Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований воз-действия -нейтронного излучения на параметры светоизлучающих структур с мас-сивом наноостровков Ge(Si), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках «кремний на изоляторе». Данные структуры показали высокий уровень стойкости к воздействию -нейтронного излучения, сравнимый с уровнем стойкости структур с наноостровками Ge(Si) на подложках Si(001). Снижение интенсивности люминесценции данных структур совпадает с теоретической оценкой степени влияния радиационных дефектов. Результаты моделирования, а также экспериментальные данные показывают, что на радиационную стойкость светодиодов в наибольшей степени влияет структура массива наноостровков Ge(Si), обусловленная технологией их изготовления.