Матрицы ФПУ с улучшенной однородностью (2023)

Рассмотрены два возможных способа получения ФПУ на основе фотодиодных матриц из антимонида индия с улучшенной однородностью: использование структур, выращенных методом МЛЭ, и применение ионной обработки при изготовлении ФЧЭ из объемного материала. Представлены результаты исследований чувствительности в фотодиодных матрицах из InSb при воздействии оптического излучения ИК, видимого и УФ-диапазонов. Установлено, что метод ионной обработки стороны засветки МФЧЭ перед просветлением позволяет существенным образом подавить рекомбинацию фотоносителей на поверхности, а также улучшить адгезию наносимого антиотражающего покрытия (АОП). В результате ионной обработки уменьшается разброс чувствительности (токовой или вольтовой) по площади МФЧЭ в несколько раз.

Two possible methods for obtaining InSb FPA with improved uniformity are considered: the use of MBE-grown structures and the use of ionic milling in the manufacture of FPA’s from a bulk material. The results of studies of sensitivity in photodiode arrays of InSb under the incident of optical radiation in the IR, visible, and UV ranges are presented. It has been established that the method of the ionic milling backside of the FPA before anti-reflective coating can significantly suppress the recombination of photo carriers, as well as improve the adhesion of the applied anti-reflective coating. Decreases as a result of ion treatment spread of sensitivity (current or volt) over the array area in several times.

Тип: Статья
Автор (ы): Лопухин Алексей Алексеевич
Соавтор (ы): Пермикина Елена Вячеславовна, Болтарь Константин

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2023-11-5-421-432
eLIBRARY ID
54731073
Текстовый фрагмент статьи