Метод контроля загрязнения поверхности полупроводниковой пластины по изменению шероховатости (2020)
В работе описан метод контроля загрязнения поверхности полупроводниковых пластин на различных этапах производства. Этот метод включает в себя измерение шероховатости поверхности пластины на различных этапах проводимых операций. При этом степень загрязнения контролируемой поверхности определяется по характеру и величине шероховатости.
От наличия или отсутствия загрязнения, а также от его природы и количества зависит качество промежуточных результатов технологического процесса и необходимость выполнения тех или иных технологических операций, что, в свою очередь, напрямую связано с конечными характеристиками фоточувствительных элементов.
The paper describes the method for monitoring contamination of the semiconductor surface wafer which was developed by us. The method includes measuring the roughness of the surface wafer at various stages of production. In this case, the surface contamination is determined by the nature and value of roughness.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 44190049
Разработанный метод предназначен для контроля загрязнения поверхности полупроводниковых пластин на различных этапах производства. Он включает в себя измерение шероховатости поверхности пластины на различных технологических этапах. При этом степень загрязнения контролируемой поверхности определяется по изменению величины шероховатости.
Преимуществами данного метода являются его простота и скорость контроля загрязнения поверхности полупроводниковых пластин на различных этапах производства, что позволяет на любом этапе заметить загрязнение и принять своевременные меры для его устранения. Использование эффективного метода экспресс-контроля полупроводниковых пластин значительно упрощает работу, повышает вероятность получения ожидаемого результата в конце технологического маршрута и является необходимым условием для серийного выпуска изделий.
Список литературы
- Golovashkin D. L., Kazanskiy N. L., Soifer V. A., Pavelyev V. S., Solovyev V. S., Usplenyev G. V., Volkov A. V. Methods for Computer Design of Dif-fractive Optical Elements. – John Wiley & Sons, Inc., 2002, рp. 267–345.
- Казанский Н. Л. // Компьютерная оптика. 2006. № 29. С. 58.
- Казанский Н. Л., Колпаков В. А., Кричевский С. В. // Компьютерная оптика. 2005. № 28. С. 80.
- Полтавцев Ю. Г., Князев А. С. Технология обработки поверхности в микроэлектронике. – Киев: Тэхника, 1990.
- Харрик Н. Спектроскопия внутреннего отражения / пер. с англ. – М.: Мир, 1970.
- Бородин С. А. // Компьютерная оптика. 2006. № 28. С. 66.
- Бородин С. А., Волков А. В., Казанский Н. Л. // Компьютерная оптика. 2005. № 28. С. 70.
- Казанский Н. Л., Колпаков В. А., Колпаков А. И., Кричевский С. В., Ивлиев Н. А. // Компьютерная оптика. 2007. Т. 31. № 1. С. 42.
- ГОСТ 2789–73. Шероховатость поверхности. Параметры и характеристики.
- Уайтхауз Д. Метрология поверхностей. Принципы, промышленные методы и приборы. – Долгопрудный: Интеллект, 2009.
- Невлюдов И. Ш., Жарикова И. В., Перепелица И. Д., Резниченко А. Г. // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. 2014. № 2/5 (68). С. 25.
- Егоров В. А. Оптические и щуповые приборы для измерения шероховатости поверхности. – М.: Машиностроение, 1965.
- Никифорова А. Д. Взаимозаменяемость, стандартизация и технологические измерения. – М.: Высш. шк., 2000.
- Клепиков В. В., Порошин В. В., Голов В. А. Качество изделий. – М.: МГИУ, 2005.
- Дунин-Барковский И. В., Карташова А. Н. Измерения и анализ шероховатости, волнистости и некруглости поверхности. – М.: Машиностроение, 1978.
- Чекмарев А. А., Осипов В. К. Справочник по машиностроительному черчению. – М.: Высш. шк., 2005.
- Кован В. М., Корсаков В. С., Косилова А. Г. Основы технологии машиностроения: учебник для вузов. Изд. 3-е, доп. и перераб. – М.: Машиностроение, 1977.
- Бурцев В. М., Васильев А. С., Дальский А. М. и др. Технология машиностроения: в 2 т. Т. 1. Основы технологии машиностроения: учебник для вузов. Изд. 2-е, стереотип. – М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2001.
- D. L. Golovashkin, N. L. Kazanskiy, V. A. Soifer, V. S. Pavelyev, V. S. Solovyev, G. V. Usplenyev, and A. V. Volkov, Methods for Computer Design of Diffractive Optical Elements (John Wiley & Sons, Inc., N.Y., 2002), рp. 267–345.
- N. L. Kazanskiy, Computer optics, No. 29, 58 (2006).
- N. L. Kazanskiy et al., Computer optics, No. 28, 80 (2005).
- Y. G. Poltavcev, Surface treatment technology in microelectronics (Technics, Kiev, 1990).
- N. Harrick, Internal reflection spectroscopy (Mir, Moscow, 1970).
- S. A. Borodin, Computer optics, No. 28, 66 (2006).
- S. A. Borodin, A. V. Volkov, and N. L. Kazanskiy, Computer optics, No. 28, 70 (2005).
- N. L. Kazanskiy, V. A. Kolpakov, and A. I. Kolpakov, Computer optics 31 (1), 42 (2007).
- GOST 2789–73. Surface roughness.
- D. Whitehouse, Surface metrology (Intel-lect, Dolgoprudniy, 2009).
- I. S. Nevludov, I. V. Zharikova, I. D. Perepelica, and I. G. Reznichenko, East-European magazine, No. 2/5 (68), 25 (2014).
- V. A. Egorov, Optical and probe instru-ments for measuring of surface roughness (Mashinostroenie, Moscow, 1965).
- A. D. Nikiforov, Interchangeability, standardization and technological measurements (High school, Moscow, 2000).
- V. V. Klepikov, V. V. Poroshin, and V. A. Golov, Product quality (MGIU, Moscow, 2005).
- I. V. Dunin-Barkovsky et al., Measurements and roughness analysis (Mashinostroenie, Moscow, 1978).
- A. A. Chekmarev and V. K. Osipov, Drawing reference (High school, Moscow, 2005).
- V. S. Korsakov, Fundamentals of mechanical engineering technology (Mashinostroenie, Moscow, 1977).
- V. M. Burcev, A. S. Vasilyev, and A. S. Dalskiy, Mechanical engineering technology (BMSTU, Moscow, 2001).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Иодис В. А.
Падение давления в процессе конденсации паров в микро-, мини- и макроканалах (обзор) 315
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Богданов А. А., Гавриш С. В., Марциновский А. М., Столяров И. И.
Диагностика плазмы сильноточного цезиевого разряда с помощью рекомбинационного континуума 326
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Лопухин А. А., Болтарь К. О., Власов П. В., Ерошенков В. В., Чишко В. Ф., Кощавцев Н. Ф., Ларионов Н. А.
Оптимизация толщины фоточувствительного слоя матричного фотоприемного устройства на основе антимонида индия 334
Яковлева Н. И.
Оценка максимальной дальности обнаружения объектов с помощью пассивного фотоприемного устройства 341
Тригуб М. В., Шиянов Д. В., Храбров П. В., Бурлаков И. Д.
Активные оптические системы с усилителями яркости коротковолнового ИК-диапазона 351
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Горчаков Р. В., Коваленко О. Ю., Журавлева Ю. А., Микаева С. А.
Математическое моделирование температурных зависимостей температуропроводности фторида кальция с примесью трифторида иттрия и неодима 358
Трухачев А. В., Трухачева Н. С., Седнев М. В., Алеев Р. М.
Метод контроля загрязнения поверхности полупроводниковой пластины по изменению шероховатости 364
Костишин В. Г., Миронович А. Ю., Шакирзянов Р. И., Исаев И. М., Сергиенко А. А.
Технологические способы и механизмы формирования магнитной текстуры в пленках гексаферритов типа М при их вакуумном осаждении (обзор) 370
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
V. A. Iodis
The pressure drop in the condensation process of vapors in micro-, mini- and microchannels (a review) 315
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
A. A. Bogdanov, S. V. Gavrish, A. M. Martsinovsky, and I. I. Stolyarov
Plasma diagnostics of high-current cesium discharge using the recombination continuum 326
PHOTOELECTRONICS
A. A. Lopukhin, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, V. V. Eroshenkov, V. F. Chishko, N. F. Koschavtsev, and N. A. Larionov
Optimization of Photosensitive Layer Thickness in InSb FPA 334
N. I. Iakovleva
Estimation of the maximum distance to observation objects using a staring FPA 341
M. V. Trigub, D. V. Shiyanov, P. V. Khrabrov, and I. D. Burlakov
Active optical systems with brightness amplifiers in the short-wave IR range 351
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
R. V. Gorchakov, O. Yu. Kovalenko, Yu. A. Zhuravleva, and S. A. Mikaeva
Mathematical modeling of temperature dependences of fluoride temperature conductivity calcium mixtured with yttrium and neodium triphoride 358
A. V. Trukhachev, N. S. Trukhacheva, M. V. Sednev, and R. M. Aleev
Method for monitoring contamination of the semiconductor surface wafer by measuring the roughness 364
V. G. Kostishin, A. Yu. Mironovich, R. I. Shakirzyanov, I. M. Isaev, and A. A. Sergienko
Technological methods and mechanisms of magnetic texture formation in M-type hexafer-rite films during their vacuum deposition (a review) 370
Другие статьи выпуска
Работа посвящена моделированию температурных характеристик температуропроводящих свойств некоторых перспективных лазерных кристаллических материалов на основе фторида кальция, которые представляют особый интерес в качестве активных элементов для создания принципиально нового класса волноводных лазеров. В качестве образцов для исследования температуропроводящих свойств использовались фторидные кристаллы системы (x)CaF2-(y)YF3-(z)NdF3, выращенные методом вертикальной направленной кристаллизации (метод Бриджмена-Стокбаргера), имеющие следующий химический состав: № 1 – 93CaF2-7YF3, № 2 – 95CaF2-5YF3, № 3 – 90CaF2-7YF3-3NdF3. Получены модели экспериментальных кривых температуропроводности, произведен расчет температурных характеристик и предложено их использование для математического моделирования кривых температуропроводности в зависимости от процентного содержания примеси в некоторых кристаллах на основе фторида кальция.
Представлены результаты разработки активной оптической системы с усилителем яркости изображения на самоограниченных переходах атома марганца. Экспериментально показано, что усилитель яркости на парах хлорида марганца позволяет преобразовывать оптические сигналы (изображения) в видимом и ближнем ИК-диапазонах спектра с высоким временным разрешением (до 100 кГц), что открывает новые возможности для проведения визуально-оптического контроля. Показаны перспективы применения визуализации на ИК-переходах атома марганца (1289 нм и 1332 нм) с использование камер коротковолнового инфракрасного диапазона спектра на основе арсенида индия галия (InGaAs) производства АО «НПО «Орион». Проведено сопоставление изображений, формируемых на видимых переходах (534,1 и 542 нм) с изображениями, полученными на ИК-переходах (1289 и 1332 нм). Показана возможность регистрации изображения, формируемого одним импульсом усиления (длительность 40 нс).
В работе на основе энергетических характеристик оптико-электронной системы (ОЭС) предложена модель расчета максимальной дальности обнаружения l(, T) объекта наблюдения с учетом характеристик ОЭС, таких как: освещенность Ei(, Т) в плоскости изображения, апертура, диаметр входного зрачка и параметров ФПУ, таких как отношение сигнал/шум, пороговая мощность, площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), площадь матрицы. Проведена оценка дальности обнаружения объекта наблюдения в спектральном диапазоне 8–10 мкм, максимальное значение которой составило порядка 3,4 км.
Оптимизирована толщина матричных фотоприемных устройств средневолнового диапазона формата 640512 элементов с шагом 15 мкм на основе антимонида индия. Измерены интегральные распределения толщины и разброса толщины по площади матричного фоточувствительного элемента. Определена оптимальная толщина из сравнения зависимостей интегральных распределений толщины объемной структуры утоньшенного антимонида индия с оценкой видимости миры в МФПУ.
Проведен анализ спектров рекомбинационного континуума в цезиевом сильноточном импульсно-периодическом разряде высокого давления. Он показал, что в широкой области практически интересных режимов реабсорбция излучения континуума и радиальная неоднородность плазменного столба слабо влияют на интегральные спектры континуума. Из этих спектров для достаточно плоских распределений параметров плазмы определены температура на оси и концентрация. Экспериментально показана обратно-пропорциональная зависимость сечения излучательной рекомбинации от энергии рекомбинирующего электрона вплоть до энергий 1,3 эВ. Обнаружено появление значительного поглощения ультрафиолета сапфировой трубкой в диапазоне 350–400 нм после работы при больших энерговкладах в импульсе.
В статье дан обзор результатов исследований падения давления в процессе конденсации паров воды, смеси паров воды с парами этанола в горизонтальных трапециевидных, прямоугольных, квадратных, треугольных микроканалах при значениях критерия Бонда от 0,000805 до 0,036. Исследования показали, что конденсация в микроканалах приводит к росту падения давления, которое зависит от давлений на входе и выходе канала, массовой скорости пара, эквивалентного диаметра, теплового потока, степени сухости пара, а также от соотношения сторон микроканала. Анализ используемых для расчетов падения давления моделей, показал, что наименьшее расхождение результатов расчетов с экспериментальными данными в пределах 15 % дает модель Локкарта-Мартинелли. Также проведен обзор работ с результатами наблюдений конденсации потоков в горизонтальных микро-, мини- и макрока-налах (0,013 < Bo < 14,65) хладагентов R134a, R1234ze(E), CO2 прямоугольной и овальной форм. Исследования показали схожие результаты.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400