Проведено моделирование распределенно‐резонансных систем клистронов с распределенным взаимодействием коротковолновой части миллиметрового диапазона. Выполнены расчеты схем взаимодействия электронного пучка с ВЧ‐полями распределенных резонаторов. Найдены схемы взаимодействия клистронов трехмиллиметрового диапазона, в которых обеспечивается выходная ВЧ‐мощность 120—190 Вт, усиление 25—32 дБ и полоса частот 150—210 МГц при анодном напряжении 14 кВ и токе пучка 0,16—0,20 А. Показана возможность расширения полосы частот до 310 МГц.
Extended resonance systems modelling of the shortwave millimeter wave extended interaction klystrons have been conducted. Numerical simulations of the interaction schemes of the electron beam with high frequence fields of the extended resonators have been executed. There were found the W-band klystron interaction schemes, that provide the output power of 120—190 W, gain of 25—32 dB and bandwidth of 150—210 MHz at the anode voltage of 14 kV and beam current of 0,16—0,20 A. Possibility of the bandwidth widening up to 310 MHz have been showed.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
В результате моделирования определены основные параметры распределенно‐резонансной системы для КРВ трехмиллиметрового диапазона, состоящей из шести распределенных резонаторов: входного и выходного трехзазорных и четырех промежуточных двухзазорных резонаторов.
Проведенный оптимизационный расчет схемы взаимодействия электронного пучка с ВЧ‐полями распределенных резонаторов показал возможность обеспечения на частоте 93,5 ГГц выходной ВЧ‐мощности 120—130 Вт, коэффициента усиления 26—32 дБ, полосы частот 160—215 МГц при ускоряющем напряжении 14 кВ и токе пучка 0,165 А и уровне входного сигнала 0,80—0,160 Вт.
Увеличение тока пучка до 0,2 А приводит к возрастанию уровня выходной ВЧ‐мощности до 195 Вт. Расширение полосы усиливаемых частот до 280—310 МГц достигнуто путем синхронной настройки одной группы распределенных резонаторов вблизи длинноволновой границы, а другой группы — также синхронной (или частично синхронной) настройкой частоты ближе к коротковолновой границе полосы пропускания.
Результаты моделирования и оптимизации схемы взаимодействия могут быть полезны при разработке КРВ коротковолновой части миллиметрового диапазона.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Быстрый прогресс нанотехнологий позволяет полагать, что в ближайшем будущем будут разработаны эффективные приемные устройства инфракрасного (ИК) и видимого диапазонов на основе антенных решеток. Обсуждены возможные принципы построения подобных устройств.
Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального подтверждения возможности создания модулируемых цезиевых источников излучения мощностью до 3 кВт. Показана эффективность увеличения электрической мощности лампы и радиуса разрядного канала в целях повышения пиковой силы излучения в среднем ИК‐диапазоне.
Рассмотрены преимущества микрокриогенной системы (МКС), работающей по обратному циклу Стирлинга в интегральном конструктивном исполнении, и вопросы технологии ее изготовления.
Рассмотрены принципы работы электро- и магнитокалорических охладителей и современное состояние этих методов охлаждения. Исследованы термодинамические характеристики нового типа электрокалорического охладителя, работающего без тепловых ключей. Показано, что при определенных условиях теоретический холодильный коэффициент может достигать холодильного коэффициента цикла Карно.
Метод диагностики PIN-фотодиодов с охранным кольцом, основанный на анализе вольт‐амперных характеристик и дифференциальных m- и n-параметров, был разработан для установления механизмов деградации при испытаниях на длительную наработку (life time) и контроля надежности “идеальных” и “неидеальных” фотодиодов с дефектами, приводящими к параметрическим отказам.
На основе точного решения уравнения Ланжевена рассчитана зависимость спектральной плотности флуктуаций (СПФ) диффузионного тока и фототока р+-п-перехода с базой конечной длины от приложенного напряжения для случая омического и блокирующего контактов к базе. Показано, что ширина частотного диапазона, в котором СПФ диффузионного тока р+-п-перехода с короткой базой и блокирующим контактом имеет меньшее значение, чем СПФ диффузионного тока аналогичного р+-п-перехода с длинной базой, зависит от величины и знака смещения на р-п-переходе.
Лазеры, источники когерентного ультрафиолетового (УФ) и вакуумного УФ (ВУФ) излучения, плазмохимические реакторы, реакторы для очистки загрязненных газов и т. д. можно отнести к классу устройств, рабочей средой которых является плазма, образованная в результате взаимодействия сильноточного релятивистского электронного пучка (СРЭП) с газом. Эффективность этих устройств, объединенных под общим названием “системы инжекционной газовой электроники” (СИГЭ), в основном зависит от эффективности передачи энергии пучка газу (ng = Wg / Wb) и эффективности преобразования переданной газу энергии Wg в энергию конечного продукта Win (nin = Win / Wg). Рассмотрен экспериментальный стенд-лазер как частный случай СИГЭ, на котором предполагается реализовать новый эффективный способ накачки в целях оптимизации энерговклада ng и полезного выхода nin
Приведены результаты расчета тепловых потоков переизлучения лазерной плазмы, образованной в результате воздействия мощного лазерного излучения с интенсивностью промодулированной СВЧ‐частотой. В рассматриваемом случае режима световой детонации результаты расчетов представлены в аналитическом виде. Показано, что возникающие в плазме вследствие поглощения лазерного излучения осцилляции газодинамических параметров приводят к возникновению осцилляций спектральной и интегральной яркости наблюдаемого с плазмы теплового переизлучения.
Рассмотрена изолированная система произвольного числа магнитоактивных объектов, каждый из которых выполнен как сверхпроводящий короткозамкнутый электрический контур. Показано, что взаимодействие таких объектов приводит к образованию устойчивых пространственных конфигураций при конечных и не равных нулю расстояниях между ними. Получены общие условия устойчивости равновесных конфигураций, соответствующих минимуму энергии системы таких контуров.
Момент сил Ампера, действующий на незамкнутую систему, равен моменту сил Био-Савара, действующему на ту же систему, плюс момент сил самодействия Био‐Савара, с которым система действует сама на себя. Поскольку для сил Ампера справедливо правило равенства и коллинеарности действия и противодействия, то полный момент тех и других сил в замкнутой системе равен нулю.
Для проверки гипотезы о левитации шаровой молнии над поверхностью проводника благодаря индуцируемым в нем вихревым токам проведены эксперименты по измерению величины силы, отталкивающей от медной пластины катушку диаметром 5,2 см, запитанную переменным током частотой 440 кГц и мощностью 4,6 кВт. Найдено, что на расстоянии 3 см эта сила не превышает 0,1 Н и резко уменьшается при удалении пластины от катушки. Это исключает вихревые токи как причину парения шаровой молнии. Предложена новая гипотеза, согласно которой левитация шаровой молнии может быть объяснена существованием коронного разряда на ее поверхности.
Представлен механизм образования объемной вязкости за счет релаксационного процесса перехода энергии ультразвуковой волны молекулам элементарных ячеек. Приведен вывод зависимости объемной вязкости от температуры для неполярных жидкостей.
Предложена модель теплопроводности пространственно армированной пенопластмассы (ПП). Показано, что на основе полученных уравнений можно определить градиенты температур и тепловые потоки во всех фазах композиции, используя известное осредненное поле температур в композите. Проведено сравнение расчетных значений эффективных коэффициентов теплопроводности однонаправлено и пространственно армированных ПП.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400