С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Осипов К. А., Варюхин А. Н., Гелиев А. В.
Нестационарное уравнение диффузии проникновения переменного магнитного
поля в сверхпроводники в мейснеровском состоянии
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Гапонов О. В., Сокольский М. А., Романов Е. К.
Сравнение способов компенсации негативного влияния дефектных элементов на
пороговые характеристики каналов фотомодуля инфракрасного диапазона с
режимом временной задержки и накопления
Кирьянов А. А., Клинков В. А., Ларионова Т. В., Толочко О. В., Семенча А. В.,
Семенченко Н. А.
Определение основных характеристик процесса структурной релаксации в
системе As-Ge-Se методом термического анализа
Наумов А. В., Полесский А. В., Башкатов А. С., Астапова А. А.
Достижения и перспективы развития фотоэлектроники на Х Форуме
«Микроэлектроника 2024»
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Запетляев В. М., Жуков А. А., Лагов П. Б., Якухин С. Д.
Экспериментальная оценка радиационной стойкости СВЧ-фильтров космического
назначения на основе высокоомного кремния
Юрьев А. В., Адаменков Ю. А., Горбунов М. А., Калачева А. А., Шайдулина В. А.
Генерация излучения на длине волны 893 нм на метастабильных атомах криптона
с помощью оптической накачки
Назаренко П. Н.
Границы диапазона измерения метеорологической оптической дальности
трансмиссометрами
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
Osipov K. A., Varyukhin A. N. and Geliev A. V.
Unsteady equation of magnetic diffusion in superconductors in the Meissner state
PHOTOELECTRONICS
Gaponov O. V., Sokolsky M. A. and Romanov E. K.
The influence of modern methods of compensating for the negative effect of defective
photosensitive elements on the threshold characteristics of channels in the infrared focalplane
array with time delay integration mode
Kiryanov A. A., Klinkov V. A., Larionova T. V., Tolochko O. V., Semencha A. V. and
Semenchenko N. A.
Main characteristics determination of the structural relaxation process in the As-Ge-Se
system by thermal analysis 531
Naumov A. V., Polessky A. V., Bashkatov A. S. and Astapova A. A.
Achievements and development prospects of photoelectronics at the X Forum
«Microelectronics 2024»
PHYSICAL EQUIPMENT AND INS ELEMENTS
Zapetlyaev V. M., Zhukov A. A., Lagov P. B. and Yakukhin S. D.
Experimental assessment of radiation resistance of microwave filters based on highresistance
silicon for space purposes
Juriev A. V., Adamenkov Yu. A., Gorbunov M. A., Kalacheva A. A. and Shaidulina V. A.
Generation on metastable krypton atoms at a wavelength of 893 nm with optical
pumping
Nazarenko P. N.
Limits of the range of measuremen
Статьи в выпуске: 6
Представлены теоретические исследования криптон-гелиевой плазмы в качестве активной среды лазера с оптической накачкой. Созданы кинетические модели Ar-He и Kr-He плазмы и проведено сравнение эффективности наработки метастабильных атомов в данных средах. Показано, что Kr-He плазма позволяет получить более высокую концентрацию метастабильных атомов при меньшем напряжении разряда. Обоснована возможность получения в среде Kr-He одновременной лазерной генерации на двух длинах волн 877,7 нм и 892,9 нм. Проведены эксперименты по получению лазерной генерации на метастабильных атомах криптона на длине волны 892,9 нм. Для возбуждения метастабильных атомов криптона использовался импульсно-периодический разряд. Оптическая накачка осуществлялась излучением диодного лазера.
Представлена экспериментальная оценка характеристик СВЧ-фильтра на основе высокоомного кремния, выполненного по SIW (Substrate Integrated Waveguide)-технологии. Проведена итеративная обработки электронным излучением по разработанному алгоритму. Показана работоспособность фильтра при накопленной дозе 150 Мрад, критическое изменение S-параметров при накопленной дозе 300 Мрад.
Рассчитан коэффициент запаса при эксплуатации СВЧ-фильтра на различных орбитах. Показана возможность применения СВЧ-фильтра на внешних поверхностях космического аппарата без применения дополнительных мер защиты.
Дан обзор докладов, представленных на Форуме «Микроэлектроника 2024»на секции 12 «Технологии оптоэлектроники и фотоники», посвященных современному состоянию и перспективам развития.
Методом дифференциального термического анализа исследована структурная релаксация в стеклах As30Se70, As40Se60, Ge10As40Se50, Ge20Se80, охлажденных из расплава с разной скоростью; определены температуры стеклования стекол, определена зависимость температуры стеклования от скорости охлаждения. По экспериментально полученным зависимостям температуры стеклования от скорости охлаждения рассчитана энергия активации релаксации. Результаты сопоставлены со средним координационным числом и изменением удельного объема. Для стекла As40Se60 показана корреляция между температурой стеклования, удельным объемом и коэффициентом преломления, что позволяет давать количественные оценки температурно-временным изменениям физических структурно-чувствительных свойств стекол в процессе обработки и эксплуатации по анализу релаксационных кривых теплоемкости.
Рассмотрена группа актуальных способов компенсации негативного влияния дефектных элементов на пороговые характеристики фотомодулей (ФМ) инфракрасного диапазона (ИК) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН). Особенностью изучаемой группы является компенсация, основанная на деселекции (отключении) дефектных элементов. Проведены эксперименты по изучению влияния рассмотренных подходов на шум, отношение сигнал/шум (SNR) и удельную обнаружительную способность (D*) каналов ИК ФМ с режимом ВЗН. Анализ эмпирических данных показал, что современные инструменты компенсации негативного влияния обеспечивают улучшение шума и SNR каналов. Однако при этом способы ухудшают D* некоторой части каналов. Показано, что данный негативный эффект обусловлен критериями детектирования дефектных элементов, применяемыми в современных решениях. Известными правилами детектирования не оценивается, способно ли изменение SNR каналов после деселекции компенсировать потери их эффективной фоточувствительной площади (ЭФП). Предложен критерий, выполняющий данную оценку. Совокупное использование такого критерия с деселекцией позволяет улучшить шум и SNR каналов фотомодуля без ухудшения их D*.
Получено нестационарное уравнение диффузии проникновения переменного магнитного поля в сверхпроводники, находящихся в мейснеровском состоянии, в соответствии с двухжидкостной моделью, согласно которой все электроны в сверхпроводнике делятся на два типа – сверхпроводящие и нормальные. Представлена физическая интерпретация выведенного уравнения и отмечены некоторые его особенности. При гармоническом изменении магнитного поля данное уравнение сводится к модифицированному уравнению Лондонов, в котором получено комплексное выражение для глубины проникновения переменного магнитного поля в зависимости от частоты и долей концентраций нормальных и сверхпроводящих электронов (или фактически от температуры). Получены аналитические решения нестационарного уравнения диффузии в сверхпроводниках в некоторых частных случаях – для сверхпроводящего полупространства и плоскопараллельной сверхпроводящей пластины конечной толщины с заданными граничными и начальными условиями.