Исследование радиационной стойкости линейного стабилизатора напряжения (2023)
Выполнена экспериментальная оценка влияния электрических режимов работы интегральной микросхемы линейного стабилизатора напряжения положительной полярности с номинальным выходным напряжением Uвых = 9 В («ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ») на дозовую радиационную стойкость с помощью разработанного аппаратно-программного комплекса на основе рентгеновской установки РИК–0401. Экспериментально установлено, что наиболее чувствительными параметрами стабилизатора напряжения к эффектам поглощенной дозы являются выходное напряжение и минимальное падение напряжения. Получены аналитические зависимости основных параметров стабилизатора напряжения от величины поглощенной дозы при радиационном облучении.
In the present work, the experimental estimation of the effect of the electrical modes of operation of the integrated circuit of a linear positive voltage regulator (KREMNY EL GROUP) with nominal output voltage Vout = 9 V on the total ionizing dose radiation hardness using the developed hardware-software complex based on the RIK–0401 X-ray equipment was carried out. It has been experimentally established that the most sensitive parameters of the voltage regulator to the effects of the total ionizing dose are the output voltage and the minimal voltage drop. Analytical dependences of the main parameters of the voltage regulator on the value of the total ionization dose during radiation exposure have been obtained.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 537.312.54. рентгеновских лучей
621.382.2. Полупроводниковые (кристаллические) диоды
621.382.3. Полупроводниковые триоды (транзисторы) - Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2023-11-5-446-454
- eLIBRARY ID
- 54731075
Исследована радиационная стойкость к эффектам поглощенной дозы линейного стабилизатора напряжения ИС-ЛС-9В с номинальным выходным напряжением положительной полярности Uвых = 9 В (металлокерамический корпус КТ-118-1) производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», выполненного по эпитаксиально-планарной БиКМОП технологии. Установлено, что наиболее чувствительными параметрами стабилизатора напряжения ИС-ЛС-9В к эффектам поглощенной дозы являются выходное напряжение и минимальное падение напряжения. Установлено, что увеличение тока нагрузки ИС-ЛС-9В с 10 мА до 1 А приводит к уменьшению ее уровня работоспособности по параметру Uвых до 56,7 %. Экспериментально установлено, что при наиболее жестком электрическом режиме (Uвх = 9,5 В и Iн = 1 А) параметрический отказ ИС-ЛС-9В наступает при уровне поглощенной дозы 387103 ед. Получены аналитические дозовые зависимости основных параметров стабилизатора напряжения от величины поглощенной дозы при радиационном облучении.
Список литературы
- Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналогово-цифровых электронных устройств. – М.: ДМК Пресс, 2018.
- Евсеев В., Наливкин И. / Электроника НТБ. 2014. № 8. С. 156.
- Knyaginin D. A., Kulchenkov E. A., Rybalka S. B., Demidov A. A. / J. Phys.: Conf. Ser. 2021. Vol. 2089. P. 012057.
- АО “ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ”. Новые изделия и перспективные разработки. [Электронный ресурс]. URL: https://soyuzmash.ru/docs/kom/Презентация%20АО
%20ГРУППА%20КРЕМНИЙ%20ЭЛ.pdf - Рыбалка С. Б., Демидов А. А., Кульченков Е. А. / Прикладная физика. 2022. № 3. С. 49.
- Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. – Минск: Наука и техника, 1986.
- Зебрев Г. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции. – М.: НИЯУ МИФИ, 2010.
- Таперо К. И., Диденко С. И. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники: радиационные эффекты в изделиях электронной техники. – М.: Изд. дом МИСиС, 2013.
- Линейные стабилизаторы и источники опорного напряжения – АО “ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ” [Электронный ресурс]. URL: https://group-kremny.ru/catalog/integralnye-skhemy/lineynye-stabilizatory-napryazheniya/
- АО ЭНПО СПЭЛС [Электронный ресурс]. URL: http://www.spels.ru
- McClure S., Pease R. L., Will W., Perry G. / IEEE Transactions on Nuclear Science. 1995. Vol. 41. № 6. P. 2544.
- Pease R. L., McClure S., Gorelick J., Witczak C. / IEEE Transactions on Nuclear Science. 1998. Vol. 45. № 6. P. 2571.
- Privat A., Davis W., Barnaby H. J., Adell P. C. / IEEE Transactions on Nuclear Science. 2020. Vol. 67. № 7. P. 1332.
- Белоус А. И., Солодуха В. А., Шведов С. В. Космическая электроника. – М.: Техносфера, 2015.
- Бойченко Д. В., Кессаринский Л. Н., Бори-сов А. А., Шведов С. В. / Материалы Всероссийской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость 2005». – Лыткарино, 2005. С. 81–82.
- Бойченко Д. В., Кессаринский Л. Н., Шведов С. В. / Материалы Всероссийской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость 2007». – Лыткарино, 2007. С. 17–18.
- Бородич Л. И., Герасимович А. И., Кеда Н. П., Мелешко И. Н. Справочное пособие по приближенным методам решения задач высшей математики. – Минск: Высшая школа, 1986.
- Халафян А. А. STATISTICA 6. Статистический анализ данных. – М.: Бином-Пресс, 2007.
- STATISTICA [Электронный ресурс]. URL: http://statsoft.ru/
- Vukić V. Dj. 6th International Conference on Electrical, Electronic and Computing Engineering. – ETRAN 2019. Srebrno Jezero. P. 695–700.
- Volovich G. I., Circuit Technique of Analog and Analog-digital Electronic Devices, Moscow, DMK Press, 2018 [in Russian].
- Evseev V. and Nalivkin I., Elektronika NTB, № 8, 156 (2014) [in Russian].
- Knyaginin D. A., Kulchenkov E. A., Rybalka S. B. and Demidov A. A., J. Phys.: Conf. Ser. 2089, 012057 (2021).
- JSC “Gruppa Kremny EL New Products and Fu-ture Developments [electronic resource] URL: https://soyuzmash.ru/docs/kom/Презентация%20АО%20ГРУППА%20КРЕМНИЙ%20ЭЛ.pdf
- Rybalka S. B., Demidov A. A. and Kulchen-kov E. A., Applied Physics, № 3, 49 (2022) [in Russian].
- Korshunov F. P., Bogatyrev Yu. V. and Vavi-lov V. A., Effects of Radiation on Integrated Circuits, Minsk, Nauka i Tekhnika, 1986 [in Russian].
- Zebrev G. I., Radiation Effects in Highly Integrat-ed Silicon Integrated Circuits, Moscow, NIYAU MIFI, 2010) [in Russian].
- Tapero K. I. and Didenko S. I., Fundamentals of Radiation Resistance of Electronic Products: Radiation Effects in Electronic Products, Moscow, Izd. dom MISiS, 2013 [in Russian].
- Linear voltage regulators and source reference voltage – JSC “Gruppa Kremny EL [electronic resource] URL: https://group-kremny.ru/catalog/integralnye-skhemy/
lineynye-stabilizatory-napryazheniya - JSC “Specialized electronic systems” (SPELS) [electronic resource] URL: http://www.spels.ru
- McClure S., Pease R. L., Will W. and Perry G., IEEE Transactions on Nuclear Science 41, 2544 (1995).
- Pease R. L., McClure S., Gorelick J. and Witczak C., IEEE Transactions on Nuclear Science 45, 2571 (1998).
- Privat A., Davis W., Barnaby H. J. and Adell P. C., IEEE Transactions on Nuclear Science 67, 1332 (2020).
- Belous A. I., Solodukha V. A. and Shvedov S. V., Space Electronics, Moscow, Tekhnosphera, 2015 [in Rus-sian].
- Boychenko D. V., Kessarinskiy L. N., Borisov A. A. and Shvedov S. V., in Proc. All-Russian Scientific Conference of Radiation Hardness of Electronic Systems – Hardness 2005. Lytkarino, 2005, pp. 81–82 [in Russian].
- Boychenko D. V., Kessarinskiy L. N. and Shvedov S. V., in Proc. All-Russian Scientific Conference of Radiation Hardness of Electronic Systems - Hardness 2007. Lytkarino, 2007, pp. 17–18 [in Russian].
- Borodich L. I., Gerasimovich A. I., Keda N. P. and Meleshko I. N., Reference manual on approximate methods for solving problems of higher mathematics. Minsk, Vysshaya shkola, 1986 [in Russian].
- Khalaphyan A. A., STATISTICA 6. Statistical data analysis, Moscow, Binom-Press, 2007 [in Russian].
- STATISTICA [electronic resource] URL: http://statsoft.ru/
- Vukić V. Dj., in Proc. 6th International Conference on Electrical, Electronic and Computing Engineering, Srebrno Jezero, 2019, pp. 695–700.
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Осипов К. А., Варюхин А. Н., Овдиенко М. А., Гелиев А. В.
Эквивалентная электрическая схема сверхпроводников на основе двухжидкостной модели при переменных токах 363
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
Воздействие солнечного излучения на пыль в околоземном пространстве 384
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Байдак В. А., Бычков В. Л., Сороковых Д. Е., Бычков Д. В., Ваулин Д. Н.
Воздействие струи плазмы капиллярного плазмотрона на металлы 399
Пименов И. С., Борщеговский А. А., Ахмедов Э. Р., Неудачин С. В., Новиков В. Н., Павлов В. Н., Рой И. Н., Шапотковский Н. В., Хромков И. Н.
Результаты по вводу СВЧ-излучения от гиротрона в вакуумную камеру токамака Т-15МД 407
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Полесский А. В., Лопухин А. А., Соломонова Н. А., Хамидуллин К. А., Деомидов А. Д., Семенченко Н. А.
Фотоприемники и фотоприемные устройства второго поколения: методы измерения 416
Лопухин А. А., Пермикина Е. В., Болтарь К. О., Гришина А. Н.
Матрицы ФПУ с улучшенной однородностью 421
Зверев А. В., Ипатов Д. Е.
Моделирование взаимодействия излучения со средой в программном комплексе симуляции трехмерных динамических сцен 433
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Кульченков Е. А., Рыбалка С. Б., Демидов А. А.
Исследование радиационной стойкости линейного стабилизатора напряжения 446
Обрезков О. И., Нагель М. Ю., Мартыненко Ю. В., Рукина Ю. И.
Методика измерений свойств кардиоэлектродных покрытий, осаждаемых плазменными методами 455
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
Osipov K. A., Varyukhin A. N., Ovdienko M. A. and Geliev A. V.
Equivalent electrical circuit of superconductors in accordance with a two-fluid model at alternating currents 363
Sviridov A. N. and Saginov L. D.
The effect of solar radiation on dust in near-Earth space 384
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Baidak V. A., Bychkov V. L., Sorokovykh D. E., Bychkov D. V. and Vaulin D. N.
The influence of a capillary plasma torch on metals 399
Pimenov I. S., Borschegovskiy A. A., Akhmedov E. R., Neudatchin S. V., Novikov V. N., Pavlov V. N., Roy I. N., Shapotkovsky N. V. and Khromkov I. N.
The first results on the injection of the HF-radiation from the gyrotron into the vacuum chamber of the T-15MD tokamak 407
PHOTOELECTRONICS
Polesskiy A. V., Lopukhin A. A., Solomonova N. A., Khamidullin K. A., Deomidov A. D. and Semenchenko N. A.
Second generation photodetectors and photodetector devices: measurement methods 416
Lopukhin A. A., Permikina E. V., Boltar K. O. and Grishina A. N.
Sensitivity uniformity improvement in InSb FPA 421
Zverev A. V. and Ipatov D. E.
An environmental radiation interaction modeling in dynamic scene simulation software 433
PHYSICAL EQUIPMENT AND INS ELEMENTS
Kulchenkov E. A., Rybalka S. B. and Demidov A. A.
Study of radiation hardness of linear voltage regulator 446
Obrezkov O. I., Nagel M. Yu., Martynenko Yu. V. and Rukina Yu. I.
Dependence of the operation of the cardioelectrode on the properties of coatings deposited by plasma methods 455
Другие статьи выпуска
Представлена методика измерений свойств покрытий кардиоэлектродов, осаждаемых плазменными методами. Методика измерений позволяет определять эффективность передачи заряда, импеданс, время деполяризации, а также нелинейные зависимости этих характеристик от подаваемого потенциала и длительности импульса. Покрытия, наносимые плазменными методами, имеют развитую поверхность (эффективную площадь превышающую площадь геометрической поверхности). Описанная методика позволяет определить параметр. Поверхность электродов исследовалась с помощью растровой электронной и атомно-силовой микроскопии, значения , полученные при этих исследованиях, сопоставляются с измеренными значениями.
Реализована поддержка трассировки пути в разработанном симуляторе трехмерных динамических сцен. Данный метод позволяет получить физически корректные изображения с учетом многократных взаимодействий электромагнитных волн с телами. Представлены результаты расчета нескольких сцен и оценка быстродействия аппаратно-ускоренной трассировки пути в видимом диапазоне длин волн.
Рассмотрены два возможных способа получения ФПУ на основе фотодиодных матриц из антимонида индия с улучшенной однородностью: использование структур, выращенных методом МЛЭ, и применение ионной обработки при изготовлении ФЧЭ из объемного материала. Представлены результаты исследований чувствительности в фотодиодных матрицах из InSb при воздействии оптического излучения ИК, видимого и УФ-диапазонов. Установлено, что метод ионной обработки стороны засветки МФЧЭ перед просветлением позволяет существенным образом подавить рекомбинацию фотоносителей на поверхности, а также улучшить адгезию наносимого антиотражающего покрытия (АОП). В результате ионной обработки уменьшается разброс чувствительности (токовой или вольтовой) по площади МФЧЭ в несколько раз.
Приводятся результаты двух фаз завершающих испытаний (конец 2021 – начало 2023 годов) по подготовке к первым экспериментам с круглой плазмой на установке токамак Т-15МД. На этом этапе система СВЧ-нагрева (гиротронный комплекс) установки оснащена одним гиротроном с рабочей частотой 82,6 ГГц и выходной мощностью около 1 МВт. Установлена фокусирующая система ввода СВЧ-излучения, которая может быть использована как для предыонизации рабочего газа, так и для нагрева плазмы. Осуществление СВЧ-пробоя планируется на второй гармонике необыкновенной волны. Испытания, проведённые на гиротронном комплексе Т-15МД, включали в себя юстировку вакуумированного зеркально-волноводного тракта, общая длина которого 37 м, и измерения потерь СВЧ-мощности до входа в камеру токамака. Измерения величины мощности гиротрона производились калориметрическим способом, при этом значение коэффициента передачи СВЧ-линии передачи составило величину не меньше 0,9. Осуществлён ввод СВЧ-излучения в камеру Т-15МД на уровне мощности 0,95 МВт при длительности импульса 125 мс.
Проведены эксперименты по воздействию струи капиллярного плазмотрона на стальные, медные образцы и проволоки из припоя. Энергия, вложенная в разряд, варьировалась от 0,3 до 1,5 кДж. При этом при взаимодействии струи капиллярного плазмотрона с припоем происходило образование компактных долгоживущих светящихся образований (КСО). При воздействии на припой получены КСО с необычно большими размерами внешним диаметром до 1,5 см, внутренним диаметром до 0,5 см и временем жизни до 7 с, которые состоят из ядра и оболочки и обладают плотностью энергии сравнимой с плотностью энергии горючих материалов.
Проведены расчеты температур частиц пыли (на примере углеродных частиц), нагреваемых солнечным и земным излучением, на высотах 65–100 км. Показано, что частицы достигают температур, при которых начинается видимое свечение (Т > 900 K) при высотах, превышающих 70 км. Максимальная температура частиц (Т = 2385 K) и максимальная интенсивность светло-синего свечения достигается на высоте 85 км. Показано, что на этой высоте минимальную температуру имеют частицы с размерами 10 мкм и более. Их температура не зависит от размера и оценивается величиной 300 K. Температура частиц с размерами меньшими 10 мкм увеличивается при уменьшении их размеров. Углеродные частицы с размерами меньшими 210-7 м нагреваются до температур 2385 K, сублимируются и в конечном итоге перестают существовать. Излучения скоплений подобных частиц на фоне темного неба в предрассветное или послезакатное время может представляться наблюдателям в виде светящихся облаков – Серебристых облаков. Пылинки из других материалов сублимируются при меньших температурах и, следовательно, солнечное излучение приводит к выжиганию подобных пылинок, находящихся в околоземном пространстве не только с субмикронными, но и с микронными размерами. На основе проведенных расчетов и анализа литературных данных в работе формулируется следующая гипотеза о природе серебристых облаков: Серебристые облака представляют собой скопления раскаленных наночастиц.
Рассмотрены переходные процессы в сверхпроводниках, протекающие при замыкании ключа (или его размыкании) в электрической цепи на постоянном токе, а также процессы при синусоидальном изменении электродвижущей силы (ЭДС) источника тока. Для описания переходных процессов представлена эквивалентная электрическая схема сверхпроводников в соответствии с двухжидкостной моделью, согласно которой все электроны в сверхпроводнике разделены на два типа – сверхпроводящие и нормальные. При этом впервые введены инерционные индуктивности для сверхпроводящих и нормальных электронов Ls и Ln, характеризующих динамику ускорения различных «сортов» электронов вследствие возбуждения электрического поля при переменных условиях, а также эффективное сопротивление Rn для описания диссипации энергии при возбуждении нормальных электронов. Получены зависимости нормального и сверхпроводящего токов, электрического поля в сверхпроводниках от частоты ЭДС источника тока, вычислены средняя мощность источника тока и тепловыделение за счет джоулевых потерь в сверхпроводнике при возбуждении нормальных электронов в зависимости от частоты и температуры.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400