Электрофизические и газочувствительные свойства тонких плёнок In2O3–Ga2O3, полученных импульсным лазерным напылением (2019)
Методом импульсного лазерного напыления получены поликристаллические тонкие полупроводниковые плёнки смешанного состава In2O3–Ga2O3 с различным соотношением компонент. Исследованы морфология поверхности, электрофизические и газочувствительные свойства полученных плёнок. По температурным зависимостям сопротивления данных плёнок определены энергии активации их проводимости. Исследованы температурные зависимости отклика сопротивления плёнок на ацетон, этанол, аммиак и смесь пропан-бутан. Объяснено наличие на температурных зависимостях газового отклика сопротивления плёнок в диапазоне температур 300–500 оC участка со значениями меньше единицы в случае наличия в газовой фазе аммиака. По температурным зависимостям отклика сопротивления плёнок определены энергии активации отклика в низкотемпературной и высокотемпературной областях. Изучены зависимости отклика сопротивления плёнок от концентрации исследуемых газов. Установлено, что в качестве перспективного материала чувствительных слоев газовых сенсоров могут рассматриваться плёнки состава 50%In2O3–50%Ga2O3.
Mixed oxide In2O3–Ga2O3 polycrystalline thin films with various ratio of components were prepared by pulsed laser deposition. Investigations of surface morphology, electrophysical and gas sensing properties conducted. Energies of conductivity activation were calculated from temperature dependence of conductivity. Region of anomalous negative response was found on temperature dependence of gas response on ammonia for some films. Energies of adsorption/desorption activation were calculated from temperature dependence of gas response. Assumption of formation of some adsorption-promoting centers in 50%In2O3–50%Ga2O3 films was made. In2O3–Ga2O3 films were assumed to have perspectives of application as gas sensing material for semiconducting gas sensors.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 38564819
Представленные результаты показывают, что плёнки, состоящие из оксидов индия и галлия, могут рассматриваться в качестве перспективных материалов для чувствительных слоев газовых сенсоров.
Получение данных плёнок методом импульсного лазерного напыления позволяет точно контролировать их состав и толщину.
Рассматриваемые плёнки имеют чувствительность к ряду горючих газов. Наибольшая чувствительность плёнок наблюдается к парам ацетона и этанола. Исследование зависимости свойств указанных плёнок от их состава показало, что наибольшую газовую чувствительность имеют плёнки состава 50%In2O3–50%Ga2O3. Кроме того, для данных плёнок температура максимума отклика сопротивления минимальна по сравнению с пленками других составов. Причиной этого предлагается считать формирование фазы InGaO3 в пленке.
Список литературы
- Korotcenkov G. Handbook of gas sensor materials. Properties, advantages and shortcomings for applications. Volume 1: Conventional approaches. – Berlin, Germany: Springer, 2013.
- Barsan N., Koziej D., Weimar U. // Sens. Actuators B. 2007. Vol. 121. P. 18.
- Гаман В. И., Севастьянов Е. Ю., Максимова Н. К., Сергейченко Н. С., Дробот А. В. // Изв. вузов. Физика. 2014. Т. 57. № 3. С. 44.
- Eranna G., Joshi B. C., Runthala D. P., Gupta R. P. // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2004. Vol. 29. P. 111.
- Capone S., Forleo A., Francioso L., Rella R., Siciliano P., Spadavecchia J., Presicce D. S., Taurino A. M. // J. Optoelectronics Adv. Mater. 2003. Vol. 5. No. 5. P. 1335.
- Kozlov A. G., Krivozubov O. V., Kurdukova E. A., Lila M. N. / 28th International Conference on Microelectronics: proceedings (Nis, Serbia, 2012). P. 165–168.
- Minami T. // Semiconductors and semimaterials. 2013. Vol. 88. P. 159.
- Мычко Д. И., Лычковский Ю. Н., Каркоцкий Г. Ф., Боборико Н. Е. / Свиридовские чтения: сб. науч. трудов (Минск, 2008). Вып. 4. С. 20740.
- Korotcenkov G. // Materials Science Engineering B. 2007. Vol. 139. P. 1.
- Lowndes D. H., Geohegan D. B., Puretzky A. A., Norton D. P., Rouleau C. M. // Sci., New Series. 1996. Vol. 273. No. 5277. P. 898.
- Кисин В. В., Сысоев В. В., Ворошилов С. А., Симаков В. В. // ФТП. 2000. Т. 4. № 34. С. 314.
- Крылов О. В. Гетерогенный катализ. – М.: Академкнига, 2004.
- Nisha R. // Energy and Environment Focus. 2013. Vol. 2. P. 157.
- Steffes H., Imawan C., Solzbacher F., Obermeier E. // Sens. Actuators B. 2000. Vol. 68. P. 249.
- Brynzari V., Korotchenkov G., Dmitriev S. // J. Electron. Technol. 2000. Vol. 33. P. 225.
- Barsan N., Schweizer-Berberich M., Göpel W. // Fresenius J. Anal. Chem. 1999. Vol. 365. P. 287.
- G. Korotcenkov, Handbook of gas sensor materials. Properties, advantages and shortcomings for applications. Volume 1: Conventional approaches. (Springer, Berlin-Germany, 2013).
- N. Barsan, D. Koziej, and U. Weimar, Sens. Actuators B. 121, 18 (2007).
- V. I. Gaman, E. Yu Sevast’anov, N. K. Maksimova, N. S. Segejchenko, and A. V. Drobot, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz. 57, 44 (2014).
- G. Eranna, B. C. Joshi, D. P. Runthala, and R. P. Gupta, Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences 29, 111 (2004).
- S. Capone, A. Forleo, L. Francioso, R. Rella, P. Siciliano, J. Spadavecchia, D. S. Presicce, and A. M. Taurino, J. Optoelectronics Adv. Mater. 5, 1335 (2003).
- A. G. Kozlov, O. V. Krivozubov, E. A. Kurdukova, and M. N. Lila, in Proc. 28th International Conference on Microelectronics (Nis, Serbia, 2012). pp. 165–168.
- T. Minami, Semiconductors and semimaterials 88, 159 (2013).
- D. I. Mychko, Yu. N. Lychkovskij, G. F. Karkotskij, and N. E. Boboriko in Proc. Sviridovskie chteniya (Minsk, Russia, 2008), vol. 4. 20740 [in Russian].
- G. Korotcenkov, Materials Science Engineering B. 139, 1 (2007).
- D. H. Lowndes, D. B. Geohegan, A. A. Puretzky, D. P. Norton, and C. M. Rouleau, Sci., New Series 273 (5277), 898 (1996).
- V. V. Kisin, V. V. Sysoev, S. A. Voroshilov, and V. V. Simakov, FTP 34, 314 (2000) [in Russian].
- O. V. Krylov, Geterogennyj kataliz. (Akademkniga, Moscow, 2004) [in Russian].
- R. Nisha, Energy and Environment Focus. 2, 157 (2013).
- H. Steffes, C. Imawan, F. Solzbacher, and E. Obermeier, Sens. Actuators B. 68, 249 (2000).
- V. Brynzari, G. Korotchenkov, and S. Dmitriev, J. Electron. Technol. 33, 225 (2000).
- N. Barsan, M. Schweizer-Berberich, and W. Göpel, Fresenius J. Anal. Chem. 365, 287 (1999).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Гришина И. А., Иванов В. А.
Исследование в области физики плазмы и плазменных технологий в России
в 2018 году (Обзор материалов «XLVI Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу», 18–22 марта 2019 г.) 231
Климов А. С., Зенин А. А., Золотухин Д. Б., Тюньков А. В., Юшков Ю. Г.
Генерация плазмы при ионизации газа электронными источниками в диапазоне давлений 1–100 Па (обзор) 249
Балданов Б. Б., Ранжуров Ц. В., Сордонова М. Н., Будажапов Л. В.
Изменение свойств и структуры поверхности семян зерновых культур под воздействием тлеющего разряда атмосферного давления 260
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Стрельцов В. А., Абилов В. В., Филиппов С. О.
Метод цифровой коррекции сигналов многорядных фотоприемных устройств для регистрации малоразмерных объектов 267
Якимов Ю. А., Мощев И. С., Диденко С. И.
Аналитическая модель МОП-транзистора на основе инверсионного заряда для мультиплексоров фотоприемных устройств, работающих при криогенных температурах 277
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Дёмин И. Е., Козлов А. Г.
Электрофизические и газочувствительные свойства тонких плёнок In2O3–Ga2O3, полученных импульсным лазерным напылением 290
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Лещева К. А., Мануилов В. Н.
Численное 3D-моделирование систем формирования винтовых электронных пучков гироприборов с азимутально неоднородным распределением тока эмиссии 298
Климук Е. А., Трощиненко Г. А., Фомин В. М.
Удаление свечной копоти и покровного лака с поверхности масляной живописи
с помощью фтороводородных лазеров 309
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
I. A. Grishina and V. A. Ivanov
Scientific researches on plasma physics and plasma technologies in Russia in 2018
(Review of reports of the XLVI International Zvenigorod Conference, 2019) 231
A. S. Klimov, A. A. Zenin, D. B. Zolotukhin, A. V. Tyunkov, and Yu. G. Yushkov
Plasma generation with electron sources at the medium gas pressures (a review) 249
B. B. Baldanov, Ts. V. Ranzhurov, M. N. Sordonova, and L. V. Budazhapov
Changes in the properties and surface structure of grain seeds under the influence of an atmospheric pressure glow discharge 260
PHOTOELECTRONICS
V. A. Streltsov, V. V. Abilov, and S. O. Filippov
The method of digital signals of TDI FPA correction for small-size objects registration 267
Yu. A. Yakimov, I. S. Moshchev, and S. I. Didenko
Analytical charge-based MOS transistor model for readout integrated circuits operating at cryogenic temperature 277
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
I. E. Demin and A. G. Kozlov
Electrophysical and gassensing properties of the In2O3–Ga2O3 thin films prepared by pulsed laser deposition 290
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
K. A. Leshcheva and V. N. Manuilov
Numerical simulation of 3-D systems of formation of helical electron beams of gyrodevices with azimutally inhomogeneous distribution of emission current 298
E. A. Klimuk, G. A. Troshchinenko, and V. M. Fomin
Removal of candle soot and coating varnish from the surface of oil painting by hydrogen fluoride laser 309
Другие статьи выпуска
Продемонстрирована возможность удаления свечной копоти с поверхности произведений масляной живописи с помощью фтороводородного лазера без повреждения красочного слоя, также показана возможность удаления покровного лака. Обе задачи могут быть решены без применения растворителей. Получены ориентировочные значения энергетической экспозиции, обеспечивающие режим воздействия безопасный для красочного слоя. Рассматривается механизм удаления покровного лака, включающий многофотонное (многоступенчатое) поглощение излучения HF-лазера. Обсуждаются перспективы создания автоматизированной установки для очистки произведений живописи на базе электроразрядных нецепных химических фтороводородных лазеров.
Разработана методика компьютерного моделирования трехмерных электронно-оптических систем (ЭОС) формирования винтовых электронных пучков (ВЭП) с неоднородным по азимуту распределением плотности тока эмиссии, предназначенных для использования в существующих и перспективных новых вариантах гиротронов. Методика позволяет впервые учесть влияние неоднородного распределения плотности тока эмиссии совместно с учетом тепловых скоростей электронов, шероховатостей эмитирующей поверхности и трехмерными возмущениями геометрии ЭОС. Алгоритм траекторного анализа основан на специальном задании стартовых условий для эмитируемых с катода частиц, последующем численном расчете электронных траекторий с помощью комплекса программ CST Studio Suite и далее специфической для систем формирования ВЭП методике расчета их параметров, пригодной для последующего расчета электрон-волнового взаимодействия и КПД прибора. Приведены результаты прямого численного моделирования систем с различными вариантами нарушений азимутальной симметрии плотности тока эмиссии.
В работе представлена физическая аналитическая компактная модель МОП-транзистора, работающего от комнатной до глубоко криогенной температуры, основанная на линеаризации заряда инверсионного слоя. Показано влияние вымораживания подложки и ионизации примеси, индуцированной полем, на электростатику транзистора. Температурное масштабирование ядра модели было получено с использованием точных уравнений для ширины запрещенной зоны, эффективной плотности состояний, уровня Ферми, энергии ионизации. Основное соотношение для инверсионного заряда с внешними напряжениями было дополнено эффектом неполной ионизации. Выведено уравнение для тока канала через инверсионные заряды, и расчеты были подтверждены с помощью приборно-технологического модели-рования в TCAD.
В работе предложен метод цифровой коррекции выходных сигналов многорядных инфракрасных (ИК) фотоприемных устройств (ФПУ), осуществляющих регистрацию малоразмерных объектов. Метод позволяет скорректировать форму импульсного отклика, искаженного в результате высокочастотной фильтрации внутри ФПУ, и повысить отношение сигнал/шум. Проведено сравнение метода, представленного в данной работе с методом согласованной фильтрации, и показана эффективность предложенного метода для уменьшения числа дефектных «аномально шумящих» каналов ФПУ. Исходными данными для расчетов служат изображения, полученные в результате стендовых испытаний ФПУ в режиме регистрации малоразмерного объекта при сканировании.
Исследовано воздействие тлеющего разряда атмосферного давления на поверхностные свойства семян зерновых культур. Показано, что плазменная обработка позволяет значительно улучшить контактные свойства поверхности семян и получить низкие значения краевых углов смачивания. Воздействие на оболочку семени неравновесной плазмы тлеющего разряда атмосферного давления приводит к модификации поверхности семени, заключающееся в проявлении на поверхности семени мелкоячеистой сетчатой структур. При увеличении длительности воздействия или мощности разряда эффекты травления на поверхности семени усиливаются, но при этом скорость прорастания семян не увеличивается с интенсификацией параметров обработки.
В статье приведен обзор последних достижений в области генерации и исследования пучковой плазмы, получаемой при ионизации газа стационарным низкоэнергетичным пучком электронов в форвакуумном диапазоне давлений (1–100 Па). Представлены особенности взаимодействия стационарного электронного пучка c создаваемой им плазмой при его транспортировке в вакуумной камере большого объема, а также результаты исследования параметров плазмы, создаваемой при инжекции электронного пучка в сосуд с диэлектрическими стенками. Показано, что в зависимости от параметров электронного пучка, давления и рода газа возможно создание условий коллективного взаимодействия с зажиганием пучково-плазменного разряда, отличающегося повышенным значением концентрации и температуры плазменных электронов.
Дан обзор новых наиболее интересных результатов, представленных на ежегодной «XLVI Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу», состоявшейся с 18 по 22 марта 2019 года в городе Звенигороде Московской области. Проведен анализ развития и достижений основных направлений исследований в области физики плазмы в России и их сравнение с работами за рубежом.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400