Материалами подложки приборных пластин в современной сверхвысокочастотной (СВЧ) электронике на основе GaN/AlGaN выступают сапфир и карбид кремния, которые обладают высокой твердостью и одновременно являются хрупкими. Методы разделения таких приборных пластин на отдельные кристаллы недостаточно изучены в совокупности свойств материала подложки и особенностей изготовления современных монолитных интегральных схем (МИС). В настоящей работе рассматривается разработка базовых производственных маршрутов, повышающих эффективность существующих методов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния применительно к приборным пластинам с изготовленными на них современными СВЧ МИС на нитридных гетероструктурах, а также изучение влияния резки на технико-эксплуатационные параметры МИС.
Substrate materials in a modern instrument ultra-high frequency semiconductor electronics wich based on GaN/AlGaN structures are sapphire and silicon carbide. This materials are high hardness and brittle. Separation methods of wafers such as into individual chips not enough been studied in combination properties of the substrate material and the characteristics of modern manufacturing monolithic integrated circuits (MMIC). This paper deals with the development of basic technological routes to improve the efficiency of existing methods of cutting wafers of sapphire and silicon carbide in relation to the modern MMIC on nitride heterostructures, and also study the effect of cutting on the technical and operational parameters of the MMIC.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 28409429