SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 515
  • Журналы 13
  • Организации 1
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Чинарева Инна Викторовна

Автор, Участник конференций
Город
Москва
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Должность: Руководитель структурного подразделения
SciID
0000000477
SPIN-код
4036-5740
ОНП
ingaasinp, лавинный фотодиод, глубина p–n-перехода, эпитаксиальные гетероструктуры, травитель, фотоприемник
Заходила
показать
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Должность: Руководитель структурного подразделения
ОНП
ingaasinp, лавинный фотодиод, глубина p–n-перехода, эпитаксиальные гетероструктуры, травитель, фотоприемник
14
работы
1
библиотека
0
блог
1
конференции
0
группы
0
контакты
Участница конференций: 1
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Участник
Работы Чинаревой И. В.: новые поступления
Формирование общего контакта в мезапланарных матрицах фоточувствительных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP
Статья
Формирование общего контакта в мезаплана…
Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок
Статья
Уменьшение времени восстановления чувств…
Исследование планарной матрицы p–i–n-фотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров
Статья
Исследование планарной матрицы p–i–n-фот…
Исследование влияния глубины диффузии на параметры матричных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Исследование влияния глубины диффузии на…
Особенности спектральной характеристики ультрафиолетовых GaP-фотодиодов на основе барьера Шоттки
Статья
Особенности спектральной характеристики …
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния
Статья
Пассивация и защита поверхности фотодиод…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.