Статья: Влияние вакуумного отжига на электрические свойства кристаллов 6H-SiC (2020)

Читать онлайн

В работе исследовано влияние процесса термодеструкции в вакууме при температуре 1300 оС на электрофизические свойства кристаллов 6H-SiC. Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления кристаллов 6H-SiC до и после обработки. Установлено, что удельное сопротивление кристаллов при этом возрастает многократно (в 300 раз). Показано, что в результате обработки на поверхности 6H-SiC формируются графеновые слои, а система n-SiC-графен представляет собой диод Шоттки.

The influence of vacuum thermodestruction at a temperature of 1300C on electric properties of crystals 6H-SiC are investigated in this work. Temperature dependence of resistivity of crystals of 6H- SiC before and after treatment were investigated. It has been found that the resistivity of crystals increases many times (300 times). As a result of the treatment, graphene layers are formed on the surface of the 6H-SiC, and the n-SiC-graphene system is a Schottky diode.

Ключевые фразы: удельное сопротивление, карбид кремния, графен, диод Шоттки, зондовая микроскопия, resistivity, silicon carbide, graphene, Schottky diode, atomic force microscopy
Автор (ы): Гаджимагомедов Султанахмед Ханахмедович
Соавтор (ы): Муслимов Арсен Эмирбегович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
535.016. Оптические явления, зависящие от свойств поверхностей раздела
539.231. механическим путем, например напылением
eLIBRARY ID
43807697
Для цитирования:
ГАДЖИМАГОМЕДОВ С. Х., МУСЛИМОВ А. Э. ВЛИЯНИЕ ВАКУУМНОГО ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ 6H-SIC // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2020. № 3
Текстовый фрагмент статьи