Статья: Пассивация фоточувствительных элементов InSb (100) анодным окислением в растворе сульфида натрия с предварительным сульфидированием поверхности (2020)

Читать онлайн

Исследованы C-V характеристики МДП-структур, изготовленных на основе антимонида индия и диэлектрического покрытия, полученного методом анодного окисления в растворе Na2S в двухстадийном режиме. Сформированное покрытие обладает высоким качеством с низкой плотностью быстрых и медленных поверхностных состояний. Рассчитанные значения Dit и NF составили 21011 см-2 эВ-1 и 9,21010 см-2, соответственно. Изучена зависимость величины гистерезиса от напряжения. Проведение предварительного сульфидирования в растворе (NH4)2S – этиленгликоль позволило значительно уменьшить величину гистерезиса и на 25 % снизить плотность состояний на границе раздела. Значение среднеарифметической шероховатости, Ra, после анодирования увеличилось с 0,6 нм до 0,9 нм, но при этом предварительное сульфидирование не оказывает существенного влияния на данный параметр. Сформированное диэлектрическое покрытие обладает достаточной сплошностью пленки для ее применения в качестве пассивирующего покрытия фоточувствительных элементов (ФЧЭ) InSb.

The MIS-structures of InSb with anodically grown dielectric coating in galvanostatic mode in sodium sulfide solution were studied. Fast and slow surface states extracted by using the C-V characteristics method. The extracted values of Dit and Nf were 21011 cm-2, eV-1 and 9.21010 cm-2, respectively. The hysteresis behavior was investigated. Additional sulfidation pretreatment using (NH4)2S – ethylenglycol solution lower the value of hysteresis and 25 % reduce the interface state density. The arithmetic average roughness after anodizing increases from 0.6 nm to 0.9 nm, but preliminary sulfidation does not significantly affect this parameter. The formed dielectric coating has sufficient film continuity for its use as a passivating coating of InSb based FPA’s.

Ключевые фразы: InSb, пассивация, сульфидирование, анодное оксиление, ФЧЭ, ИК ФПУ, средневолновый ик-диапазон спектра, c-v характеристики, АСМ, рэм, passivation, sulfidation, anodic oxidation, photodiode array, IR FPA, MWIR, c-v characteristics, AFM, sem
Автор (ы): Мирофянченко Андрей
Соавтор (ы): Попов Виктор
Журнал: Прикладная физика

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592.3. Легированные полупроводники
621.383.522. Фотодиоды с p-n-переходом
eLIBRARY ID
43807692
Для цитирования:
МИРОФЯНЧЕНКО А., ПОПОВ В. ПАССИВАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ INSB (100) АНОДНЫМ ОКИСЛЕНИЕМ В РАСТВОРЕ СУЛЬФИДА НАТРИЯ С ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫМ СУЛЬФИДИРОВАНИЕМ ПОВЕРХНОСТИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2020. № 3
Текстовый фрагмент статьи