Особенности подготовки подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания эпитаксиальных слоев соединения кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (2022)

Твердый раствор кадмий-ртуть-теллур является в мире одним из основных материалов ИК-фотоэлектроники. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии обладает рядом преимуществ перед другими методами получения соединения кадмий-ртуть-теллур. Вместе с тем он достаточно требователен к подготовке подложек, предназначенных для ростовых процессов. Настоящая работа посвящена первичной отработке процессов полирования в освоении производства подложек кадмий-ртуть-теллур ориентации (211). Достигнутая шероховатость составила  1 нм.

The studies carried out in this work are aimed at fine-tuning processes the lapping and polishing technology in the serial production of CdZnTe wafers for molecular beam epitaxy.

Тип: Статья
Автор (ы): Трофимов Александр
Соавтор (ы): Косякова Анастасия Михайловна, Малыгин Владислав Анатольевич, Суханова Анна Сергеевна, Денисов Игорь Андреевич, Смирнова Наталья Анатольевна
Ключевые фразы: шероховатость поверхности, молекулярно-лучевая эпитаксия

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2022-10-3-289-300
eLIBRARY ID
49173904
Текстовый фрагмент статьи