В работе описан метод контроля загрязнения поверхности полупроводниковых пластин на различных этапах производства. Этот метод включает в себя измерение шероховатости поверхности пластины на различных этапах проводимых операций. При этом степень загрязнения контролируемой поверхности определяется по характеру и величине шероховатости.
От наличия или отсутствия загрязнения, а также от его природы и количества зависит качество промежуточных результатов технологического процесса и необходимость выполнения тех или иных технологических операций, что, в свою очередь, напрямую связано с конечными характеристиками фоточувствительных элементов.
The paper describes the method for monitoring contamination of the semiconductor surface wafer which was developed by us. The method includes measuring the roughness of the surface wafer at various stages of production. In this case, the surface contamination is determined by the nature and value of roughness.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 44190049