С О Д Е Р Ж А Н И Е

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Электрическое поле вблизи проводящего острия, находящегося в жидкости, в присутствии пузырька Петрин А. Б. 99

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Расчет излучательных способностей нано- и микрочастиц и их двумерных массивов Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д., Хафизов Р. З. 115

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Струйная обработка поверхности меди ВЧИ-разрядом пониженного давления Каюмов Р. Р., Гайсин Ал. Ф., Гайсин Ф. М. 126

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Синтез высокочистой сурьмы квалификации 6N5 для применения в электронике Марончук И. И., Саникович Д. Д., Парфенова О. Р., Парфенов А. А., Молодцова Е. В. 136
Влияние стехиометрии на структуру, фазовый состав и оптические свойства новых полупроводниковых соединений Cu2–ASnS4 (A = Mg, Ca, Sr, Ba) (Обзор) Кольцов Е. Н., Гапанович М. В. 149

ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ

Пороговая плотность мощности воздействия моно-импульсного наносекундного лазерного излучения для InGaAs p–i–n фотодиодов с обратной засветкой Белик К. Д., Короннов А. А., Типтюх А. М., Митягин Д. О. 173

ИНФОРМАЦИЯ

Правила для авторов 184

C O N T E N T S

GENERAL PHYSICS

Electric field near a conducting tip in a liquid in the presence of a bubble Petrin A. B. 99

PHOTOELECTRONICS

Calculation of emissivity of nano- and microparticles and their two-dimensional arrays Sviridov A. N., Saginov L. D., and Khafizov R. Z. 115

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

Jet treatment of a copper surface by a low-pressure RF inductive discharge Kayumov R. R., Gaisin Al. F., and Gaisin F. M. 126

PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS

Synthesis of high-purity antimony grade 6N5 for use in electronics Maronchuk I. I., Sanikovich D. D., Parfenova O. R., Parfenov A. A., and Molodtsova E. V. 136
Effect of stoichiometry on the structure, phase composition, and optical properties of new Cu2–ASnS4 semiconductor compounds (A = Mg, Ca, Sr, Ba) (a review) Koltsov E. N. and Gapanovich M. V. 149

ELECTRON, ION, AND LASER BEAMS

Threshold power density of mono-pulse nanosecond laser radiation for back-illuminated InGaAs p–i–n photodiodes Belik K. D., Koronnov A. A., Tiptiukh A. M., and Mityagin D. O. 173

INFORMATION

Rules for authors 184

Статьи в выпуске: 7

Пороговая плотность мощности воздействия моно-импульсного наносекундного лазерного излучения для InGaAs p–i–n фотодиодов с обратной засветкой (2026)

Определены пороговые значения плотности мощности моноимпульсного лазерного излучения с длиной волны λ = 1535 нм и длительностью 8,6 нс, приводящего к деградации In0,53Ga0,47As p–i–n фотодиода с обратной засветкой. Выявлен немонотонный характер изменения темнового тока: в диапазоне от 18,2 до 166,6 МВт/см2 зафиксировано его снижение, тогда как при превышении 216,8 МВт/см2 наблюдается резкий рост тока и потеря работоспособности фотодиода. Экспериментально установлен порог образования абляционных кратеров (267,1–338,9 МВт/см2) и показана логарифмическая зависимость их диаметра от плотности мощности воздействия.

Пороговая плотность мощности воздействия моно-импульсного наносекундного лазерного излучения для InGaAs p–i–n фотодиодов с обратной засветкой (2026)

Определены пороговые значения плотности мощности моноимпульсного лазерного излучения с длиной волны λ = 1535 нм и длительностью 8,6 нс, приводящего к деградации In0,53Ga0,47As p–i–n фотодиода с обратной засветкой. Выявлен немонотонный характер изменения темнового тока: в диапазоне от 18,2 до 166,6 МВт/см2 зафиксировано его снижение, тогда как при превышении 216,8 МВт/см2 наблюдается резкий рост тока и потеря работоспособности фотодиода. Экспериментально установлен порог образования абляционных кратеров (267,1–338,9 МВт/см2) и показана логарифмическая зависимость их диаметра от плотности мощности воздействия.

Влияние стехиометрии на структуру, фазовый состав и оптические свойства новых полупроводниковых соединений Cu2–δASnS4 (A = Mg, Ca, Sr, Ba) (Обзор) (2026)

В обзоре представлены результаты исследований влияния состава на структуру, ширину запрещенной зоны, а также на времена жизни фотогенерированных носителей тока в новых полупроводниковых соединениях – Cu2-δASnS4 (A = Mg, Ca, Sr, Ba), полученных методом твердофазного синтеза в замкнутом объеме. Установлено, что наиболее стабильными являются Cu2-δSrSnS4 и Cu2-δBaSnS4 с тригональной структурой (P31). При этом наибольшие из времен жизни фотогенерированных носителей тока характерны для Cu2-δSrSnS4.

Синтез высокочистой сурьмы квалификации 6N5 для применения в электронике (2026)

Обзор содержит информацию о методах очистки сурьмы при их комплексном применении. Подобран оптимальный примесной состав для сурьмы квалификации 6N5, пригодной для использования в электронике, включающий 30 остаточных примесей количеством не более 0,00005 масс. %. Разработан новый способ и устройства получения сурьмы квалификации 6N5, основанный на использовании в одном цикле технологического процесса нескольких методов рафинирования: фильтрации расплава с его дегазацией и дополнительной очисткой через окисный слой, дистилляции с отгонкой легколетучих примесей с использованием геттерных фильтров и навесок металлов, основных второго и третьего дистилляционных процессов со сливанием материала и дальнейшей кристаллизационной очисткой, направленной кристаллизацией и/или зонной плавкой. Разработана технологическая схема процесса получения сурьмы квалификации 6N5, представлено ее описание. Проведены экспериментальные процессы очистки сурьмы марки Су0 до квалификации 6N5, осуществлен анализ элементного состава, получен продукт чистотой 99,99995 масс. %, со сквозным выходом 38 %.

Струйная обработка поверхности меди ВЧИ-разрядом пониженного давления (2026)

Представлены результаты исследования локальной струйной обработки поверхности медной пластины марки М1 высокочастотным индукционным (ВЧИ) разрядом пониженного давления. Экспериментально реализован устойчивый режим струйного ВЧИ-разряда при частоте 1,76 МГц и давлении порядка 30 кПа; варьировались основные технологические параметры процесса, включая ток и напряжение разряда, расход и геометрию струи. Показано, что струйная ВЧИ-обработка обеспечивает формирование локальной модифицированной зоны диаметром порядка 1,5 мм при минимальном тепловложении в прилегающие области. По данным сканирующей электронной и конфокальной лазерной микроскопии установлено сглаживание микрорельефа поверхности: параметр шероховатости Ra уменьшается с 0,82 до 0,50 мкм. Измерения микротвёрдости методом Виккерса выявили упрочнение приповерхностного слоя (HV0,2: 58 → 61). По результатам метода «лежачей капли» показано увеличение краевого угла смачивания с 80,2° до 86,4°, что указывает на снижение эффективной поверхностной энергии вследствие изменения микрорельефа и состояния тонкой оксидной плёнки. Электрохимические испытания в 0,5 М растворе NaCl не выявили существенного изменения потенциала разомкнутой цепи. Полученные результаты демонстрируют возможность управляемой локальной модификации рельефа и функциональных свойств поверхности меди М1 струйным ВЧИ-разрядом пониженного давления и подтверждают перспективность данного метода для предфинишной обработки медных деталей перед пайкой, нанесением покрытий и формированием электрических контактов.

Расчет излучательных способностей нано- и микрочастиц и их двумерных массивов (2026)

Рассмотрена модель, в которой тепловое излучение нано- и микрочастиц на каждой длине волны рассчитывается с использованием пространственно-спектральных мод и зависимости добротности электрически малых радиоантенн (ESA) от относительных (по отношению к длинам излучаемых волн λ) размеров этих частиц. Показано, что в рамках этой модели возможно рассчитывать излучательные способности не только отдельных частиц, но и их массивов, предполагая, что при достаточно близком расположении частиц (при L < λ/π) частицы излучают синхронно, как диполи на поверхности «большого тела».

Электрическое поле вблизи проводящего острия, находящегося в жидкости, в присутствии пузырька (2026)
Авторы: Петрин А. Б.

Исследуется электрическое поле вблизи заряженного проводящего острия с осевой симметрией, находящегося в жидкости. Рассматривается задача, в которой рядом с острием, на его оси, в жидкости присутствует пузырек, например, газа. Пузырек находится на оси острия, а его форма имеет общую с острием ось симметрии. Задача решается численно. Поля в каждой однородной области задачи представляются непрерывными распределениями вспомогательных зарядов. Граничные условия удовлетворяются в дискретных точках граничных поверхностей методом коллокации. Обсуждается распределение величины электрического поля в жидкости и внутри пузырька при различных условиях.