Диффузия серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP при изготовлении pin-фотодиодов (2012)
Исследованы причины появления повышенной емкости pin-фотодиодов на основе InGaAs/InP. Показана связь повышенной емкости с диффузией серы из высоколегированной подложки InP в эпитаксиальный слой InGaAs. Такое неожиданное поведение серы объясняется образованием вакансий при диффузии кадмия в слой InGaAs, которые способствуют увеличению коэффициента диффузии серы в InGaAs.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2012)
Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP (2016)
В настоящей работе приведены экспериментальные исследования влияния режимов МОСгидридной эпитаксии на структурные и электрофизические свойства гетероструктур InGaAs/InP. Выбранные режимы использовались для выращивания приборных структур, на которых изготовлены планарные лавинные фотодиоды. По результатам измерения их фотоэлектрических характеристик был сделан вывод о возможности использования разработанных структур для изготовления планарных лавинных фотодиодов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2016)