Исследованы C-V характеристики МДП-структур, изготовленных на основе антимонида индия и диэлектрического покрытия, полученного методом анодного окисления в растворе Na2S в двухстадийном режиме. Сформированное покрытие обладает высоким качеством с низкой плотностью быстрых и медленных поверхностных состояний. Рассчитанные значения Dit и NF составили 21011 см-2 эВ-1 и 9,21010 см-2, соответственно. Изучена зависимость величины гистерезиса от напряжения. Проведение предварительного сульфидирования в растворе (NH4)2S – этиленгликоль позволило значительно уменьшить величину гистерезиса и на 25 % снизить плотность состояний на границе раздела. Значение среднеарифметической шероховатости, Ra, после анодирования увеличилось с 0,6 нм до 0,9 нм, но при этом предварительное сульфидирование не оказывает существенного влияния на данный параметр. Сформированное диэлектрическое покрытие обладает достаточной сплошностью пленки для ее применения в качестве пассивирующего покрытия фоточувствительных элементов (ФЧЭ) InSb.
The MIS-structures of InSb with anodically grown dielectric coating in galvanostatic mode in sodium sulfide solution were studied. Fast and slow surface states extracted by using the C-V characteristics method. The extracted values of Dit and Nf were 21011 cm-2, eV-1 and 9.21010 cm-2, respectively. The hysteresis behavior was investigated. Additional sulfidation pretreatment using (NH4)2S – ethylenglycol solution lower the value of hysteresis and 25 % reduce the interface state density. The arithmetic average roughness after anodizing increases from 0.6 nm to 0.9 nm, but preliminary sulfidation does not significantly affect this parameter. The formed dielectric coating has sufficient film continuity for its use as a passivating coating of InSb based FPA’s.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 43807692