Статья: Получение и исследование анодных оксидных пленок и фотодиодных структур на основе антимонида индия (2017)

Читать онлайн

Выращены анодные оксидные плёнки на подложках InSb в электролитах на основе гидроксида калия, персульфата аммония и сернистого натрия. Изготовлены фоточувствительные элементы и проведена их термообработка. По измеренным ВАХ p–n-переходов установлено, что высокое качество изделий, соизмеримое с базовым (Na2S) вариантом, формируется в электролите на основе персульфата аммония. Показана возможность увеличения предела термической стойкости фотодиодных структур InSb до 190 оС при использовании этого электролита.

Anodic oxide films (AOF) have been grown in electrolytes (such as KOH, (NH4)2S2O8 and Na2S) on the base of InSb-substrates. Photodiode structures have been exposed to and thermal processing. Films quality and photodiode parameters were defined. Dark currents and break-down voltages of the photoelements have been determined. The thermal stability of the photodiode structures is as high as 190 оС for photoelements with AOF, which have been grown in the (NH4)2S2O8 electrolyte.

Ключевые фразы: фотодиод, структура, антимонид индия, электролит, анодная оксидная плёнка, аоп, качество плёнок, пробивное напряжение, темновой ток, термостойкость
Автор (ы): Кожаринова Елена Анатольевна, Батырев Николай Иванович, Костышина Людмила Александровна, Умникова Елена Васильевна
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
eLIBRARY ID
29045741
Для цитирования:
КОЖАРИНОВА Е. А., БАТЫРЕВ Н. И., КОСТЫШИНА Л. А., УМНИКОВА Е. В. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК И ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АНТИМОНИДА ИНДИЯ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2017. ТОМ 5, №2
Текстовый фрагмент статьи