Публикации автора

Особенности спектральной характеристики ультрафиолетовых GaP-фотодиодов на основе барьера Шоттки (2015)

Исследована спектральная характеристика фотоприемного устройства (ФПУ) на основе ультрафиолетового фотодиода Шоттки из GaP. Показаны два механизма формирования спектральной характеристики: в области 0,28—0,54 мкм — собственное поглощение, в области более 0,54 мкм — поглощение на барьере Шоттки. В первой области спектральной чувствительности ФПУ может работать как пороговый фотоприемник. Во второй области спектральной чувствительности ФПУ способно работать как обнаружитель мощных оптических сигналов.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №1 (2015)
Автор(ы): Варганова Виолетта Станиславовна, Кравченко Николай Владимирович, Патрин Владимир Михайлович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна, Тришенков Михаил Алексеевич
Сохранить в закладках
Особенности схемотехники импульсных пороговых ФПУ c малым временем восстановления чувствительности после воздействия импульса перегрузки (2015)

Данная работа посвящена рассмотрению и практической реализации различных схемных решений быстродействующих фотоприемных устройств, основанных на использовании в качестве фоточувствительного элемента фотодиодов, оптимизированных для приема на спектральный диапазон 0,85—1,067 мкм. При этом длительность входных оптических сигналов может изменяться в широком диапазоне от 5 до 400 нс, с уровнями регистрируемых энергий от 110-16 до 210-9 Дж.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №1 (2015)
Автор(ы): Боровков Павел Михайлович, Казарин Лев Николаевич, Кравченко Николай Владимирович, Потапов Анатолий Васильевич, Тришенков Михаил Алексеевич
Сохранить в закладках
Методики расчета и контроля разностной дозы примеси в лавинных InGaAs/InP структурах (2017)

В данной статье приводятся методики расчета разностной дозы примеси Qа и ее контроля при планарной технологии изготовления лавинных фотодиодов (ЛФД) на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP. Разработанные методики контроля разностной дозы в лавинных InGaAs/InP структурах использовались на различных этапах изготовления ЛФД. Показана необходимость более жесткого контроля доз концентрации производителем эпитаксиальных структур, согласования методик их измерения, коррекции диффузионных процессов под конкретные дозы примесей.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №4 (2017)
Автор(ы): Будтолаев Андрей Константинович, Кравченко Николай Владимирович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна
Сохранить в закладках
Пороговая чувствительность типоразмерного ряда фотоприемных устройств на основе p–i–n- и лавинных InGaAs/InP-фотодиодов (2018)

В статье говорится об особенности проектирования импульсных ФПУ, связанной с необходимостью обеспечения квазиоптимальной фильтрации, обеспечивающей выделение сигнала из шумов фотодиода и усилителя. Показана одна из возможных простых реализаций квазиоптимального фильтра импульсного ФПУ на основе p–i–n- и лавинных InGaAs/InPфотодиодов. Представлены численный анализ зависимости пороговой чувствительности ФПУ на основе InGaAs/InP от длительности входного импульса излучения для различных диаметров фоточувствительного элемента для значений ёмкостей CФД и темновых токов IФД, а также оптимальные значения постоянной времени  двойного RC-фильтра, обеспечивающие приемлемые длительности переднего фронта tmax при длительности входного импульса 0,5 = 10 нс для всего типоразмерного ряда ФПУ. Построены графики зависимости пороговой чувствительности ФПУ от длительности сигнала и диаметра фоточувствительного элемента. Сформулированы требования к структуре всех типов ФПУ для максимального выделения импульсного сигнала из шума.

Издание: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Выпуск: Том 6, №6 (2018)
Автор(ы): Будтолаев Андрей Константинович, Будтолаева Анна Константиновна, Кравченко Николай Владимирович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна, Тришенков Михаил Алексеевич
Сохранить в закладках