Статья: Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области (2024)

Читать онлайн

В широком диапазоне температур проведено исследование механизмов формирования темнового тока и фототока в nBn-структуре на основе n-HgCdTe, выращенной
методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), со сверхрешеткой в барьерной
области. Исследовано влияние различных уровней постоянной подсветки на электрические характеристики структур. Проведен анализ поведения объемной компоненты тока JB и компоненты тока поверхностной утечки JS при различных напряжениях смещения и температурах. Исследование показало сильную зависимость плотности темнового тока от температуры. Продемонстрировано существенное влияние
постоянной подсветки ИК-светодиодом на значение плотности тока. Показано доминирование компонент тока JB над JS во всём исследованном диапазоне напряжений смещения и температуры.

Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич (Voytsehovskiy A. V.), Дзядух Станислав Михайлович (Dzyaduh S. M.), Горн Дмитрий Игоревич (Gorn D. I.), Дворецкий Сергей Алексеевич (Dvoretskiy S. A.), Михайлов Николай Николаевич (Mihaylov N. N.), Сидоров Георгий Юрьевич (Sidorov G. Y.)
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., ДЗЯДУХ С. М., ГОРН Д. И., ДВОРЕЦКИЙ С. А., МИХАЙЛОВ Н. Н., СИДОРОВ Г. Ю. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТОКА В NBN-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ HGCDTE СО СВЕРХРЕШЕТКОЙ В БАРЬЕРНОЙ ОБЛАСТИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2024. № 4
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.