frame rate to 600 fps for full resolution; the sensitivity up to 1000 V/(Luxsec).
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 26000062
Разработанная матричная КМОП-микросхема обеспечивает широкий динамический диапазон как за счет большой максимальной зарядовой емкости (для большой освещенности), так и благодаря большой чувствительности (для малой освещенности), также позволяет регулировать время экспозиции на 5 порядков, а именно, от долей микросекунд до времени вывода кадра. За счет большой кадровой частоты динамический диапазон может быть дополнительно увеличен неразрушающим считывания нескольких кадров, изменением времени накопления для каждого выводимого кадра.
Фотоприемник может найти применение в видеосистемах, работающих в расширенном диапазоне освещенностей, а также может быть использован для регистрации быстрых процессов.
Список литературы
1. Meynants G., Dierickx B., and Scheffer D. // Proc. SPIE. 1998. Vol. 3410. P. 68.
2. Magnan P. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2003. Vol. A 504. P. 199. doi: 10.1016/S0168-9002(03)00792-7.
3. Janesick J., Andrews J., Tower J., Grygon M., Elliott T., Cheng J., Lesser M., Pinter J. // Proc. SPIE. 2007. 6690. P. 3. 4. Bogaerts J., Dierickx B., Meynants G., Uwaerts D. // Special Issue of IEEE Trans. on Electron Devices On Solid-State Image Sensors. 2003. Vol. 50, No. 1. P. 84.
5. Dierickx B., Bellis S., Witvrouwen N., Dupont B., Defernez A., Jackson C. // Proceedings of SPIE. 2010. Vol. 7826. P. 78261Q.
6. Downing M., Kolb J., Balard Ph., Dierickx B., Defernez A., Feautrier Ph., Finger G., Fryer M., Gach J.-L., Guillaume C., Hubin N., Jerram P., Jorden P., Meyer M., Payne A., Pike A., Reyes J., Simpson R., Stadler E., Stent J., Swift N. // Proceedings of SPIE. 2014. Vol. 9154. P. 91540Q.
7. Meynants G., Bogaerts J., Wolfs B., Ceulemans B., De Ridder T., Gvozdenović A., Gillisjans E., Salmon X. and Van de Velde G. / 2013 International Image Sensor Workshop, 12-16 Jun 2013, Snowbird Resort (UT), USA.
8. Krymski A. / 2015 International Image Sensor Workshop http://imagesensors.org/2015-paper/14-01_Krymski_paper_IISW15-updated.pdf
9. Бородин Д. В., Осипов Ю. В., Скрылёв А. С., Васильев В. В. // Научно-технический сборник “Электронная техника, серия 2, Полупроводниковые приборы”. 2009. Вып. 1 (222). С. 93.
10. Бородин Д. В., Осипов Ю. В., Анисимова Т. И., Ельников Д. С., Костюков Е. В., Маклаков А. М., Ноженко В. Ю., Пугачёв А. А., Рощина Н. И., Скрылёв А. С., Трунов С. В., Череменский Ю. М. / Материалы ХIII научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», ОАО «НПП «Пульсар», 2014 г. С. 141.
11. Осипов Ю. В., Бородин Д. В., Васильев В. В. / Материалы X научно-технической конференции «Системы наблюдения, мониторинга и дистанционного зондирования земли», МНТОРЭС им. А. С. Попова, Москва, 2013 г. С. 292.
12. http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id= LUPA1300-2. High speed CMOS image sensor Lupa1300-2.
13. https://www.photonis.com/en/product/lynx-cmos
14. ГОСТ 28953. Приборы фоточувствительные с переносом заряда. Методы измерения параметров.
1. G. Meynants, B. Dierickx, and D. Scheffer, Proc. SPIE 3410, 68 (1998).
2. P. Magnan, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 504, 1992 (2003). doi: 10.1016/S0168-9002(03)00792-7.
3. J. Janesick, J. Andrews, J. Tower, M. Grygon, T. Elliott, J. Cheng, M. Lesser, and J. Pinter, Proc. SPIE 6690, 3 (2007).
4. J. Bogaerts, B. Dierickx, G. Meynants, D. Uwaerts, Special Issue of IEEE Trans. on Electron Devices On Solid-State Image Sensors 50, 84 (2003).
5. B. Dierickx, S. Bellis, N. Witvrouwen, B. Dupont, A. Defernez, and C. Jackson, Proceedings of SPIE 7826, 78261Q (2010).
6. M. Downing, J. Kolb, Ph. Balard, B. Dierickx, A. Defernez, Ph. Feautrier, G. Finger, M. Fryer, J.-L. Gach, C. Guillaume, N. Hubin, P. Jerram, P. Jorden, M. Meyer, A. Payne, A. Pike, J. Reyes, R. Simpson, E. Stadler, J. Stent, and N. Swift, Proceedings of SPIE 9154, 91540Q (2014).
7. G. Meynants, J. Bogaerts, B. Wolfs, B. Ceulemans, T. De Ridder, A. Gvozdenović, E. Gillisjans, X. Salmon and G. Van de Velde, in Proc. 2013 International Image Sensor Workshop, (Jun 12–16, 2013, Snowbird Resort (UT), USA).
8. A. Krymski, in Proc. 2015 International Image Sensor Workshop (http://imagesensors.org/2015-paper/14-01_Krymski_paper_IISW15-
updated.pdf)
9. D. V. Borodin, Yu. V. Osipov, A. S. Skrylev, V. V. Vasil’ev, Elektrponnaya Tekhnika, Ser. 2 – Polupr. Prib., No. 1(222), 93 (2009).
10. D. V. Borodin, Yu. V. Osipov , T. I. Anisimova, at al., in Proc. ХIII Conf. “Pulsar-2014”, p. 141.
11. Yu. V. Osipov, D. V. Borodin, and V. V. Vasil’ev, in Proc. Х Conf . “Systems of DZZ-2013”, p. 292.
12. http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=LUPA1300-2. High speed CMOS image sensor Lupa1300-2.
13. https://www.photonis.com/en/product/lynx-cmos
14. GOST-28953. PhotoCCD. Methods for the measurement of parameters [in Russian].
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Чирков А. Ю., Веснин В. Р., Долганов В. В. Нейтронный выход из горячей дейтериевой плазмы 5
Косьянов П. М. Метод определения потоков электронов в конденсированных средах, возникающих при гамма-облучении 10
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Кузенов В. В. Тестирование отдельных элементов метода расчета физических процессов в мишени магнитно-инерциального термоядерного синтеза 16
Светлов А. С., Чирков А. Ю. Тепловая устойчивость термоядерной плазмы при различных моделях удержания энергии 25
Пащина А. С., Ефимов А. В., Чиннов В. Ф., Агеев А. Г. Особенности радиального распределения параметров плазмы начального участка сверхзвуковой струи, формируемой импульсным капиллярным разрядом 29
Жданова О. С., Кузнецов В. С., Панарин В. А., Скакун В. С., Соснин Э. А., Тарасенко В. Ф. Источник планарной плазменной струи атмосферного давления 36
Аверин К. А., Лебедев Ю. А., Шахатов В. А. Некоторые результаты исследования СВЧ-разряда в жидких тяжелых углеводородах 41
Андреев В. В., Новицкий А. А., Умнов А. М., Чупров Д. В. Диагностика релятивистского плазменного сгустка по тормозному излучению 46
Андреев В. В., Волдинер И. А., Корнеева М. А. Параметры радиационных процессов в плазме микроволнового резонансно-го разряда 51
Балмашнов А. А., Калашников А. В., Калашников В. В., Степина С. П., Умнов А. М. Формирование ЭЦР-плазмы в ди-электрическом плазмопроводе при реализации условия самовозбуждения стоячей ионно-звуковой волны 57
Балмашнов А. А., Степина С. П., Умнов А. М., Хименес М. Х. Численное моделирование потоков ионов тяжелых газов в плазменном ЭЦР-инжекторе 61
Семенов А. В., Пергамент А. Л., Щербина А. И., Пикалев А. А. Исследование модификации поверхности микрочастиц меламин-формальдегида (MF-R) в комплексной плазме 66
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Балиев Д. Л., Болтарь К. О. Методы измерения вольт-амперных характеристик фотодиодов в многорядном ИК-фотоприемнике 71
Бородин Д. В., Осипов Ю. В., Васильев В. В. Микросхема КМОП-фотоприемника видимого диапазона формата 12801024 с размером ячейки 1313 мкм 76
Пряникова Е. В., Мирофянченко А. Е., Смирнова Н. А., Силина А. А., Бурлаков И. Д., Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Шматов Н. И. Структурные свойства подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания твердых растворов кадмий-ртуть-теллур 82
Яковлева Н. И., Никонов А. В. Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs 88
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Йулдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З. Фотопреобразователь ИК-изображений со сверхтонкой газоразрядной ячейкой и люминофором 94
Охрем В. Г. Адиабатический анизотропный холодильный элемент 100
ИНФОРМАЦИЯ
24-я Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 104
Правила для авторов журнала 107
Бланк-заказ для подписки на 2016 г. 110
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
A. Yu. Chirkov, V. R. Vesnin, and V. V. Dolganov Neutron yield from deuterium plasma 5
P. M. Kosianov New results on the electron streams measurements in condensed substances during their gamma irradiation 10
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. V. Kuzenov Testing the individual elements of the method of calculation of physical processes in the target MIF 16
A. S. Svetlov and A. Yu. Chirkov Fusion plasma thermal stability at different energy confinement scaling laws 25
A. S. Pashchina, A. V. Efimov, V. F. Chinnov, and A. G. Ageev Features of a radial distribution of plasma parameters at the initial section of a supersonic jet created by the pulsed discharge in a capillary 29
О. S. Zhdanova, V. S. Kuznetsov, V. А. Panarin, V. S. Skakun, E. А. Sosnin, and V. F. Tarasenko Plane atmospheric-pressure plasma jet 36
K. A. Averin, Yu. A. Lebedev, and V. A. Shakhatov Some results of study of a microwave discharge in liquid heavy hydrocarbons 41
V. V. Andreev, A. A. Novitsky, A. M. Umnov, and D. V. Chuprov Roentgenographic investigations of a relativistic plasma bunch produced under gyromagnetic autoresonance 46
V. V. Andreev, I. A. Voldiner, and M. A. Korneeva Investigation of radiance processes in pulse-periodic resonant microwave plasma 51
A. A. Balmashnov, A. V. Kalashnikov, V. V. Kalashnikov, S. P. Stepina, and A. M. Umnov Formation of the ECR plasma in a die-lectric plasma conduit under condition of self-excitation of a standing ion-acoustic wave 57
A. A. Balmashnov, S. P. Stepina, A. M. Umnov, and M. J. Jimenez A computer simulation of ion flows of heavy gases in ECR plasma injector 61
A. V. Semenov, A. L. Pergament, A. I. Scherbina, and A. A. Pikalev Investigation of a surface modification of the melamine formal-dehyde (MF-R) microparticles in complex plasma 66
PHOTOELECTRONICS
D. L. Baliev and K. O. Boltar Methods for measuring current–voltage characteristics of photodiodes in scanning type focal plane arrays 71
D. V. Borodin, Yu. V. Osipov, and V. V. Vasil’ev CMOS image sensor with 12801024 pixels and 1313 μm pitch 76
E. V. Pryanokova, A. E. Mirofyanchenko, N. A. Smirnova, A. A. Silina, I. D. Burlakov, M. B. Grishechkin, I. A. Denisov, and N. I. Shmatov Investigation of structural properties of the cadmium zinc telluride substrates for mercury-cadmium-telluride epitaxy 82
N. I. Iakovleva and A. V. Nikonov Investigation and calculation of the absorption spectra in epitaxial InGaAs structures 88
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Kh. T. Yuldashev, Sh. S. Kasymov and Z. Khaidarov Photoconverter of IR images with a sub-micron gas-filled cell and phosphor 94
V. G. Okhrem Adiabatic anisotropic cooling element 100
INFORMATION
XXIV International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices 104
Rules for authors 107
Subscription 110
Другие статьи выпуска
Идея рассмотренного в данной статье термоэлектрического холодильника зиждется на использовании в качестве рабочего эффекта анизотропии термоЭДС. Эта идея не нова. Во второй половине прошлого столетия очень интенсивно и объемно исследовались возможности применения указанной анизотропии для конструирования генераторов термоЭДС. В настоящей работе приведена теория анизотропного термоэлектрического холодильника, боковые грани которого адиабатически изолированы от внешней среды. Такой холодильник мог бы быть использован для охлаждения микроэлектронных приборов, т. е. таких, которые выделяют мизерное количество тепла. Отличительной особенностью этого холодильника по сравнению со стандартным холодильником Пельтье является то, что он более прост в конструктивном и технологическом отношении. В работе рассчитано возможное снижение температуры, предложен вариант конструкции холодильника.
Приведены экспериментальные результаты исследования зависимости интенсивности свечения газа и люминесцентного экрана от величины тока при различных значениях газоразрядного промежутка (d = 10—100 мкм) и давления газа (Р = 5—120 Торр) фотопреобразователя ионизационного типа с полуизолирующим GaAs-электродом. При измерениях считывание выходного сигнала производилось с помощью фотоэлектрического умножителя ФЭУ-19A.
Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. Проведен графический расчет ширины запрещенной зоны по наклону экспериментальной характеристики поглощения.
В работе представлены экспериментальные результаты исследования и анализа структурных свойств подложек кадмий-цинк-теллур (КЦТ), предназначенных для эпитаксии кадмийртуть-теллур (КРТ), методами рентгеновской дифрактометрии, селективного травления, инфракрасной микроскопии. Показана взаимосвязь формы и полной ширины на полувысоте кривой качания со структурными дефектами, присутствующими в материале. Преципитаты и включения второй фазы, присутствующие в материале подложки в количестве 102— 104 см-2, не оказывают влияния на значения полной ширины на полувысоте кривой качания. Уширение кривой качания вызвано повышенной плотностью дислокаций (>8105), либо их ячеистым характером распределения. Построены карты распределения значений полной ширины на полувысоте кривой качания для определения структурного совершенства по всей площади образцов, позволяющие проводить оценку пригодности пластин для дальнейшего технологического процесса.
Исследованы методы измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) фотодиодов в многорядном фотоприемнике формата 6576 на основе КРТ длинноволнового диапазона спектра. ВАХ строится по результатам измерений выходных сигналов большой интегральной схемы (БИС) считывания, гибридизированной с линейкой ИК-фотодиодов. Проведено сравнение метода независимого измерения тока в каждой точке ВАХ и метода аддитивного измерения тока. Предложен метод определения оптимальных рабочих точек фотодиодов путем построения и анализа зависимости дифференциального сопротивления фотодиода от напряжения смещения. Рассмотрены распределения токов фотодиодов для образца МФПУ формата 6576 на основе КРТ-фотодиодов с подложкой p-типа проводимости с граничной длиной волны λ0,5 = 10,5 мкм.
Экспериментально исследовано изменение поверхности микрочастиц меламин-формальдегида (MF-R) (диаметр 4,12±0,09 мкм) в плазме тлеющего разряда постоянного тока в неоне, аргоне и смеси аргон-кислород (Ar-90%, O2-10%) при их экспозиции в плазме в течение 10, 20, 40, 60 минут. Микрочастицы размещались в составе упорядоченных плазменно-пылевых структур с последующим их извлечением. Приведены результаты исследования профиля поверхностного слоя микрочастиц методом атомно-силовой микроскопии (АСМ). Обсуждаются оценочные количественные данные о деструкции поверхностного слоя и характере его модификации. Проведены расчеты реальной площади просканированных с помощью АСМ участков поверхности частиц при помощи фрактального анализа.
Методом частиц в ячейке проведено трехмерное моделирование потоков ионов криптона и ксенона в плазменном ЭЦР-инжекторе CERA-RI-2. Расчеты выполнены для различных величин плотности плазмы, напряженности электрического СВЧ-поля и разности потенциалов между сеткой и корпусом резонатора. Определены зависимости интенсивности массового потока ионов от параметров эксперимента.
Экспериментально установлено, что в диэлектрическом плазмопроводе при ЭЦР-разряде и в условиях реализации возбуждения стоячей ионно-звуковой волны формируется пространственно локализованное плазменное образование с высокой яркостью свечения. На основе полученных результатов делается вывод о возможности создания компактных источников интенсивного излучения, спектр которых определяется типом рабочего газа или смеси газов, источников интенсивных потоков химически-активных частиц, а также источника плазмы для двигателя коррекции орбит легких космических аппаратов.
В работе представлены результаты экспериментального исследования поведения спектральных и фотометрических характеристик излучения в оптическом диапазоне импульснопериодического микроволнового ЭЦР-разряда (2,45 ГГц, мощность до 200 Вт, давление плазмообразующего газа Ar от 110-4 до 110-1 Торр). В этих условиях в рабочем объеме создается плотная (ne = 11010÷41011 см-3) низкотемпературная (Те = 3÷5 эВ) плазма с высокой степенью ионизации (110-3÷510-5). Показано, что регистрируемое повышение концентрации электронов вблизи верхней границы указанного диапазона давлений при неизменном уровне подводимой мощности приводит к радикальному изменению типа и спектрального состава излучения, а также к пороговому характеру увеличения светового потока. Анализ зондовых и оптических измерений позволил выделить диапазон изменения рабочих условий, определяющих характер и параметры изучаемых радиационных процессов.
Метод рентгенографической диагностики использован для определения области локализации и форм-факторов релятивистского плазменного сгустка, генерируемого в зеркальной магнитной ловушке в условиях гиромагнитного авторезонанса, с последующей оценкой плотности электронной компоненты. Анализ рентгенограмм свидетельствует о наличии частиц с энергиями масштаба сотен кэВ со средней концентрацией в диапазоне 2—81010 см-3. Полученные результаты хорошо согласуются с результатами рентгеноспектральных измерений и вычислительного эксперимента на основе метода частиц в ячейке.
Приведены некоторые результаты исследования СВЧ-разряда в тяжелых углеводородах. СВЧ-энергия вводилась в жидкий углеводород с помощью коаксиальной линии. Давление над поверхностью жидкости равно атмосферному давлению. Разряд зажигался в среде аргона и паров углеводорода (аргон подавался через канал в центральном проводнике коаксиальной линии). Исследованы спектры излучения разряда в разных жидких углеводородах и показано, что в спектре излучения наблюдаются разные секвенции полос Свана, а возможное излучение других компонентов плазмы находится на уровне шумов. Приведены спектры излучения плазмы в жидком н-гептане, нефрасе, и масле С-9, используемом для получения химических волокон. Приведены вращательные (газовая) и колебательные температуры, полученные при обработке спектров.
В однобарьерном разряде с обострением напряжения и низкими расходом газа (до 1 л/мин) в щелевой геометрии разрядной зоны сформированы плоские плазменные струи атмосферного давления в воздухе, имеющие ширину до 3 см и длину до 4 см. Измерены энергетические, температурные и спектральные характеристики полученных струй. Спектр излучения содержит интенсивные максимумы, соответствующие электронно-колебательным переходам второй положительной системы молекулярного азота N2 (C3Πu → B3Πg) и сравнительно слабые линии переходов первой положительной системы иона N2 + (B2Σ+ u → X2Σ g). На примере инактивации культуры Staphylococcus aureus (штамм АТСС 209) показано, что плазма является источником химически активных частиц, обеспечивающих инактивацию микроорганизмов.
Представлены результаты спектроскопии начального участка сверхзвуковой плазменной струи, формируемой с помощью импульсного разряда в капилляре с аблирующей стенкой, выполненной из углеродсодержащего полимера. Выявлены особенности пространственного распределения электронной плотности и интенсивности спектральных компонент, которые, в частности, вызваны высоким значением электронной температуры в «горячей» центральной зоне, превышающем «нормальную» температуру, а также существенной неизобаричностью начального участка сверхзвуковой струи. Зарегистрированные с высоким временным (1—50 мкс) и пространственным (30—50 мкм) разрешением излучательные свойства высокотемпературного ядра струи (интенсивность и контур бальмеровских линий Hα и Hβ, относительные интенсивности ионных линий C II) позволили установить основные закономерности в распределениях давления и температуры в окрестности центрального скачка уплотнения. Благодаря наличию в потоке молекулярных компонентов, проявляющих свои излучательные свойства на периферии струи, удалось получить представление о параметрах плазмы в зоне образования «висячих» скачков уплотнения.
Рассматривается интегральная устойчивость рабочих режимов термоядерного реактора. Показано существенное различие условий устойчивости для режимов с нагревом термоядерными альфа-частицами и без термоядерной реакции, связанное с тем, что мощность нагрева термоядерными продуктами в значительно большей степени зависит от параметров плазмы, чем поглощенная мощность внешнего нагрева. Данный вопрос является важным для анализа возможных стационарных рабочих режимов термоядерных реакторов на основе альтернативных систем удержания плазмы. Область устойчивости существенно расширяется при снижении коэффициента усиления мощности в плазме Q. Это обстоятельство важно для источников термоядерных нейтронов с Q ~ 1, так как означает более надежное управление энерговыделением, чем в реакторах с Q ~ 10. Анализ основан на уравнении энергии. В общем виде время удержания представлено в виде степенного закона. Проанализированы некоторые законы удержания. Например, один из возможных законов удержания для обращенной магнитной конфигурации (FRC) может соответствовать неустойчивым режимам при Q > 5.
В работе построена физико-математическая модель магнитно-инерциального термоядерного синтеза (МИТС), разработан численный метод расчета параметров при имплозии замагниченной мишени, что открывает возможности создания новых плазменных источников высокой плотности для применения их в материаловедческих экспериментах и для перспективных направлений энергетики. Выполнено первоначальное тестирование разработанной численной методики.
Приведены новые результаты теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия фотонов ионизирующего излучения с различными веществами. В частности, рассмотрены фотоэффект и комптоновское рассеяние этих фотонов. При помощи разработанного автором нового метода определения отношения числа комптоновских электронов к числу фотоэлектронов через измерение отношениям интенсивностей характеристического и некогерентно рассеянного излучений показано, что тем самым можно определить отношение массового коэффициента сечения некогерентного рассеяния первичного излучения к массовому коэффициенту фотоэлектрического поглощения первичного излучения. Впервые получены новые соответствующие результаты для молибдена и вольфрама. Анализ результатов показал, что имеются существенные расхождения между прежними теоретическими расчётами и опытными данными.
Рассматриваются возможности использования D–D-плазмы для генерации быстрых нейтронов. Важное преимущество D–D-реакции заключается в том, что отпадает необходимость воспроизводства трития. D–D-плазма может быть источником нейтронов с энергией 14 МэВ, которые рождаются в результате сгорания образующегося трития. Рассмотрено влияние примеси лития, который в небольшом количестве улучшает энергобаланс D–Dплазмы. Оптимальное с точки зрения критерия Лоусона отношение концентраций лития и дейтерия составляет 0,3—0,4. Выход в нейтронах с энергией 14 МэВ составляет около 50 % при добавлении лития-6 и около 35 % при добавлении лития-7. Требуются температуры около 100 кэВ. Поэтому для этого вида термоядерного топлива давление плазмы должно быть примерно равно магнитному давлению. Для увеличения скорости реакции может быть использован интенсивный нагрев пучком быстрых атомов. При этом коэффициент усиления в плазме Q ~ 1 может достигаться при температуре электронов около 100 кэВ и энергии инжектируемых дейтронов около 2 МэВ.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400