Предложены тестовые матричные структуры с изменяемой площадью p–n-переходов и топологией, идентичной топологии рабочих фотодиодных матриц формата 640512 с шагом 15 мкм, сформированные методами фотолитографии групп объединенных элементов на периферии рабочих пластин. Проанализированы возможности тестовых матричных структур для определения качества пассивации в МФПУ на основе InSb посредством измерения зависимостей темнового тока от отношения периметра к площади фотодиодов. Показано, что предложенные тестовые структуры позволяют определить источники темнового тока и существенно ускорить разработку новых пассивирующих покрытий в широкоформатных матричных фотоприемниках с малым шагом.
Test array structures with a variable area of p–n junctions are proposed to determine the quality of passivation in 640512 InSb FPA with a pitch of 15 m by measuring the de-pendences of the dark current on the ratio of the perimeter to the area of the photodiodes. The capabilities of the manufactured test array structures are analyzed. It is shown that the proposed structures make it possible to determine the sources of dark current, as well as to significantly accelerate the development of new passivating coatings in InSb FPA.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2025-13-1-21-29