Главным фактором, который влияет на выходные характеристики, является темновой ток фотодиодов, который должен быть минимальным, чтобы снизить шумы и обеспечить высокий уровень фотоэлектрических параметров. Для выявления доминирующих причин генерации-рекомбинации в фотодиодах на основе тройного соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в заданном диапазоне напряжений разработана модель расчета темновых токов, обусловленных фундаментальными и иными токовыми механизмами. Определены составляющие темнового тока фотодиодов, изготовленных в гетероструктурах КРТ, выращенных методами молекулярно-лучевой (МЛЭ) и жидкофазной (ЖФЭ) эпитаксии, в диапазоне обратных напряжений смещения от 0 до 40 мВ. В диапазоне от 0 до 20 мВ обратного напряжения смещения характеристики ограничены диффузионной составляющей. Возрастание токов генерациирекомбинации Шокли-Рида-Холла (ШРХ) и туннелирования через уровни ловушек в запрещенной зоне наблюдается при напряжении обратного смещения более 30 мВ.
The main factor that effects on the performance of the photodiodes is the dark current, which should be small in order to reduce noise and ensure a high level of parameters. To identify the dominant mechanism of generation-recombination in MCT photodiodes in given voltage range, a dark current simulation due to fundamental and other current mechanisms have been proposed. Dependences of the dark current components in the range of reverse bias voltages from 0 to 40 mV have been determined for photodiodes fabricated in heterostructures on the base of cadmium-mercury telluride (CdHgTe) ternary solution grown by molecular beam epitaxy (MBE) and liquid-phase epitaxy (LPE). In the range from 0 to 20 mV reverse voltage bias characteristics are limited by the diffusion component. An increase in the Shockley-Reed-Hall (SHR) generation-recombination current and tunneling through trap levels in the band gap are observed at reverse bias voltage of more than 30 mV.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 41252115
