Статья: Оптоэлектронные свойства тонких пленок а-Si1-xGex: H (x = 0÷1) для солнечных элементов (2018)

Читать онлайн

В работе проанализированы возможности применения технологии плазмохимического осаждения пленок а-Si1-xGex: H (x = 0÷1), нелегированных и легированных PH3 и B2H6, для использования их в p–i–n-структурах солнечных элементов. Рассмотрены оптические, электрические, фотоэлектрические свойства, а также определено количество водорода в данной пленке. Найдено, что свойства пленки сильно зависит от состава и уровня гидрогенизации. Количество атомов водорода в пленках варьировали путем изменения составов газовой смеси, и измеряли ИК-поглощение для пленок а-Si: H и а-Ge: H. На основе пленок а-Si: H и а-Si0,88Ge0,12: H изготовлены солнечные элементы и созданы однослойные, двухслойные и трехслойные структуры, при этом измерены их оптоэлектронные характеристики. Найдено, что при площади элемента 1,3 см2 коэффициент полезного действия солнечного элемента (КПД СЭ) составляет соответственно 7; 8,9; 9,5 %.

Cosideration is given to the a-Si1-xGex: H (x = 01) thin films which were obtained by the method aSi1-xGex: H using gas mixtures H2 + SiH4; H2 + GeH4 in various proportions. It is determined that the highest value of R (up to 0.8) is observed for a-Si: H films deposited by the PCO method at a temperature of T = 300 oС with a discharge power of W = 100 W. From the given data on the ratio, the oscillator strength in the a-Si1-xGex: H film was estimated, wher the oscillator strengths are Q = 0.51 (for x = 0) and Q = 0.13 (for x = 1). Using the a-Si: H and a-Si0.88Ge0.12: H films, solar cells were fabricated which have single-layer, two-layer and three-layer structures. Their characteristics have been measured. It was found that for single-layer, two-layer and three-layer structures (with an area of an element of 1.3 cm2), the efficiency is 7 %; 8.9 %; 9.5 % respectively. For a three-layer element, the collection efficiency maximum shifts to the region of longer waves. It was obtained that, at illumination with light in the wavelength range of 0.3–1.1 μm for 120 hours, degradation wasn’t observed. It was shown that the structures of solar cells based on a-Si0.88Ge0.12: H and a-Si: H are effective. The further works to improve the quality of films and increase their efficiency are topical problems.

Ключевые фразы: гидрированный кремний, а-si1-xgex:h, плазмохимическое осаждение, Солнечные элементы, легирование
Автор (ы): Наджафов Бахтияр Агагулу оглы, Абдуллаев Ханвели Шахвели оглы
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
53. Физика
eLIBRARY ID
35212734
Для цитирования:
НАДЖАФОВ Б. А., АБДУЛЛАЕВ Х. Ш. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК А-SI1-XGEX: H (X = 0÷1) ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2018. ТОМ 6, №3
Текстовый фрагмент статьи