Разработка фотокатодов солнечно-слепого диапазона на основе ГЭС нитрида галлия алюминия, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (2015)
В статье показана возможность создания фотоэлектронного прибора с микроканальным усилением и ОЭС-фотокатодом на основе гетероструктуры AlGaN: Mg/AlN/c-Al203, выращенной на стандартной сапфировой подложке и полученной методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2015)
Бесконтактное измерение концентрации электронов в нелегированных гомоэпитаксиальных слоях InSb (2016)
При помощи инфракрасного фурье-спектрометра измерялись спектры фотоотражения нелегированного InSb, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке n+-InSb. По периоду наблюдаемых при низких температурах осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжённость приповерхностного электрического поля. Поскольку значение пиннинга уровня Ферми стабилизировалось обработкой образцов в водном растворе Na2S, величина поля зависела, в основном, от концентрации свободных носителей заряда. Обнаружено влияние температуры предварительного отжига подложки на концентрацию электронов в эпитаксиальном слое.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2016)