Проведены исследования структур в конфигурациях n-B(SL)-n и MI-n-B(SL)-n, сформированных на основе эпитаксиальных пленок, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) из HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области. Состав в поглощающем слое структур рассчитан на работу в диапазоне LWIR и составлял величину 0,22. Было изготовлено и исследовано два образца с разной архитектурой сверхрешетки. Исследование темновых токов n-B(SL)-n структур показало, что для обоих типов образцов наблюдается аномальная зависимость плотности тока от температуры с минимумом плотности тока при температурах 100–120 К. Выявлено доминирование компонент тока поверхностной утечки для обеих структур. На основании исследования адмиттанса структур MI-n-B(SL)-n показано, что характеристики исследованных структур в целом имеют вид, схожий с характеристиками МДП-структур, изготовленных на основе однородного Hg0,78Cd0,22Te.
The studies of n-B(SL)-n and MI-n-B(SL)-n structures formed on the basis of epitaxial films grown by the MBE method from HgCdTe with a superlattice in the barrier region are carried out. The composition in the absorbing layer of the structures is designed for operation in the LWIR range and was 0.22. Two different superlattice architectures of the sample were fabri-cated and studied. The study of dark currents of n-B(SL)-n structures showed that for both types of samples an anomalous dependence of the current density on temperature is observed with a minimum of the current density at temperatures of 100–120 K. The dominance of the surface leakage current components was revealed for both structures. Based on the study of the admittance of MI-n-B(SL)-n structures, it is shown that the characteristics of the studied structures as a whole have a form similar to the characteristics of MIS structures fabricated on the basis of homogeneous Hg0.78Cd0.22Te.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2025-5-15-24
