Успехи прикладной физики

В статье рассматривается современное состояние и текущие разработки микрокриогенных систем Стирлинга. За последние десять лет новые исследования
открыли потенциал для существенного улучшения и расширения областей применения микрокриогенных машин. Рассмотрены методы компьютерного моделирования криогенных систем. Представлены и обобщены проблемы современных интегральных роторных криогенных систем Стирлинга и улучшения, внесенные в конструкцию коммерческих криогенных машин. Также представлена общая тенденция развития новых микрокриогенных систем.

Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p–n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p–n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ nканального и ранее разрабо-танного р-канального полевых транзисторов. Для оценки адекватности модели транзистора проведен ряд измерений статических параметров экспериментальных образцов, в т. ч. в экстремальном диапазоне температур, изготовленных по рассчитанному технологическому маршруту. На основе полученных данных выбран наиболее оптимальный вариант по соотношению статических и динамических параметров.

Для получения фоточувствительного материала HgCdTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии предпочтительно использовать изотипные подложки CdZnTe. Одним из методов выращивания таких монокристаллов и подложек является метод Давыдова–Маркова. Кристаллы CdZnTe, выращенных этим методом, характеризуются высокой однородностью параметров и практически полностью могут быть использованы для изготовления устройств и подложек. В рамках работы была показана возможность получения таких монокристаллов CdZnTe и перспективы развития этого направления.

В приближении квазинейтральности проведено теоретическое исследование преобразования скорости междузонной фотогенерации носителей слабым оптическим излучением в гомогенном полупроводнике в электрический ток при отсутствии внешнего электрического поля. Рекомбинация фотоносителей предполагалась примесной. Выведено аналитическое соотношение для коэффициента фотоэлектрического преобразования образцом с блокирующими электронный ток контактами. Исследована зависимость коэффициента фотоэлектрического преобразования от концентрации центров рекомбинации. Показана возможность возникновения фототока несмотря на отсутствие внешнего электрического поля