Статья: МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ БАРЬЕРНОГО СЛОЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ТРАНЗИСТОРА С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ (2025)

Читать онлайн

Представлены результаты моделирования возникновения пробоя в гетероструктуре транзистора с высокой подвижностью электронов при различной толщине барьерного слоя AlGaAs. В результате исследования было выявлено, что напряжение пробоя, измеренное по методу инжекции тока стока, при заданных параметрах гетероструктуры составляет 8,75 В и остается неизменным при изменении толщины барьерного слоя.

Ключевые фразы: напряжение пробоя, гетероструктура, phemt, инжекция тока стока, барьерный слой
Автор (ы): ШЕСТЕРИКОВА Д.А. (SHESTERIKOVA D.A.), ШЕСТЕРИКОВ А.Е. (SHESTERIKOV A.E.), ЕРОФЕЕВ Е.В. (EROFEEV E.V.), Троян Павел Ефимович (Troyan P. E.)
Журнал: ДОКЛАДЫ ТОМСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Образование
УДК
621.382.323. Полевые транзисторы(управляемые внешними полями)
Для цитирования:
ШЕСТЕРИКОВА Д.А., ШЕСТЕРИКОВ А.Е., ЕРОФЕЕВ Е.В., ТРОЯН П. Е. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ БАРЬЕРНОГО СЛОЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ТРАНЗИСТОРА С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ // ДОКЛАДЫ ТОМСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. 2025. Т. 28 № 1 (19 СТ.)
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.