Архив статей

Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя Х-диапазона на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC (2018)
Выпуск: Том 6, №6 (2018)
Авторы: Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, Ильков Владимир Константинович, Лисицкий Антон Павлович, Савельев Юрий Николаевич

Разработана конструкция монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя диапазонов частот 8–12 ГГц. МИС усилителя изготовлена на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC. Приведены результаты измерений параметров МИС.

Сохранить в закладках