ISSN 1814-2400
Язык: ru

Статья: DFT-АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО И ЗАРЯДОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ИНТЕРФЕЙСЕ SI/GE/SI ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ДЫРОЧНЫХ КУБИТОВ (2024)

Читать онлайн

Наиболее популярными на сегодняшний день квантовыми вычислителями являются спиновые кубиты, а особенно можно выделить дырочные спиновые кубиты. Базовым материалом для реализации данной технологии считается германий. Главной особенностью германия является сильное спин-орбитальное взаимодействие, способность к масштабируемости и совместимость с классическим производственным процессом. В данной работе методом ab-initio расчета было произведено построение модели интерфейса Ge-Si и исследованы квантовые состояния интерфейса кремния и германия, представляющего собой тонкослойную структуру Ge, заключённую между слоями Si, при наличии в нём дырок с четным и нечетным числом. Были определены локализации дырочных состояний в интерфейсе, произведен анализ зарядового распределения в системе.

Ключевые фразы: дырочный кубит, химия, квантовые состояния, теория функционала плотности, атомная структура
Автор (ы): Гончаров Алексей Васильевич
Соавтор (ы): Чибисов Андрей Николаевич, Чибисова Мария Анатольевна
Журнал: ИНФОРМАТИКА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ

Идентификаторы и классификаторы

УДК
537.9. Физика конденсированного состояния
Для цитирования:
ГОНЧАРОВ А. В., ЧИБИСОВ А. Н., ЧИБИСОВА М. А. DFT-АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО И ЗАРЯДОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ИНТЕРФЕЙСЕ SI/GE/SI ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ДЫРОЧНЫХ КУБИТОВ // ИНФОРМАТИКА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ. 2024. № 4 (82)
Текстовый фрагмент статьи