Оптические и электрофизические свойства барьерно-диодной гетероструктуры на основе InSb (2024)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InSb(100) получена барьерно-диодная (nBn) структура с униполярным барьером In0,8Al0,2Sb. Кристаллическое совершенство структуры и её соответствие номинально заложенному дизайну подтверждено с помощью рентгеноструктурного анализа. Электронная подсистема полученной nBn-структуры охарактеризована с помощью измерений микроскопии растекания тока на сколе (011).

Тип: Статья
Автор (ы): Савин Константин Антонович
Соавтор (ы): Минаев Илья Иванович, Клековкин Алексей Владимирович, Ерошенко Григорий Николаевич, Николаев Сергей Николаевич, Пручкина Анна Артемовна, Пашкеев Дмитрий Александрович, Свиридов Дмитрий Евгеньевич

Идентификаторы и классификаторы

УДК
538.915. Электронные состояния и электронные структуры