В работе представлена физическая аналитическая компактная модель МОПтранзистора, работающего от комнатной до глубоко криогенной температуры, основанная на линеаризации заряда инверсионного слоя. Показано влияние вымораживания подложки и ионизации примеси, индуцированной полем, на электростатику транзистора. Температурное масштабирование ядра модели было получено с использованием точных уравнений для ширины запрещенной зоны, эффективной плотности состояний, уровня Ферми, энергии ионизации. Основное соотношение для инверсионного заряда с внешними напряжениями было дополнено эффектом неполной ионизации. Выведено уравнение для тока канала через инверсионные заряды, и расчеты были подтверждены с помощью приборно-технологического моделирования в TCAD.
This paper presents a physics-based analytical compact model for MOS transistors operating from deep cryogenic to room temperature, the intrinsic part of this model is derived using inversion charge linearization approach. Influence of substrate freeze-out and fieldinduced ionization is included in transistor electrostatics. Precise expressions for silicon bandgap, effective density of states, Fermi-level and dopant activation energy are included in temperature dependence of model. Incomplete ionization effect is added to general inversion charge-voltage relation. The expression of current is derived in terms of inversion charge and results are validated with technology computer-aided design (TCAD) data.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.382. Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
- eLIBRARY ID
- 38564818