Статья: Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs (2016)

Читать онлайн

Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. Проведен графический расчет ширины запрещенной зоны по наклону экспериментальной характеристики поглощения.

The absorption spectra of InGaAs structures grown by metal organic vapor deposition have been investigated on the basis of the fundamental absorption edge caused by transitions of electrons from the valence band to the conduction band. The value of an energy gap width has been calculated using the measured absorption spectrum.

Ключевые фразы: InGaAs, mocvd, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, эпитаксия, коэффициент поглощения, зона бриллюэна, расчет, экспериментальные данные
Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна, Никонов Антон Викторович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID
26000064
Для цитирования:
ЯКОВЛЕВА Н. И., НИКОНОВ А. В. ИССЛЕДОВАНИЯ СПЕКТРАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ КОЭФФИЦИЕНТА ПОГЛОЩЕНИЯ В СЛОЯХ INGAAS // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2016. №2
Текстовый фрагмент статьи