Публикации автора

Редкоземельные металлы (РЗМ) играют критическую роль в развитии высокотехнологичных отраслей и обеспечении обороноспособности государств. Россия, обладая второй по величине разведанной ресурсной базой РЗМ в мире, сталкивается с парадоксом сырьевой зависимости: при колоссальном ресурсном потенциале страна импортирует до 90 % потребляемых редкоземельных металлов, преимущественно из Китая. В настоящей статье рассматривается стратегия России по достижению технологического суверенитета в сфере РЗМ. Анализ охватывает три ключевых направления: (1) геологический потенциал и перспективы освоения крупнейших месторождений (Томторское и др.), (2) структурная трансформация от импортозависимости к созданию полного цикла производства и (3) геополитическое позиционирование в условиях монополизации рынка Китаем. Исследование показывает, что, несмотря на планы наращивания добычи и производства РЗМ, Россия сталкивается с системными вызовами: отсутствие коммерчески эффективных технологий разделения РЗМ, высокая стоимость освоения арктических месторождений, ограниченный внутренний спрос (менее 1,5–2 тыс. т в год) и геополитические ограничения доступа к технологиям.

В условиях усиления геополитических рисков и перехода мировой экономики к новому технологическому укладу вопросы обеспеченности высокотехнологичных отраслей редкими металлами приобретают критическое значение. Галлий (Ga), германий (Ge) и индий (In), производимые как побочные продукты переработки руд цветных металлов, являются ключевыми материалами для оптоэлектроники, микроэлектроники и фотоэлектроники. В настоящей работе впервые для российских условий применяется методология количественной оценки относительной доступности побочных металлов, предложенная [8], основанная на расчете показателя TMEB (время до максимального извлечения в качестве побочного продукта). На основе анализа сырьевой базы России, мировых трендов производства и потребления, а также фактических данных выполнены оценки TMEB для Ga, Ge и In. Показано, что наиболее напряженная ситуация складывается с индием (TMEB ~15–20 лет с учетом российских реалий), тогда как галлий и германий сохраняют значительный потенциал роста (TMEB ~40–50 и ~30–40 лет соответственно), однако требуют принятия стратегических решений и создания производственных цепочек глубокой очистки до «полупроводникового» качества.

В статье предпринята попытка комплексного анализа рынка индия – ключевого технологического металла, характеризующегося высокой стратегической значимостью и структурной неустойчивостью. На основе системного подхода исследуются фундаментальные характеристики рынка: особенности сырьевой базы как побочного продукта, концентрированная география производства, эволюция потребительских секторов и крайняя волатильность цен. Особое внимание уделено анализу влияния геополитических факторов (экспортные ограничения КНР 2025 г.) на сбои в глобальных цепях поставок. Динамика рынка интерпретируется через концепцию длинных сырьевых суперциклов, что позволяет выявить макроэкономические драйверы ценовых трендов. В заключение сформулированы ключевые вызовы и перспективы, связанные с технологическими ограничениями извлечения металла и ростом инновационного спроса.

В статье исследуется взаимосвязь между макроэкономическими циклами и динамикой цен на ключевые сырьевые материалы микро- и оптоэлектронной промышленности (кремний, германий, галлий, индий, селен) в ретроспективе периода 1990–2025 гг. Актуальность работы обусловлена высокой волатильностью рынка этих материалов и их критической важности для таких отраслей, как производство полупроводников. Цель исследования – проверить гипотезу о том, что ценовые тренды на указанные материалы могут выступать индикатором общего состояния и циклических колебаний в электронной индустрии. Методологическую основу составляет системный подход, объединяющий ретроспективный анализ рыночных данных (USGS, SEMI) с положениями циклических экономических теорий, в частности, волновой теории Эллиотта и концепции «сырьевых суперциклов». На основе анализа ценовой динамики выделено пять характерных периодов, каждый из которых сопоставлен с ключевыми событиями в технологическом развитии и мировой экономике. Результаты исследования показали неоднозначный характер связи. В ранние периоды (начало 1990-х – середина 2000-х гг.) цены на большинство материалов не отражали общего роста электронного сектора, определяясь специфическими факторами (структурные изменения рынков, действия государственных резервов, политические события). Однако с середины 2000-х гг., с началом глобального сырьевого суперцикла и бурным ростом солнечной энергетики, динамика цен на поликремний, галлий и германий стала более синхронизированной с макроэкономическими трендами и инвестиционной активностью в секторе. Кризисные явления (2008, 2012, 2019 гг.) и последующие восстановления также находили отражение в ценах. Показано, что использование исторических ценовых паттернов в качестве инструмента прогнозирования требует крайней осторожности. Ценовая динамика исследуемых в совокупности материалов начала выступать индикатором состояния отрасли лишь в определенных условиях, когда рынки достигли значительных объемов и попали под влияние спекулятивного капитала и масштабных технологических сдвигов. Сделан вывод о нелинейности и обусловленности связи «цена-конъюнктура», что ограничивает прямое применение циклических моделей (типа Эллиотта) для надежного прогнозирования, но не отменяет их аналитической ценности для ретроспективного понимания рыночных механизмов.

From the perspective of a systemic approach, the evolution of China’s (PRC) state policy in the field of «innovative materials» (IM) production is examined. The strategies for a technological breakthrough and achieving technological sovereignty are reviewed in chronological sequence. The conclusion is drawn on the possibility and necessity of aligning the strategies of the two countries to foster Russia’s (RF) technological sovereignty. The imposition of sanctions on both Russia and China curtails the opportunities for IM production: logistical links are disrupted, the ability to procure components and finished products from technologically more advanced countries is impaired, and market access is restricted. Consequently, there is a growing need for research and development cooperation between China and Russia.

С точки зрения системного подхода рассматривается эволюция государственной политики КНР в области производства «инновационных материалов» (ИМ). В хронологической последовательности рассматриваются стратегии технологического рывка и достижения технологического суверенитета. Делается вывод о возможности и необходимости сближения стратегий двух стран для формирования технологического суверенитета РФ. Введение санкций, как для России, так и для Китая, сужает возможности производства ИМ: нарушаются логистические связи, возможности закупать комплектующие и готовые продукты в технологически более развитых странах, ограничивается рынок сбыта. Поэтому у Китая и России возрастает потребность в научно-исследовательской кооперации.

Индий относится к классу редких рассеянных металлов, т. е. встречающихся в малых количествах и практически не образующих собственных минералов, а входящих изоморфно в решетки других. По данным на 2025 год, мировые запасы индия оцениваются в 16 тыс. т, из которых экономически извлекаемыми считаются 11 тыс. т. Оценки эти очень приблизительные. Более точно оценить запасы индия сложно из-за того, что он извлекается как побочный продукт.

В периодической таблице Менделеева этот элемент с порядковым номером 52 долгое время оставался в тени более знаменитых соседей. Рассеянный в земной коре, он не образует собственных месторождений, а его содержание оценивается всего в 0,001 ppm, что сопоставимо с платиной. Его добыча всегда была не самоцелью, а лишь эпизодом в технологическом процессе получения меди и золота. Сегодня теллур переживает подъем. Скромный попутный продукт превратился в один из ключевых элементов новой экономики, который необходим для производства тонкопленочных солнечных панелей, термоэлектрических генераторов, фазовой памяти и даже дронов на новых физических принципа

A new method is developed for n-type, high-resistivity (up to 150 ohm • cm), large-diameter (up to 125 mm), low-cost silicon crystals for power devices such as diodes, thyristors and transistors. The required resistivity’ of silicon is achieved during both crystal growth and power device manufacturing processes. The main properties of UDCz silicon and some parameters of the transistors made from this silicon are presented.