Рассмотрены особенности квантовой эффективности генерации носителей в фоточувствительном элементе при воздействии когерентного излучения. На примере гомогенного образца показано, что за счет интерференции прямого и обратного потоков фотонов квантовая эффективность при когерентном излучении колебательным образом зависит от размеров образца вдоль направления засветки, причем амплитуда колебаний монотонно уменьшается с увеличением размеров образца. Проведено сравнение со случаем некогерентного излучения.
The peculiarities of the quantum efficiency of the photosensitive element to the carrier generation of coherent radiation are considered. For example, the homogeneous sample it is shown that due to the interference of the forward and reverse photon fluxes quantum efficiency under the coherent radiation oscillating depends on the size of the sample along the direction of illumination. In this case, the amplitude of oscillations monotonously decreases with increase in the size of the sample. A comparison with the case of incoherent radiation was done.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 29045737
Квантовая эффективность фоточувствительного элемента существенно зависит от того, является ли падающий оптический поток когерентным или нет. При воздействии некогерентного излучения квантовая эффективность образца (6), (7) монотонно растет с увеличением размера поглощающего слоя Wab [1, 7–11, 13]. При воздействии некогерентного излучения зависимость квантовой эффективности образца от Wab (17) имеет колебательный, хотя в среднем и растущий, характер (рис. 3). При этом амплитуда колебаний уменьшается с ростом Wab. Степень отличия абсолютных значений и друг от друга, рис. 4, зависит, естественно, от Wab (для гомогенного образца – расстояния освещаемой поверхности от теневой).
Напомним, что наибольший практический интерес для создания фоточувствительного элемента представляют невырожденные полупроводники и электронные переходы из близкой к потолку валентной зоны окрестности в близкую к дну зоны проводимости окрестность. В этом случае для хорошей оценки коэффициента собственного поглощения излучения можно использовать приближение квадратичного закона дисперсии как в зоне проводимости ( n 1 ветвь), так и в валентной зоне (n ветвь), рис. 1. В рассматриваемой ситуации коэффициент собственного поглощения оптического излучения в прямозонном полупроводнике можно представить в виде [6]
3/2 4 3 ( ) (8/ ) 1 10, см e h e h g e h n h E (19)
где h и Eg измерены в эВ, * e me / m0, * h mh / m0, * me и * mh – эффективные массы электрона и дырки, m0 – масса свободного электрона, n – показатель преломления. С помощью этого соотношения и выражений (17), (18) можно построить зависимости квантовых эффективностей когерентного и некогерентного излучений от их длины волны и, тем самым, сравнить друг с другом зависимости () и () в прямозонных образцах.
Список литературы
1. Sadao Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors, – John Wiley & Sons 2009, Ltd. ISBN: 978-0-470-74369-0.
2. Glovanni Ghio, Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics, – Cambridge – New-York – Melbourne – Madrid – Cape Town – Singapore-Sгo Paulo-Delhi – Dubai-Tokyo, Cambridge University Press 2009.
3. Kinch M. «Fundamentals of Infrared Detector Materials», SPIE Press, ISBN 978-0-8194-6731-7, Bellingham, Washington, 2007.
4. Rogalski A. Infrared Detectors, – Boca Raton – London – New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2011.
5. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. – М., Мир, 1980.
6. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. – М., Мир, 1973.
7. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963.
8. Холоднов В. А. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 3. № 3. С. 254.
9. Kholodnov V. A. and Nikitin М. S. In Book: Optoelectronics – Materials and Devices, Ed. Sergei L. Pyshkin and John Ballato /chapter 12, P. 301, – InTech, 2015. URL http://www. intechopen.com.
10. Холоднов В. А. // Оптический журнал. 1996. № 6. С. 42.
11. Kholodnov V. А., Nikitin M. С. In Book: Photodiodes-From Fundamentals to Applications. – Rijeka, Croatia: InTech, 2012, P. 27.
12. Бурлаков И. Д., Филачев А. М., Холоднов В. А. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 4. № 1. С. 52.
13. Бурлаков И. Д., Филачев А. М., Холоднов В. А. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 4. № 2. С. 167.
14. У. Тсанг (ред.) Техника оптической связи: фотоприемники. Под ред. – М.: Мир, 1988.
15. Stillman G. E., Cook L. W. et al., // IEEE Transactions on Electron. Devices. 1983. Vol. ED-30. No. 4, P. 364.
1. Sadao Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors, (John Wiley & Sons 2009, Ltd.) ISBN: 978-0-470-74369-0.
2. Giovanni Ghio, Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics, (Cambridge – New-York – Melbourne – Madrid – Cape Town – Singapore-Sгo Paulo-Delhi – Dubai-Tokyo, Cambridge University Press, 2009).
3. M. Kinch, Fundamentals of Infrared Detector Materials (SPIE Press, ISBN 978-0-8194-6731-7: Bellingham, Washington, 2007).
4. A. Rogalski, Infrared Detectors, (Boca Raton – London – New York: CRC Press: Taylor & Francis Group, 2011).
5. J. Auth, D. Genzow and K. H. Herrmann, Photoelektrische Erscheinungen (Berlin: Akademie-Verlag, 1977) [in German].
6. J. I. Pankov. Optical Processes in Semiconductors. (Inc. Englewood Cliffs, New Jersey: Prentice-Hall, 1971).
7. S. M. Ryvkin, Photoelectric Effects in Semiconductors, (New York: Consultants Bureau, 1964).
8. V. A. Kholodnov, Usp. Prikl. Fiz. 3, 254 (2015).
9. V. A. Kholodnov and М. S. Nikitin, In Book: Optoelectronics – Materials and Devices, Ed. Sergei L. Pyshkin and John Ballato /chapter 12, P. 301, (InTech, 2015) URL: http://www. intechopen.com.
10. V. A. Kholodnov, J. Optical Technology 63, 449 (1996).
11. V. А. Kholodnov, M. С. Nikitin, In Book: Photodiodes - from
Fundamentals to Applications. (Rijeka, Croatia: InTech, 2012), P. 27.
12. I. D. Burlakov, А. М. Filachev, and V. A. Kholodnov, Usp. Prikl. Fiz. 4, 52 (2015).
13. I. D. Burlakov, А. М. Filachev and V. A. Kholodnov, Usp. Prikl. Fiz. 4, 167 (2015).
14. W. T. Tsang (ed.), Lightware Communication Technology: (Orlando-San Deigo-New York-London-Toronto-Montreal-Sydney-Tokyo: Academic Press, 1985).
15. G. E. Stillman, L. W. Cook et al., IEEE Transactions on Electron. Devices. ED-30, 364 (1983).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Кравчук А. С., Кравчук А. И. Эффективное уравнение конвективного переноса массы в композиционной среде с разнонаправленными векторами скоростей компонент 97
Должиков А. С., Могорычный В. И. Процессы кипения и конденсации многокомпонентных рабочих тел в микротеплообменниках 103
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Золотухин Д. Б. Сравнительные характеристики пучковой и индуктивно-связанной ВЧ-плазмы, генерируемой в диэлектрической полости в форвакуумном диапазоне давлений (обзор) 113
Ирхин И. В., Сухачевский А. А., Попов О. А., Иликеева Р. А. Характеристики разгорания серной СВЧ-лампы высокого давления 120
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Холоднов В. А. Сравнительный анализ квантовой эффективности фоточувствительного элемента при когерентном и некогерентном излучении 130
Иванов С. Д., Косцов Э. Г. Приемники теплового излучения неохлаждаемых мегапиксельных тепловизионных матриц (обзор) 136
Козлов К. В., Патрашин А. И., Стрельцов В. А. Математическая модель крупноформатного инфракрасного фотоприемного устройства при временной задержке и накоплении 155
Кожаринова Е. А., Батырев Н. И., Костышина Л. А., Умникова Е. В. Получение и исследование анодных оксидных пленок и фотодиодных структур на основе антимонида индия 174
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Панькин Н. А., Окин М. А., Сигачев А. Ф., Мишкин В. П., Чистяков Н. И., Луконькина А. С. Структура и свойства композиционного материала системы Ti-Al, полученного холодным прессованием и твердофазным спеканием 180
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Кремис И. И., Моисеев В. А., Шатунов К. П., Ульянова Е. О., Гладков Р. А., Горшков А. А. Системы микросканирования для тепловизоров третьего поколения 189
ПЕРСОНАЛИИ
Юбилей В. П. Пономаренко 196
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 197
Подписка на электронную версию журнала 200
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
A. S. Kravchuk and A. I. Kravchuk Effective equation of convective mass transfer in a composite envi-ronment with a multi-directional velocity vector of component 97
A. S. Dolzhikov and V. I. Mogorychny The processes of boiling and condensation of multicomponent working fluids in mirco heat exchangersnull 103
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
D. B. Zolotukhin Comparative characteristics of beam-produced and inductively coupled RF plasmas generated in dielectric volume at fore-vacuum pressures (a review) 113
I. V. Irkhin, А. А. Sukhachevsky, О. А. Popov, and R. A. Ilikeeva High pressure sulfur microwave lamp run-up characteristics 120
PHOTOELECTRONICS
I. D. Burlakov and V. A. Kholodnov A comparative analysis of the quantum efficiency of the photosensitive element under the influence of coherent and incoherent radiation 130
S. D. Ivanov and E. G. Kostsov Uncooled thermal detectors of radiation for megapixel thermovision matrixes (a review) 136
K. V. Kozlov, A. I. Patrashin, and V. A. Streltsov Mathematical model of infrared large-format TDI FPA 155
E. A. Kozharinova, N. I. Batyrev, L. A. Kostyshina, and E. V. Umnikova Obtaining and studying of anodic oxide films and photodiode structures based on indium antimonidenull 174
MANERIALS SCIENCE
N. A. Pan’kin, M. A. Okin, A. F. Sigachev, V. P. Mishkin, N. I. Chistyakov, and A. S. Lukon’kina Structure and properties of the composite material of the Ti-Al system obtained by cold pressing and solid-phase sintering 180
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
I. I. Kremis, V. A. Moiseev, K. P. Shatunov, E. O. Ulyanova, R. A. Gladkov, and A. A. Gorshkov Micros-canning systems for third-generation thermal imagers 189
PERSONALIA
Anniversary Date of V. P. Ponomarenko 196
INFORMATION
Rules for authors 197
Subscription to an electronic version of the journal 200
Другие статьи выпуска
Представлены результаты разработки систем микросканирования для тепловизоров третьего поколения на основе пьезоэлектрического и электромагнитного приводов. Приведены основные технические характеристики микросканеров, дана их сравнительная оценка.
Методами растровой электронной микроскопии, металлографии, рентгенографии, термомеханическим анализом и методом лазерной вспышки проведено комплексное исследование структуры и свойств (Ti, Al)-композитов. Они были приготовлены прессованием смеси порошков титана и алюминия с последующим твердофазным спеканием на воздухе. Получены зависимости микроструктуры, фазового состава, плотности, пористости, твердости, коэффициентов температуропроводности и теплового расширения от состава, давления прессования и времени спекания. Экстремальные значения (минимальные и максимальные) вышеуказанных свойств (исключение – твердость по Бринеллю) соответствуют сочетаниям крайних значений варьируемых факторов – содержания титана и нагрузки прессования. Описаны возможные механизмы формирования структуры, фазового состава и свойств.
Выращены анодные оксидные плёнки на подложках InSb в электролитах на основе гидроксида калия, персульфата аммония и сернистого натрия. Изготовлены фоточувствительные элементы и проведена их термообработка. По измеренным ВАХ p–n-переходов установлено, что высокое качество изделий, соизмеримое с базовым (Na2S) вариантом, формируется в электролите на основе персульфата аммония. Показана возможность увеличения предела термической стойкости фотодиодных структур InSb до 190 оС при использовании этого электролита.
Представлена математическая модель оптико-электронного тракта крупноформатного инфракрасного (ИК) фотоприемного устройства с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), предназначенного для регистрации малоразмерных объектов. Модель позволяет получать изображения на выходе сканирующего фотоприемного устройства большого формата (с количеством каналов ВЗН, большим 10000) и прогнозировать параметры приборов с учетом погрешностей установки отдельных фотоприемных модулей, паразитной засветки фоточувствительного слоя, шумов оптико-электронного тракта, взаимного влияния сигналов внутри ФПУ, разброса чувствительности и темновых токов фоточувствительных элементов (ФЧЭ), недостатков схемы ВЗН-суммирования и т. д. В модели также реализована возможность моделирования сигналов в режиме с адаптивным временем накопления. Модель ИК ФПУ состоит из четырех основных частей: аналитической модели облученности (АМО), позволяющей рассчитать распределение облученности в плоскости фотослоя от сцены и элементов конструкции ФПУ; аналитической модели сигналов (АМС), в рамках которой оптико-электронный тракт ФПУ представлен произведением частотных передаточных функций отдельных линейных процессов; имитационной модели сигналов (ИМС), являющейся более общей (чем АМС) моделью и содержащей подробное описание отдельных модулей реальных ФПУ; аналитической модели шумов (АМШ), позволяющей рассчитать шумы ИК ФПУ с различной схемотехникой большой интегральной схемы (БИС) считывания при известных фототоках и темновых токах каждого из ФЧЭ. В данной статье представлена первая часть работы – описание математического аппарата моделей.
Описываются тепловые элементы современных неохлаждаемых тепловизионных матриц, основанных на теплоизоляции чувствительных элементов и на накоплении тепла в их объеме за время кадра. Подробно обсуждаются особенности функционирования и конструкции как резистивных микроболометров, так и пироэлектрических элементов. Рассматривается новый принцип построения элементов высокочувствительных неохлаждаемых быстродействующих матриц, основанных на пироэлектрическом эффекте, для регистрации ИК-излучения, а также излучения с большим значением длины волны. Представленный подход к построению матрицы заключается в отсутствии теплоизоляции элемента от подложки, в использовании в качестве чувствительного слоя тонкой пироэлектрической пленки и накоплении за время кадра заряда генерируемого ИК-излучением. Описывается новый принцип высокоскоростной модуляции излучения. Приводятся экспериментальные значения пироэлектрического коэффициента в пленках ниобата бария стронция BaxSr1-xNb6, который достигает значений (1–2)10-3 Кл/м2. Показано, что элементы на основе указанного материала с размерами 1212 мкм, обладают в режиме накопления заряда удельной обнаружительной способностью D* порядка 109 см Гц1/2 Вт-1.
Проведено экспериментальное исследование разгорания безэлектродной серной СВЧ-лампы высокого давления. Разряд зажигался и поддерживался в парах серы и аргоне (20 Торр) в кварцевой колбе диаметром 35 мм, размещенной в цилиндрическом резонаторе диаметром 73 мм и высотой 147 мм. Колба вращалась с угловой скоростью v от 0 до 24 об/с, плазма возбуждалась на частоте 2,45 ГГц при мощности магнетрона 200–740 Вт. Обнаружено, что появление светового потока (освещенности) лампы после зажигания в колбе СВЧразряда происходит с задержкой tз, которая не зависит от скорости вращения колбы, но уменьшается с увеличением мощности магнетрона. В процессе разгорания лампы наблюдалось изменение формы плазмы СВЧ-разряда и ее положения в колбе, которые определялись скоростью вращения колбы и мощностью магнетрона. Зависимость освещенности лампы от времени ее разгорания t имела максимум Еmax, положение которого, tmax, с увеличением мощности магнетрона и скорости вращения колбы сдвигалось в сторону меньших значений t. С увеличением скорости вращения колбы v от 0 до 7–8 об/с уменьшалось время достижения лампой установившегося режима tуст., возрастала максимальная освещенность Еmax, а спектр излучения плазмы сдвигался в длинноволновую область. Увеличение скорости вращения колбы свыше 8 об/с вызывало снижение освещенности и рост tуст.
В обзоре приводится сравнительный анализ результатов экспериментов по исследованию параметров и характеристик плазмы, создаваемой различными способами в диэлектрическом сосуде: при инжекции непрерывного электронного пучка током 10–40 мА и энергией 2–8 кэВ в цилиндрическую кварцевую полость, а также безэлектродным индуктивным ВЧразрядом, генерируемым внешней квадрупольной антенной, причем в форвакуумном диапазоне давлений (1–15 Па) рабочих газов (Ar, N2). Приводятся сравнения продольных и радиальных профилей концентрации, а также величин температуры электронов и потенциала, характерных для упомянутых видов плазмы. Показано, что оба способа позволяют осуществить генерацию однородной плазмы в диэлектрической полости с концентрацией 109–1011 см-3 и температурой электронов 2–4 эВ.
Многокомпонентные рабочие тела (МРТ) нашли широкое применение в холодильной и криогенной технике. Одним из основных элементов данных систем является рекуперативный теплообменник, в котором осуществляется регенерация холода. Однако процессы кипения и конденсации смесей остаются недостаточно изученными. В данной работе рассматриваются различные соотношения, позволяющие описывать данные процессы, а также производится сравнение результатов, полученных с использованием этих соотношений, с существующими экспериментальными данными.
Уравнение конвективного массопереноса в случае вектора скорости, одинакового для всех компонент композиционной среды, получено еще в прошлом веке и приводится во многих справочниках по массопереносу, в частности, известных работах Лыкова А. В. Отличительной особенностью данного исследования является дальнейшее обобщение указанного уравнения с учетом разнонаправленности векторов скоростей компонент. Это является актуальным в связи с широким распространением в настоящее время тонких суспензий магнитно-активных жидкостей в качестве компонент композиционных смесей и их использования при активном управлении процессом массопереноса. При выводе уравнения конвекционного массопереноса используется понятие представительного объема композиционной среды с использованием объемных долей компонент, где неявно используется гипотеза о том, что объемные доли компонент являются дискретной случайной величиной, описывающей вероятности присутствия той или иной компоненты неоднородной среды в конкретной точке с заданными координатами, как представительного объема, так и исследуемой геометрической области в целом. С методической точки зрения в статье вначале пространственное уравнение упрощается до одномерного для любого из выбранных читателем направлений декартовой системы координат. Для любого из направлений в отдельности получен аналог вилки Фойгта-Рейсса соответствующих проекций скоростей компонент композиционной смеси. Далее вилка средних проекций скоростей по направлениям сужается до вилки Кравчука-Тарасюка. После этого усреднением вилки КравчукаТарасюка получается одномерное уравнение конвективного массопереноса в композиционной среде в смысле средних по представительному объему значений проекций скоростей компонент для каждого из направлений декартовой системы координат. Далее с использованием среднего вектора скорости композиционной смеси и специфического переопределения «в операции дивергенция в смысле среднего значения частных производных строиться общее уравнение для пространственной области. Результаты данного исследования могут быть применены при построении прикладной теории управления конвективным массопереносом композиционной среды с помощью внешнего магнитного поля. При этом часть компонент смеси может быть магнитонейтральна.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400