МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ БАРЬЕРНОГО СЛОЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ТРАНЗИСТОРА С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ (2025)
Выпуск:
Т. 28 № 1 (19 ст.) (2025)
Представлены результаты моделирования возникновения пробоя в гетероструктуре транзистора с высокой подвижностью электронов при различной толщине барьерного слоя AlGaAs. В результате исследования было выявлено, что напряжение пробоя, измеренное по методу инжекции тока стока, при заданных параметрах гетероструктуры составляет 8,75 В и остается неизменным при изменении толщины барьерного слоя.