Статья: К теории флуктуационных явлений в p-n-переходах с короткой базой на основе узкозонных полупроводников (2010)

Читать онлайн

На основе точного решения уравнения Ланжевена рассчитана зависимость спектральной плотности флуктуаций (СПФ) диффузионного тока и фототока р+-п-перехода с базой конечной длины от приложенного напряжения для случая омического и блокирующего контактов к базе. Показано, что ширина частотного диапазона, в котором СПФ диффузионного тока р+-п-перехода с короткой базой и блокирующим контактом имеет меньшее значение, чем СПФ диффузионного тока аналогичного р+-п-перехода с длинной базой, зависит от величины и знака смещения на р-п-переходе.

On the basis of exact solution of Langevin equation a dependence from applied voltage of fluctuations spectral density (SDF) of diffusion current and photocurrent of p+-n-junction with short base for cases ohmic and blocking contact to the base was calculated. It is shown, what width of frequency range, in which SPF of diffusion current of p+-n-junction with short base and blocking contact to the base has a less value, what SPF of diffusion current of analogical p+-n-junction with long base depends on a value and sign of voltage, applied to p-n-junction.

Ключевые фразы: флуктуация, спектральная плотность, р-n-переход, уравнение ланжевена
Автор (ы): Селяков Андрей Юрьевич (Selyakov A. Y.)
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Для цитирования:
СЕЛЯКОВ А. Ю. К ТЕОРИИ ФЛУКТУАЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В P-N-ПЕРЕХОДАХ С КОРОТКОЙ БАЗОЙ НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2010. №2
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.