Представлены результаты разработки матричного фотоприёмного устройства (ФПУ) с фотоприёмником на основе nBn фотодиодов, обладающих чувствительностью в спектральном диапазоне 3–5 мкм. Структуры для изготовления nBn фотодиодов с активным слоем InAs1-хSbх и барьерным слоем AlAs1-ySby выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaSb. Матричный фотоприёмник имел формат 640512 элементов с шагом 20 мкм. Показано, что разработанное ФПУ может обеспечивать достижение требуемых пороговых характеристик чувствительности при повышенных рабочих температурах. Достигнутое значение эквивалентной шуму разности температур составило около 0,02 К при температуре фотоприёмника не ниже 130 К.
Results of IDDCA development based on nBn photodetector sensitive in 3–5 μm interval are presented. Photodetector array had 640512 pixels format and 20 μm pitch. Wafers for nBn diodes manufacturing were grown by molecular beam epitaxy on GaSb substrate and contained active layer InAs1-хSbх and barrier layer AlAs1-ySby. It was shown that developed IDDCA can provide achievement of desirable sensitivity at higher operating temperature. Noise equivalent temperature difference near 0.02 K was achieved at 130 K operating temperature of detector.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем - eLIBRARY ID
- 43807691